номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиУправляемая конфигурацияТип каналаКоличество драйверовТип воротНапряжение - ПоставкаНапряжение логики - VIL, VIHТекущий - пиковый выход (источник, раковина)Тип вводаВысокое боковое напряжение - макс (бутстрап)Время нарастания / падения (Тип)Рабочая ТемператураТип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER 8A в производствеHigh-Side or Low-SideIndependent2IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
8A, 8A
-
1700V17ns, 15ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER 8A в производствеHigh-Side or Low-SideIndependent2IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
8A, 8A
-
1200V17ns, 15ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER в производствеHalf-BridgeIndependent2IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
8A, 15A
-
1200V5ns, 10ns-20°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER 35A в производствеHigh-Side or Low-SideIndependent2IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET14.5 V ~ 15.5 V
-
35A, 35A
-
3300V20ns, 20ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER 35A в производствеHigh-Side or Low-SideIndependent2IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET14.5 V ~ 15.5 V
-
35A, 35A
-
1700V20ns, 20ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER 6A устарелыйHalf-Bridge
-
2IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET15V
-
6A, 6A
-
-
100ns, 80ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER 18A устарелыйHalf-Bridge
-
2IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET15V
-
18A, 18A
-
-
-
-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC SINGLE GATE DRIVER 35A в производствеHigh-Side or Low-SideSingle1IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
35A, 35A
-
3300V9ns, 30ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER 6A в производствеHalf-BridgeIndependent2IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
6A, 6A
-
1200V20ns, 13ns-40°C ~ 105°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER 15A в производствеHigh-Side or Low-SideIndependent2IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
15A, 15A
-
1200V6ns, 12ns-40°C ~ 105°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER в производствеHalf-BridgeIndependent2IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
8A, 15A
-
1700V5ns, 10ns-20°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP в производстве
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SMD Поверхностный монтаж16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 LeadseSOP-R16B
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER 8A в производствеHigh-Side or Low-SideIndependent2IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
8A, 8A
-
1200V17ns, 15ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER 8A в производствеHigh-Side or Low-SideIndependent2IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
8A, 8A
-
1700V17ns, 15ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER в производствеHalf-BridgeIndependent2IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
8A, 15A
-
600V5ns, 10ns-20°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER в производствеHalf-BridgeIndependent2IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
8A, 15A
-
600V5ns, 10ns-20°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER в производствеHalf-BridgeIndependent2IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
8A, 15A
-
600V5ns, 10ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER в производствеHalf-BridgeIndependent2IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
8A, 15A
-
1200V5ns, 10ns-20°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER в производствеHalf-BridgeIndependent2IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
8A, 15A
-
1700V5ns, 10ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER в производствеHalf-BridgeIndependent2IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
8A, 15A
-
1200V5ns, 10ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER в производствеHalf-BridgeIndependent2IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
8A, 15A
-
1700V5ns, 10ns-20°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations GATE DRIVER CORE SCALE-2 4500V в производствеHigh-Side or Low-SideSingle1IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
50A, 50A
-
4500V30ns, 25ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER 30A в производствеHalf-Bridge
-
2IGBT14 V ~ 16 V
-
30A, 30A
-
-
-
-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER 30A в производствеHalf-Bridge
-
2IGBT14 V ~ 16 V
-
30A, 30A
-
-
-
-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER 20A в производствеHalf-BridgeIndependent2IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
20A, 20A
-
1700V7ns, 25ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER 20A в производствеHalf-BridgeIndependent2IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
20A, 20A
-
1700V7ns, 25ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER 20A в производствеHalf-BridgeIndependent2IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
20A, 20A
-
1200V7ns, 25ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER 20A в производствеHalf-BridgeIndependent2IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
20A, 20A
-
1200V7ns, 25ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER 20A в производствеHalf-BridgeIndependent2IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
20A, 20A
-
1700V7ns, 25ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC SINGLE GATE DRIVER 35A в производствеHigh-Side or Low-SideSingle1IGBT23.5 V ~ 26.5 V
-
35A, 35A
-
6500V9ns, 30ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP в производстве
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SMD Поверхностный монтаж16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 LeadseSOP-R16B
Power Integrations GATE DRIVER CORE SCALE-2 1700V в производстве
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Power Integrations GATE DRIVER CORE SCALE-2 1700V в производстве
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Power Integrations IC SINGLE GATE DRIVER 35A в производствеHigh-Side or Low-SideSingle1IGBT23.5 V ~ 26.5 V
-
35A, 35A
-
4500V9ns, 30ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC SINGLE GATE DRIVER 35A в производствеHigh-Side or Low-SideSingle1IGBT23.5 V ~ 26.5 V
-
35A, 35A
-
6500V9ns, 30ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC SINGLE GATE DRIVER 35A в производствеHigh-Side or Low-SideSingle1IGBT23.5 V ~ 26.5 V
-
35A, 35A
-
4500V10ns, 25ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC SINGLE GATE DRIVER 35A в производствеHigh-Side or Low-SideSingle1IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
35A, 35A
-
1700V9ns, 30ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC SINGLE GATE DRIVER 35A в производствеHigh-Side or Low-SideSingle1IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
35A, 35A
-
1200V9ns, 30ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC SINGLE GATE DRIVER 35A в производствеHigh-Side or Low-SideSingle1IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
35A, 35A
-
3300V9ns, 30ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations GATE DRIVER CORE SCALE-2 4500V в производствеHigh-Side or Low-SideSingle1IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
50A, 50A
-
4500V30ns, 25ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations GATE DRIVER CORE SCALE-2 6500V в производствеHigh-Side or Low-SideSingle1IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
50A, 50A
-
6500V30ns, 25ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC SINGLE GATE DRIVER 60A в производствеHigh-Side or Low-SideSingle1IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET14.5 V ~ 15.5 V
-
60A, 60A
-
-
10ns, 15ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER 20A в производствеHalf-BridgeIndependent2IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
20A, 20A
-
1200V7ns, 25ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations GATE DRIVER CORE SCALE-2 6500V в производствеHigh-Side or Low-SideSingle1IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
50A, 50A
-
6500V30ns, 25ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER 50A в производствеHigh-Side or Low-SideIndependent2IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
50A, 50A
-
1700V25ns, 25ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC SINGLE GATE DRIVER 50A в производствеHigh-Side or Low-SideSingle1IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
50A, 50A
-
6500V30ns, 25ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC SINGLE GATE DRIVER 15A устарелыйHigh-Side or Low-SideSingle1IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET12 V ~ 16 V0.9V, 3.8V15A, 15A
-
-
40ns, 40ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER 35A в производствеHigh-Side or Low-SideIndependent2IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
35A, 35A
-
3300V20ns, 25ns-55°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC DUAL GATE DRIVER 35A в производствеHigh-Side or Low-SideIndependent2IGBT14.5 V ~ 15.5 V
-
35A, 35A
-
3300V20ns, 25ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
Power Integrations IC SINGLE GATE DRIVER 35A в производствеHigh-Side or Low-SideSingle1IGBT23.5 V ~ 26.5 V
-
35A, 35A
-
4500V9ns, 30ns-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажModuleModule
  1. 1
  2. 2
  3. 3