1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретный полупроводник
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  5. Продукты

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

Ampleon
Broadcom Limited
CEL (California Eastern Laboratories)
Central Semiconductor
Infineon Technologies
IXYS Corporation
IXYS RF/Littelfuse
MACOM Technology Solutions
Microsemi
MicroWave Technology/Littelfuse
Nexperia
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
RFMD
Skyworks Solutions, Inc.
STMicroelectronics
Toshiba Semiconductor and Storage
Wolfspeed
номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип транзисторачастотаУсилениеНапряжение - испытаниеТекущий рейтингКоэффициент шумаТекущий - ТестВыходная мощностьНапряжение - Номинальное напряжениеУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
375-501N21A-00
 IXYS-RF RF MOSFET N-CHANNEL DE375 в производствеN-Channel
-
-
-
25A
-
-
940W500V6-SMD, Flat Lead Exposed PadDE375
150-501N04A-00
 IXYS-RF RF MOSFET N-CHANNEL DE150 в производствеN-Channel
-
-
-
4.5A
-
25µA200W500V6-SMD, Flat Lead Exposed PadDE150
BLM7G1822S-20PBGY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12121 в производствеLDMOS (Dual)2.17GHz32.3dB28V
-
-
-
2W65VSOT-1212-316-HSOP
150-102N02A-00
 IXYS-RF RF MOSFET N-CHANNEL DE150 в производствеN-Channel
-
-
-
2A
-
-
200W1000V6-SMD, Flat Lead Exposed PadDE150
MRF6S20010GNR1
 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 GW в производствеLDMOS2.17GHz15.5dB28V
-
-
130mA10W68VTO-270BATO-270-2 GULL
275X2-102N06A-00
 IXYS-RF RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 в производстве2 N-Channel (Dual)
-
-
-
8A
-
-
1180W1000V8-SMD, Flat Lead Exposed PadDE275
BLM8G0710S-45ABY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112 в производствеLDMOS (Dual)957.5MHz35dB28V
-
-
30mA3W65VSOT-1211-216-HSOPF
BLF9G38-10GU
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS SOT975C в производствеLDMOS3.4GHz ~ 3.8GHz
-
-
-
-
-
10W28VSOT-975CSOT-975C
BLM8G0710S-60PBY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112 в производствеLDMOS (Dual)957.5MHz36.2dB28V
-
-
60mA6W65VSOT-1211-216-HSOPF
PD57030S-E
 STMicroelectronics FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 в производствеLDMOS945MHz14dB28V4A
-
50mA30W65VPowerSO-10 Exposed Bottom PadPowerSO-10RF (Straight Lead)
BLM7G1822S-80PBY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122 в производствеLDMOS (Dual)2.17GHz28dB28V
-
-
80mA8W65VSOT-1211-216-HSOPF
BLF2425M9L30U
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135A в производствеLDMOS2.45GHz18.5dB32V
-
-
20mA30W65VSOT-1135ASOT1135A
CG2H40010F
 Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V 440166 в производствеHEMT8GHz16.5dB28V
-
-
100mA
-
120V440166440166
LET9045S
 STMicroelectronics TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A в производствеLDMOS960MHz17.5dB28V9A
-
300mA59W80VPowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)PowerSO-10RF (Straight Lead)
BLC2425M8LS300PZ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12501 в производствеLDMOS (Dual), Common Source2.45GHz17.5dB32V
-
-
20mA300W65VSOT1250-1DFM4
BLC9H10XS-300PZ
 Ampleon USA Inc. BLC9H10XS-300P/SOT1273/TRAYDP в производствеLDMOS600MHz ~ 960MHz21dB50V1.4µA
-
600mA300W108VSOT1273-1SOT1273-1
BLC8G09XS-400AVTZ
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS 32V SOT1258-7 в производствеLDMOS791MHz ~ 960MHz17dB32V2.8µA
-
880mA540W65VSOT-1258-7SOT-1258-7
BLC9G20XS-400AVTZ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 16.2DB SOT1258 в производствеLDMOS (Dual), Common Source1.81GHz ~ 1.88GHz16.2dB32V
-
-
800mA570W65VSOT-1258-4SOT1258-4
BLF8G22LS-270GV,12
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C в производствеLDMOS2.11GHz ~ 2.17GHz17.3dB28V
-
-
2.4A80W65VSOT-1244CCDFM6
BLF8G22LS-270U
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B в производствеLDMOS2.11GHz ~ 2.17GHz17.7dB28V
-
-
2.4A80W65VSOT-502BSOT502B
BLF8G20LS-400PGVQ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242C в производствеLDMOS (Dual), Common Source1.81GHz ~ 1.88GHz19dB28V
-
-
3.4A95W65VSOT-1242CCDFM8
BLF8G09LS-400PWU
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B в производствеLDMOS (Dual), Common Source718.5MHz ~ 725.5MHz20.6dB28V
-
-
3.4A95W65VSOT-1242BCDFM8
BLC9G20LS-361AVTZ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583 в производствеLDMOS (Dual), Common Source1.81GHz ~ 1.88GHz15.7dB28V
