Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ - Дискретный полупроводник - BLF189XRASU BLF888B,112 BLF888BS,112 BLF0910H6LS500U - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип транзистора	частота	Усиление	Напряжение - испытание	Текущий рейтинг	Коэффициент шума	Текущий - Тест	Выходная мощность	Напряжение - Номинальное напряжение	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
BLF189XRASU	Ampleon USA Inc.	BLF189XRA/SOT539/TRAY	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	500MHz	26.2dB	50V	2.8µA	-	150mA	1700W	135V	SOT539B	SOT539B
BLF888B,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	860MHz	21dB	50V	-	-	1.3A	250W	104V	SOT539A	SOT539A
BLF888BS,112	Ampleon USA Inc.	RF MOSFET LDMOS DUAL 50V SOT539B	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	470MHz ~ 860MHz	21dB	50V	2.8µA	-	-	250W	104V	SOT539B	SOT539B
BLF0910H6LS500U	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 14.8DB SOT12751	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	2.5GHz ~ 2.69GHz	14.8dB	28V	-	-	400mA	150W	65V	SOT1275-1	SOT-1275-1
BLF189XRBU	Ampleon USA Inc.	RF MOSFET SOT539 TRAY	в производстве	LDMOS	108MHz	26dB	50V	2.8µA	-	200mA	1900W	135V	SOT539A	SOT539A
BLF189XRBSU	Ampleon USA Inc.	RF MOSFET SOT539 TRAY	в производстве	LDMOS	108MHz	26dB	50V	2.8µA	-	200mA	1900W	135V	SOT539B	SOT539B
BLF888ESU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 104V 17DB SOT539B	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	600MHz ~ 700MHz	17dB	50V	-	-	600mA	750W	104V	SOT539B	SOT539B
BLF898SU	Ampleon USA Inc.	RF MOSFET LDMOS 50V SOT539B	в производстве	LDMOS	470MHz ~ 800MHz	18dB	50V	-	-	900mA	900W	120V	SOT539B	SOT539B
BLS9G2729L-350U	Ampleon USA Inc.	RF MOSFET LDMOS 28V SOT502A	в производстве	LDMOS	2.7GHz ~ 2.9GHz	14dB	28V	4µA	-	400mA	350W	65V	SOT-502A	SOT502A
BLS9G2729LS-350U	Ampleon USA Inc.	RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B	в производстве	LDMOS	2.7GHz ~ 2.9GHz	14dB	28V	4µA	-	400mA	350W	65V	SOT-502B	SOT502B
CGHV40180F	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 50V 440223	в производстве	HEMT	0Hz ~ 1GHz	24dB	50V	12.1A	-	1A	180W	125V	440223	440223
CGHV40200PP	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 440199	в производстве	HEMT	3GHz	20.1dB	-	18.7A	-	-	218W	125V	440199	440199
MMBFJ310LT3G	ON Semiconductor	RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23	в производстве	N-Channel JFET	-	12dB	10V	60mA	-	10mA	-	25V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
PN5033	Central Semiconductor Corp	TRANSISTOR PNP TH	в производстве	P-Channel	1kHz	-	-	-	2dB	-	-	20V	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92
MMBFJ310LT1G	ON Semiconductor	RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23	в производстве	N-Channel JFET	-	12dB	10V	60mA	-	10mA	-	25V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBF5486	ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 20MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	400MHz	-	15V	20mA	4dB	-	-	25V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
2SK3557-6-TB-E	ON Semiconductor	JFET N-CH 15V 50MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	1kHz	-	5V	50mA	1dB	1mA	200mW	15V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-CP
2SK209-GR(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH SOT23	в производстве	N-Channel JFET	1kHz	-	10V	-	1dB	500µA	-	-	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SC-59
BF992,215	NXP USA Inc.	MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B	в производстве	N-Channel Dual Gate	200MHz	-	10V	40mA	1.2dB	15mA	-	20V	TO-253-4, TO-253AA	SOT-143B
2SK209-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH SOT23	в производстве	N-Channel JFET	1kHz	-	10V	-	1dB	500µA	-	-	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SC-59
MMBF5485	ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 10MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	400MHz	-	15V	10mA	4dB	-	-	25V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
3SK294(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	FET RF 12.5V 500MHZ USQ	в производстве	N-Channel	500MHz	26dB	6V	30mA	1.4dB	10mA	-	12.5V	SC-82A, SOT-343	USQ
