Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ - Дискретный полупроводник - MRF1511NT1 PD57006STR-E PD57006S-E PD55008L-E - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип транзистора	частота	Усиление	Напряжение - испытание	Текущий рейтинг	Коэффициент шума	Текущий - Тест	Выходная мощность	Напряжение - Номинальное напряжение	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
MRF1511NT1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 175MHZ PLD-1.5	устарелый	LDMOS	175MHz	13dB	7.5V	4A	-	150mA	8W	40V	PLD-1.5	PLD-1.5
PD57006STR-E	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF N-CH FET POWERSO-10RF	в производстве	LDMOS	945MHz	15dB	28V	1A	-	70mA	6W	65V	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)	PowerSO-10RF (Straight Lead)
PD57006S-E	STMicroelectronics	FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10	устарелый	LDMOS	945MHz	15dB	28V	1A	-	70mA	6W	65V	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	PowerSO-10RF (Straight Lead)
PD55008L-E	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT	устарелый	LDMOS	500MHz	19dB	12.5V	5A	-	150mA	8W	40V	8-PowerVDFN	PowerFLAT™ (5x5)
MHT1006NT1	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W	в производстве	LDMOS	2.17GHz	21.7dB	28V	-	-	90mA	1.26W	65V	PLD-1.5W	PLD-1.5W-2
PD54008S-E	STMicroelectronics	FET RF 25V 500MHZ PWRSO-10	устарелый	LDMOS	500MHz	11.5dB	7.5V	5A	-	150mA	8W	25V	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	PowerSO-10RF (Straight Lead)
PD84006-E	STMicroelectronics	FET RF 25V 870MHZ PWRSO-10RF	в производстве	LDMOS	870MHz	15dB	7.5V	5A	-	150mA	6W	25V	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	10-PowerSO
AFT09MS031GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 870MHZ TO270-2G	в производстве	LDMOS	870MHz	17.2dB	13.6V	-	-	500mA	31W	40V	TO-270BA	TO-270-2 GULL
MHT1008NT1	NXP USA Inc.	IC TRANSISTOR RF LDMOS 2450MHZ	в производстве	LDMOS	2.4GHz ~ 2.5GHz	18.6dB	-	-	-	-	12.5W	28V	PLD-1.5W	PLD-1.5W-2
AFT27S010NT1	NXP USA Inc.	FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W	в производстве	LDMOS	2.17GHz	21.7dB	28V	-	-	90mA	1.26W	65V	PLD-1.5W	PLD-1.5W-2
PD20010TR-E	STMicroelectronics	TRANSISTOR N-CH 40V POWERSO-10RF FORM	в производстве	LDMOS	2GHz	11dB	13.6V	5A	-	150mA	10W	40V	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	PowerSO-10RF (Formed Lead)
AFT05MP075NR1	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4	в производстве	LDMOS (Dual)	520MHz	18.5dB	12.5V	-	-	400mA	70W	40V	TO-270AB	TO-270 WB-4
MRF6V2010NR1	NXP USA Inc.	FET RF 110V 220MHZ TO270-2	в производстве	LDMOS	220MHz	23.9dB	50V	-	-	30mA	10W	110V	TO-270AA	TO-270-2
BLP9G0722-20GZ	Ampleon USA Inc.	RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1	в производстве	LDMOS	400MHz ~ 2.7GHz	19dB	28V	1.4µA	-	180mA	43dBm	65V	SOT-1483-1	SOT1483-1
BLP9G0722-20Z	Ampleon USA Inc.	RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1	в производстве	LDMOS	400MHz ~ 2.7GHz	19dB	28V	1.4µA	-	180mA	43dBm	65V	SOT-1482-1	SOT-1482-1
PD85015-E	STMicroelectronics	FET RF 40V 870MHZ	в производстве	LDMOS	870MHz	16dB	13.6V	5A	-	150mA	15W	40V	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	PowerSO-10RF (Formed Lead)
MMRF1015NR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 960MHZ TO270	в производстве	LDMOS	960MHz	18dB	28V	-	-	125mA	10W	68V	TO-270-2	TO-270-2
MW6S010GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW	в производстве	LDMOS	960MHz	18dB	28V	-	-	125mA	10W	68V	TO-270BA	TO-270-2 GULL
MW6S010NR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 960MHZ TO270-2	устарелый	LDMOS	960MHz	18dB	28V	-	-	125mA	10W	68V	TO-270AA	TO-270-2
PD85015STR-E	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF N-CH FET POWERSO-10RF	устарелый	LDMOS	870MHz	16dB	13.6V	5A	-	150mA	15W	40V	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)	PowerSO-10RF (Straight Lead)
MRF1535FNT1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 520MHZ TO272-6	устарелый	LDMOS	520MHz	13.5dB	12.5V	6A	-	500mA	35W	40V	TO-272BA	TO-272-6
MRF1535NT1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 520MHZ TO272-6 WRAP	устарелый	LDMOS	520MHz	13.5dB	12.5V	6A	-	500mA	35W	40V	TO-272AA	TO-272-6
MWT-773	Microwave Technology Inc.	FET RF 5V 26GHZ PKG 73	в производстве	MESFET	500MHz ~ 26GHz	8dB	3V	98mA	12dB	10mA	20dBm	5V	Nonstandard SMD	73