-
-
300mA360W65VSOT-1258-3DFM6
BLC10G22XS-400AVTZ
 Ampleon USA Inc. BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY в производствеLDMOS2.11GHz ~ 2.2GHz17dB28V2.8µA
-
800mA400W65VSOT-1258-4SOT1258-4
BLC10G18XS-360AVTZ
 Ampleon USA Inc. BLC10G18XS-360AV/SOT1258/TRAYD в производствеLDMOS1.805GHz ~ 1.88GHz18dB
-
-
-
-
-
-
SOT-1258-7SOT-1258-7
BLF8G09LS-400PGWQ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C в производствеLDMOS (Dual), Common Source718.5MHz ~ 725.5MHz20.6dB28V
-
-
3.4A95W65VSOT-1242CCDFM8
BLC10G27LS-320AVTZ
 Ampleon USA Inc. BLC10G27LS-320AV/SOT1258/TRAYD в производствеLDMOS2.5GHz ~ 2.7GHz16dB28V2.8µA
-
400mA320W65VSOT1258-1SOT1258-1
BLS6G2731-6G,112
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 60V 15DB SOT975C в производствеLDMOS2.7GHz ~ 3.1GHz15dB32V3.5A
-
25mA6W60VSOT-975CCDFM2
LET20030C
 STMicroelectronics FET RF 80V 2GHZ M243 устарелыйLDMOS2GHz13.9dB28V9A
-
400mA45W80VM243M243
BLC8G27LS-210PVZ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513 в производствеLDMOS (Dual), Common Source2.6GHz ~ 2.7GHz17dB28V
-
-
1.73A65W65VSOT-1251-38-DFM
BLC9H10XS-350AZ
 Ampleon USA Inc. BLC9H10XS-350A/SOT1273/TRAYDP в производствеLDMOS617MHz ~ 960MHz19.5dB50V1.4µA
-
400mA350W105VSOT1273-1SOT1273-1
BLC9G15XS-400AVTZ
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS 32V SOT1258-7 в производствеLDMOS1.452GHz ~ 1.511GHz16.5dB32V
-
-
-
400W
-
SOT-1258-7SOT-1258-7
CG2H80060D-GP4
 Cree/Wolfspeed RF DISCRETE в производстве
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
BLF182XRSU
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B в производствеLDMOS (Dual), Common Source108MHz28dB50V
-
-
100mA250W135VSOT-1121B
-
LET9060F
 STMicroelectronics MOSFET N-CH 80V 12A M-250 устарелыйLDMOS945MHz18dB28V12A
-
400mA75W80VM250M250
BLC10G18XS-550AVTZ
 Ampleon USA Inc. BLC10G18XS-550AVT/SOT1258/TRAY в производствеLDMOS (Dual), Common Source1.805GHz ~ 1.88GHz16dB28V2.8µA
-
800mA550W65VSOT-1258-4SOT1258-4
BLC9G15LS-400AVTZ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 16DB SOT12583 в производствеLDMOS (Dual), Common Source1452MHz ~ 1511MHz16.5dB32V
-
-
810mA540W65VSOT-1258-3SOT-1258-3
STAC2933
 STMicroelectronics MOSF RF N CH 130V 40A STAC177B в производствеN-Channel30MHz23.5dB50V40A
-
250mA400W130VSTAC177BSTAC177B
CG2H40025F
 Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V 440166 в производствеHEMT6GHz15dB28V
-
-
250mA
-
120V440166440166
STAC2943
 STMicroelectronics MOSF RF N CH 130V 40A STAC177B в производствеN-Channel30MHz25dB50V40A
-
250mA350W130VSTAC177BSTAC177B
BLF174XRS,112
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 28DB SOT1214B в производствеLDMOS (Dual), Common Source108MHz28.5dB50V
-
-
100mA600W110VSOT-1214BLDMOST
BLF8G10LS-300PU
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B в производствеLDMOS (Dual), Common Source760.5MHz ~ 800.5MHz20.5dB28V
-
-
2A65W65VSOT539BSOT539B
BLF184XRGQ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C в производствеLDMOS (Dual), Common Source108MHz23.9dB50V
-
-
100mA700W135VSOT-1214CLDMOST
BLF644PU
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A в производствеLDMOS (Dual), Common Source860MHz23.5dB32V
-
-
200mA100W65VSOT-1228ALDMOST
BLC9G20XS-550AVTZ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 15.4DB SOT12587 в производствеLDMOS (Dual), Common Source1.81GHz ~ 1.88GHz15.4dB28V
-
-
1.1A580W65VSOT-1258-7SOT-1258-7
BLF574XRS,112
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214B в производствеLDMOS (Dual), Common Source225MHz23.5dB50V
-
-
100mA600W110VSOT-1214BLDMOST
BLF188XRGJ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C в производствеLDMOS (Dual), Common Source108MHz24.4dB50V
-
-
40mA1400W135VSOT-1248CSOT1248C
BLS6G3135-20,112
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 60V 15.5DB SOT608A в производствеLDMOS3.1GHz ~ 3.5GHz15.5dB32V2.1A
-
50mA20W60VSOT-608ACDFM2
CG2H40045F
 Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V 440193 в производствеHEMT4GHz16dB28V
-
-
400mA
-
120V440193440193
MMRF1020-04NR3
 NXP USA Inc. FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4 в производствеLDMOS (Dual)920MHz19.5dB48V
-
-
860mA100W105VOM780-4OM780-4
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6
  7. 7
  8. 8
  9. 9
  10. 10
Email: sales@icchip.ru
Copyright © 2019 ICCHIP ® Все права защищены