3SK292(TE85R,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ	в производстве	N-Channel Dual Gate	500MHz	26dB	6V	30mA	1.4dB	10mA	-	12.5V	SC-61AA	SMQ
BF1108,215	NXP USA Inc.	IC RF SWITCH SOT143B	устарелый	N-Channel	-	-	-	10mA	-	-	-	3V	TO-253-4, TO-253AA	SOT-143B
BF513,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 20V 30MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	100MHz	-	10V	30mA	1.5dB	5mA	-	20V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BF511,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 20V 30MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	100MHz	-	10V	30mA	1.5dB	5mA	-	20V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
CE3514M4-C2	CEL	RF MOSFET PHEMT FET 2V SOT343	в производстве	pHEMT FET	12GHz	12.2dB	2V	68mA	0.62dB	15mA	125mW	4V	SC-82A, SOT-343	4-Super Mini Mold
CE3512K2-C1	CEL	RF FET 4V 12GHZ 4MICROX	в производстве	pHEMT FET	12GHz	13.7dB	2V	15mA	0.5dB	10mA	125mW	4V	4-Micro-X	4-Micro-X
CE3521M4-C2	CEL	RF FET 4V 20GHZ SOT343	в производстве	pHEMT FET	20GHz	11.9dB	2V	15mA	1.05dB	10mA	125mW	4V	SC-82A, SOT-343	4-Super Mini Mold
AFM906NT1	NXP USA Inc.	WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS	в производстве	LDMOS	136MHz ~ 941MHz	-	10.8V	2µA	-	100mA	6.8W	30V	16-VDFN Exposed Pad	16-DFN (6x4)
CE3520K3-C1	CEL	RF FET 4V 20GHZ 4MICROX	в производстве	pHEMT FET	20GHz	13.8dB	2V	15mA	0.8dB	10mA	125mW	4V	4-Micro-X	4-Micro-X
AFT05MS004NT1	NXP USA Inc.	FET RF 30V 520MHZ PLD	в производстве	LDMOS	520MHz	20.9dB	7.5V	-	-	100mA	4.9W	30V	TO-243AA	SOT-89-3
PD84001	STMicroelectronics	FET RF 18V 870MHZ	в производстве	LDMOS	870MHz	15dB	7.5V	1.5A	-	50mA	30dBm	18V	TO-243AA	SOT-89
AFM907NT1	NXP USA Inc.	RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN	в производстве	LDMOS	136MHz ~ 941MHz	-	10.8V	10µA	-	100mA	8.4W	30V	16-VDFN Exposed Pad	16-DFN (6x4)
PD85004	STMicroelectronics	FET RF 40V 870MHZ	в производстве	LDMOS	870MHz	17dB	13.6V	2A	-	50mA	4W	40V	TO-243AA	SOT-89
AFT05MS006NT1	NXP USA Inc.	FET RF 30V 520MHZ PLD	устарелый	LDMOS	520MHz	18.3dB	7.5V	-	-	100mA	6W	30V	PLD-1.5W	PLD-1.5W-2
AFT05MS003NT1	NXP USA Inc.	IC TRANSISTOR RF LDMOS	в производстве	LDMOS	520MHz	20.8dB	7.5V	-	-	100mA	3W	30V	TO-243AA	SOT-89-3
AFT09MS007NT1	NXP USA Inc.	FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W	в производстве	LDMOS	870MHz	15.2dB	7.5V	-	-	100mA	7.3W	30V	PLD-1.5W	PLD-1.5W-2
ATF-531P8-TR1	Broadcom Limited	FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC	устарелый	E-pHEMT	2GHz	20dB	4V	300mA	0.6dB	135mA	24.5dBm	7V	8-WFDFN Exposed Pad	8-LPCC (2x2)
PD84006L-E	STMicroelectronics	FET RF 25V 870MHZ	в производстве	LDMOS	870MHz	15dB	7.5V	5A	-	150mA	2W	25V	8-PowerVDFN	PowerFLAT™ (5x5)
2N4340	Central Semiconductor Corp	JFET N-CH 50V TO18	в производстве	N-Channel JFET	1kHz	-	15V	-	1dB	-	-	50V	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	TO-18
ATF-52189-BLK	Broadcom Limited	FET RF 7V 2GHZ SOT89	устарелый	E-pHEMT	2GHz	16dB	4.5V	500mA	1.5dB	200mA	27dBm	7V	TO-243AA	SOT-89
AFT09MS015NT1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 870MHZ PLD	в производстве	LDMOS	870MHz	17.2dB	12.5V	-	-	100mA	16W	40V	PLD-1.5W	PLD-1.5W-2
RFM03U3CT(TE12L)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH RF-CST3	Discontinued at -	N-Channel	520MHz	14.8dB	3.6V	3A	-	500mA	3W	16V	2-SMD, No Lead Exposed Pad	RF-CST3
RFM08U9X(TE12L,Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH PW-X	Discontinued at -	N-Channel	520MHz	11.7dB	9.6V	5A	-	50mA	7.5W	36V	TO-271AA	PW-X
PD54003L-E	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT	устарелый	LDMOS	500MHz	20dB	7.5V	4A	-	50mA	3W	25V	8-PowerVDFN	PowerFLAT™ (5x5)
PD54008L-E	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT	в производстве	LDMOS	500MHz	15dB	7.5V	5A	-	200mA	8W	25V	8-PowerVDFN	PowerFLAT™ (5x5)
PD84008L-E	STMicroelectronics	FET RF 25V 870MHZ	в производстве	LDMOS	870MHz	15.5dB	7.5V	7A	-	250mA	2W	25V	8-PowerVDFN	PowerFLAT™ (5x5)
RFM12U7X(TE12L,Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH PW-X	Discontinued at -	N-Channel	520MHz	10.8dB	7.2V	4A	-	750mA	12W	20V	TO-271AA	PW-X
MRF1518NT1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5	устарелый	LDMOS	520MHz	13dB	12.5V	4A	-	150mA	8W	40V	PLD-1.5	PLD-1.5

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