1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретный полупроводник
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  5. Продукты

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

Ampleon
Broadcom Limited
CEL (California Eastern Laboratories)
Central Semiconductor
Infineon Technologies
IXYS Corporation
IXYS RF/Littelfuse
MACOM Technology Solutions
Microsemi
MicroWave Technology/Littelfuse
Nexperia
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
RFMD
Skyworks Solutions, Inc.
STMicroelectronics
Toshiba Semiconductor and Storage
Wolfspeed
номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип транзисторачастотаУсилениеНапряжение - испытаниеТекущий рейтингКоэффициент шумаТекущий - ТестВыходная мощностьНапряжение - Номинальное напряжениеУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
MRF8S9120NR3
 NXP USA Inc. FET RF 70V 960MHZ QM780-2 в производствеLDMOS960MHz19.8dB28V
-
-
800mA33W70VOM-780-2OM-780-2
PD57045TR-E
 STMicroelectronics FET RF 65V 945MHZ POWERSO-10RF в производствеLDMOS945MHz14.5dB28V5A
-
250mA45W65VPowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)PowerSO-10RF (Formed Lead)
BLP8G21S-160PVY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211 в производствеLDMOS (Dual), Common Source1.88GHz ~ 1.92GHz17.5dB28V
-
-
600mA20W65VSOT-1221-16-HSOPF
LET9060STR
 STMicroelectronics RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF в производствеLDMOS960MHz17.2dB28V12A
-
300mA60W80VPowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)PowerSO-10RF (Straight Lead)
LET9060TR
 STMicroelectronics RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF устарелыйLDMOS960MHz17.2dB28V12A
-
300mA60W80VPowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)PowerSO-10RF (Formed Lead)
SD57030-01
 STMicroelectronics FET RF 65V 945MHZ M250 в производствеLDMOS945MHz15dB28V4A
-
50mA30W65VM250M250
BLM7G1822S-80ABY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12111 в производствеLDMOS (Dual)2.17GHz31dB28V
-
-
40mA4W65VSOT-1211-216-HSOPF
MRF6V10010NR4
 NXP USA Inc. FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5 в производствеLDMOS1.09GHz25dB50V
-
-
10mA10W100VPLD-1.5PLD-1.5
MRFE6VP5300GNR1
 NXP USA Inc. FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 GW в производствеLDMOS (Dual)230MHz27dB50V
-
-
100mA300W133VTO-270BBTO-270 WB-4 Gull
BLC8G20LS-310AVY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12583 устарелыйLDMOS (Dual), Common Source1.93GHz ~ 1.99GHz17dB28V
-
-
650mA56W65VSOT-1258-3DFM6
SD57060-10
 STMicroelectronics FET RF 65V 945MHZ M243 в производствеLDMOS945MHz15dB28V7A
-
100mA60W65VM243M243
MMRF1316NR1
 NXP USA Inc. FET RF 2CH 133V 230MHZ TO270 в производствеLDMOS (Dual)230MHz27dB50V
-
-
100mA300W133VTO-270-4TO-270 WB-4
BLC8G20LS-400AVY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12583 устарелыйLDMOS (Dual), Common Source1.81GHz ~ 1.88GHz15.5dB32V
-
-
800mA85W65VSOT-1258-3DFM6
STAC2932F
 STMicroelectronics TRANSISTOR RF POWER N-CH STAC244F устарелыйN-Channel175MHz20dB50V40A
-
250mA390W125VSTAC244FSTAC244F
STAC2932FW
 STMicroelectronics TRANSISTOR RF POWER N-CH 300W STAC244B в производствеN-Channel175MHz
-
50V40A
-
250mA390W125VSTAC244FSTAC244F
STAC2942FW
 STMicroelectronics TRANSISTOR RF POWER N-CH 350W STAC244B в производствеN-Channel175MHz
-
50V40A
-
250mA450W130VSTAC244BSTAC244B
BLC8G20LS-310AVZ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12583 устарелыйLDMOS (Dual), Common Source1.93GHz ~ 1.99GHz17dB28V
-
-
650mA56W65VSOT-1258-3DFM6
BLF8G09LS-400PWJ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B в производствеLDMOS (Dual), Common Source718.5MHz ~ 725.5MHz20.6dB28V
-
-
3.4A95W65VSOT-1242BCDFM8
BLF8G09LS-400PGWJ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C в производствеLDMOS (Dual), Common Source718.5MHz ~ 725.5MHz20.6dB28V
-
-
3.4A95W65VSOT-1242CCDFM8
BLP05H6700XRY
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS 50V SOT1138-2 в производствеLDMOS600MHz26dB50V1.4µA
-
100mA700W135VSOT-1138-2SOT1138-2
BLF6G38LS-50,118
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B устарелыйLDMOS3.4GHz ~ 3.6GHz14dB28V16.5A
-
450mA9W65VSOT-502BSOT502B
BLF6G38LS-50,112
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B устарелыйLDMOS3.4GHz ~ 3.6GHz14dB28V16.5A
-
450mA9W65VSOT-502BSOT502B
MW7IC2425NBR1
 NXP USA Inc. FET RF 65V 2.45GHZ TO-272-16 устарелыйLDMOS2.45GHz27.7dB28V
-
-
55mA25W65VTO-272-16 Variant, Flat LeadsTO-272 WB-16
VRF2933FL
 Microsemi Corporation MOSFET RF N-CH 170V 30MHZ T2 в производствеN-Channel30MHz22dB50V42A
-
250mA300W170VM177M177
STAC3932F
 STMicroelectronics TRANSISTOR RF POWER N-CH STAC244F в производствеN-Channel123MHz24.6dB100V20A
-
250mA580W250VSTAC244FSTAC244F
A2V09H400-04NR3
 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO в производствеLDMOS720MHz ~ 960MHz17.9dB48V10µA
-
688mA107W105VOM-780-4LOM-780-4L
MMRF1310HR5
 NXP USA Inc. FET RF 2CH 133V 230MHZ NI780 в производствеLDMOS (Dual)230MHz26.5dB50V
-
-
100mA300W133VNI-780-4NI-780-4
AFT18S230SR5
 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6 в производствеLDMOS1.88GHz19dB28V
-
-
1.8A50W65VNI-780SNI-780S-6
STAC4932F
 STMicroelectronics TRANSISTOR RF POWER N-CH STAC244F в производствеN-Channel123MHz26dB100V
-
-
250mA1200W200VSTAC244FSTAC244F
STAC2932BW
 STMicroelectronics TRANSISTOR RF POWER N-CH 300W STAC244B в производствеN-Channel175MHz
-
50V40A
-
250mA390W125VSTAC244BSTAC244B
BLF871,112
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 89V 19DB SOT467C устарелыйLDMOS860MHz19dB40V
-
-
500mA100W89VSOT467CSOT467C
BLF2425M8LS140U
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B устарелыйLDMOS2.45GHz19dB28V
-
-
1.3A140W65VSOT-502BSOT502B
MRF6V2300NBR1
 NXP USA Inc. FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 устарелыйLDMOS220MHz25.5dB50V
-
-
900mA300W110VTO-272BBTO-272 WB-4
MRF7S24250NR3
 NXP USA Inc. TRANSISTOR RF LDMOS 250W 32V в производствеLDMOS2.45GHz14.7dB30V
-
-
100mA256W65VOM-780-2OM-780-2
BLF184XRGJ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C в производствеLDMOS (Dual), Common Source108MHz23.9dB50V
-
-
100mA700W135VSOT-1214CLDMOST
MRFE6VP61K25NR6
 NXP USA Inc. TRANSISTOR RF LDMOS 1250W 50V в производствеLDMOS (Dual)230MHz23dB50V
-
-
100mA1250W133VOM-1230-4LOM-1230-4L
CGHV35060MP
 Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP в производствеHEMT2.7GHz ~ 3.5GHz14.5dB50V
-
-
125mA60W150V20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad20-TSSOP
BLF879PS,112
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B устарелыйLDMOS (Dual), Common Source860MHz21dB42V
-
-
1.3A200W104VSOT539BSOT539B
BLF879P,112
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A устарелыйLDMOS (Dual), Common Source860MHz21dB42V
-
-
1.3A200W104VSOT539ASOT539A
MRF1K50GNR5
 NXP USA Inc. WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST в производствеLDMOS1.8MHz ~ 500MHz23dB50V
-
-
-
1500W50VOM-1230G-4LOM-1230G-4L
MRFE6VP61K25HR6
 NXP USA Inc. FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 в производствеLDMOS (Dual)230MHz24dB50V
-
-
100mA1250W133VNI-1230NI-1230
MRFE6VP61K25HR5
 NXP USA Inc. FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 в производствеLDMOS (Dual)230MHz24dB50V
-
-
100mA1250W133VNI-1230NI-1230
BLC8G22LS-450AVY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12583 в производствеLDMOS (Dual), Common Source2.11GHz ~ 2.17GHz14dB28V
-
-
1A85W65VSOT-1258-3DFM6
MRF24301HSR5
 NXP USA Inc. 250W AF17 2450MHZ NI780 в производствеLDMOS2.4GHz ~ 2.5GHz13.5dB
-
-
-
-
300W
-
NI-780SNI-780S
MMRF5017HSR5
 NXP USA Inc. GAN 2.2GHZ 250W NI400S4S в производствеHEMT30MHz ~ 2.2GHz18.4dB50V
-
-
200mA125W150VNI-400S-2SNI-400S-2S
BLF6G13LS-250PGJ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121E в производствеLDMOS1.3GHz17dB50V
-
-
100mA250W100VSOT-1121ELDMOST
MRFE6VP8600HR5
 NXP USA Inc. FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230 в производствеLDMOS (Dual)860MHz19.3dB50V
-
-
1.4A125W130VNI-1230NI-1230
MRFX1K80NR5
 NXP USA Inc. 600MHZ 1.8KW OM1230-4L в производствеLDMOS1.8MHz ~ 470MHz24dB65V
-
-
-
1800W
-
OM-1230-4LOM-1230-4L
MRF13750HR5
 NXP USA Inc. RF POWER LDMOS TRANSISTOR 750 W в производствеLDMOS (Dual)700MHz ~ 1.3GHz20.6dB50V10µA
-
-
650W105VSOT-979ANI-1230H-4S
MMRF2010NR1
 NXP USA Inc. TRANSISTOR RF LDMOS 250W 50V в производствеLDMOS1.09GHz32.1dB50V10µA
-
80mA250W100VTO-270-14 Variant, Flat LeadsTO-270 WB-14 GULL
  1. 3
  2. 4
  3. 5
  4. 6
  5. 7
  6. 8
  7. 9
  8. 10
  9. 11
  10. 12
Email: sales@icchip.ru
Copyright © 2019 ICCHIP ® Все права защищены