PD85025S-E	STMicroelectronics	FET RF 40V 870MHZ	устарелый	LDMOS	870MHz	17.3dB	13.6V	7A	-	300mA	10W	40V	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	PowerSO-10RF (Straight Lead)
MMRF1304NR1	NXP USA Inc.	FET RF 133V 512MHZ TO270-2	в производстве	LDMOS	512MHz	25.4dB	50V	-	-	10mA	25W	133V	TO-270AA	TO-270-2
AFT20S015GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2G	в производстве	LDMOS	2.17GHz	17.6dB	28V	-	-	132mA	1.5W	65V	TO-270BA	TO-270-2 GULL
PD85025STR-E	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF N-CH FET POWERSO-10RF	устарелый	LDMOS	870MHz	17.3dB	13.6V	7A	-	300mA	10W	40V	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)	PowerSO-10RF (Straight Lead)
PD55025TR-E	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF N-CH FET POWERSO-10RF	в производстве	LDMOS	500MHz	14.5dB	12.5V	7A	-	200mA	25W	40V	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	PowerSO-10RF (Formed Lead)
MMRF1004NR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2	в производстве	LDMOS	2.17GHz	15.5dB	28V	-	-	130mA	10W	68V	TO-270AA	TO-270-2
MRFE6S9045NR1	NXP USA Inc.	FET RF 66V 880MHZ TO-270-2	устарелый	LDMOS	880MHz	22.1dB	28V	-	-	350mA	10W	66V	TO-270AA	TO-270-2
MRFE6VS25GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 133V 512MHZ TO-270-2	в производстве	LDMOS	512MHz	25.4dB	50V	-	-	10mA	25W	133V	TO-270BA	TO-270-2 GULL
PD55035-E	STMicroelectronics	FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10	устарелый	LDMOS	500MHz	16.9dB	12.5V	7A	-	200mA	35W	40V	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	PowerSO-10RF (Formed Lead)
PD57018STR-E	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF POWERSO-10	в производстве	LDMOS	945MHz	16.5dB	28V	2.5A	-	100mA	18W	65V	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	PowerSO-10RF (Straight Lead)
BLM9D2527-20ABZ	Ampleon USA Inc.	RF MOSFET LDMOS SOT1462-1	в производстве	LDMOS	2.5GHz ~ 2.7GHz	-	-	-	-	-	20W	28V	20-QFN Exposed Pad	20-PQFN (8x8)
BLM9D2325-20ABZ	Ampleon USA Inc.	RF MOSFET LDMOS SOT1462-1	в производстве	LDMOS	2.3GHz ~ 2.5GHz	-	-	-	-	-	20W	28V	20-QFN Exposed Pad	20-PQFN (8x8)
MRFE6S9060NR1	NXP USA Inc.	FET RF 66V 880MHZ TO270-2	в производстве	LDMOS	880MHz	21.1dB	28V	-	-	450mA	14W	66V	TO-270AA	TO-270-2
MWT-A973	Microwave Technology Inc.	FET RF 5V 18GHZ PKG 73	в производстве	MESFET	500MHz ~ 18GHz	6.5dB	3V	120mA	1.8dB	30mA	24.5dBm	5V	Nonstandard SMD	73
MRFE6VP5150NR1	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270	в производстве	LDMOS (Dual)	230MHz	26.1dB	50V	-	-	100mA	150W	133V	TO-270AB	TO-270 WB-4
BLM9D2327-25BZ	Ampleon USA Inc.	RF MOSFET LDMOS SOT1462-1	в производстве	LDMOS	2.3GHz ~ 2.7GHz	-	-	-	-	-	25W	28V	20-QFN Exposed Pad	20-PQFN (8x8)
BLP05H635XRY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	108MHz	27dB	50V	-	-	10mA	35W	135V	SOT-1223-2	4-HSOPF
MMRF1315NR1	NXP USA Inc.	FET RF 66V 880MHZ TO270	в производстве	LDMOS	880MHz	21.1dB	28V	-	-	450mA	14W	66V	TO-270-2	TO-270-2
MRFE6VP5150GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 GW	в производстве	LDMOS (Dual)	230MHz	26.1dB	50V	-	-	100mA	150W	133V	TO-270BB	TO-270 WB-4 Gull
BLP05M7200Y	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT1139	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	440MHz	21dB	28V	-	-	2mA	210W	65V	4-HSOPF, SOT-1138	4-HSOP
BLP8G10S-45PY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	952.5MHz ~ 957.5MHz	20.8dB	28V	-	-	224mA	2.5W	65V	SOT-1223-1	4-HSOPF
A2I25D025NR1	NXP USA Inc.	IC TRANSISTOR RF LDMOS	в производстве	LDMOS (Dual)	2.69GHz	31.9dB	28V	-	-	59mA	3.2W	65V	TO-270-17 Variant, Flat Leads	TO-270WB-17
BLM7G1822S-40PBY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12111	в производстве	LDMOS (Dual)	1.81GHz ~ 2.17GHz	31.5dB	28V	-	-	40mA	4W	65V	SOT-1211-1	16-HSOPF
BLM7G1822S-40PBGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121	в производстве	LDMOS (Dual)	1.81GHz ~ 2.17GHz	31.5dB	28V	-	-	40mA	4W	65V	SOT-1212-3	16-HSOP
BLM8G0710S-30PBY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112	в производстве	LDMOS (Dual)	957.5MHz	35dB	28V	-	-	30mA	3W	65V	SOT-1211-3	16-HSOPF
MRF300AN	NXP USA Inc.	RF MOSFET LDMOS 50V TO247	в производстве	LDMOS	27MHz ~ 250MHz	18.7dB	50V	-	-	-	300W	-	TO-247-3	TO-247
MRF300BN	NXP USA Inc.	RF MOSFET LDMOS 50V TO247	в производстве	LDMOS	27MHz ~ 250MHz	18.7dB	50V	-	-	-	300W	-	TO-247-3	TO-247

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