Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ - Дискретный полупроводник - BLF888A,112 BLF178XR,112 CGHV59070F CGH40120F - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип транзистора	частота	Усиление	Напряжение - испытание	Текущий рейтинг	Коэффициент шума	Текущий - Тест	Выходная мощность	Напряжение - Номинальное напряжение	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
BLF888A,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	860MHz	21dB	50V	-	-	1.3A	600W	110V	SOT539A	SOT539A
BLF178XR,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 110V 28DB SOT539A	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	108MHz	28dB	50V	-	-	40mA	1400W	110V	SOT539A	SOT539A
CGHV59070F	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 50V 440224	в производстве	HEMT	4.4GHz ~ 5.9GHz	13.3dB	50V	-	-	150mA	76W	150V	440224	440224
CGH40120F	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 28V 440193	в производстве	HEMT	0Hz ~ 4GHz	19dB	28V	28A	-	1A	120W	84V	440193	440193
BLF578,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539A	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	225MHz	24dB	50V	88A	-	40mA	1200W	110V	SOT539A	SOT539A
CGHV40100F	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 50V 440193	в производстве	HEMT	0Hz ~ 3GHz	11dB	50V	8.7A	-	600mA	116W	125V	440193	440193
CGHV14250F	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 50V 440162	в производстве	HEMT	1.2GHz ~ 1.4GHz	18dB	50V	42mA	-	500mA	330W	125V	440162	440162
CGH40180PP	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 28V 440199	в производстве	HEMT	0Hz ~ 2.5GHz	19dB	28V	56A	-	2A	220W	84V	440199	440199
CGHV96050F2	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 40V 440210	в производстве	HEMT	7.9GHz ~ 9.6GHz	10dB	40V	6A	-	500mA	70W	100V	440210	440210
CGHV35400F	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 45V 440210	в производстве	HEMT	2.9GHz ~ 3.5GHz	11dB	45V	24A	-	500mA	455W	125V	440210	440210
CGHV31500F	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 50V 440217	в производстве	HEMT	2.7GHz ~ 3.1GHz	13.5dB	50V	24A	-	500mA	500W	125V	440217	440217
CGHV96100F2	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 40V 440210	в производстве	HEMT	7.9GHz ~ 9.6GHz	10.2dB	40V	12A	-	1A	131W	100V	440210	440210
MMBF5484	ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 5MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	400MHz	-	15V	5mA	4dB	-	-	25V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBF4416A	ON Semiconductor	JFET N-CH 35V 15MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	400MHz	-	15V	15mA	4dB	5mA	-	35V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBF4416	ON Semiconductor	JFET N-CH 30V 15MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	100MHz	18dB	15V	15mA	2dB	5mA	-	30V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BF2040E6814HTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143	устарелый	N-Channel	800MHz	23dB	5V	40mA	1.6dB	15mA	-	8V	TO-253-4, TO-253AA	PG-SOT143-4
J211-D74Z	ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 20MA TO92	в производстве	N-Channel JFET	-	-	-	20mA	-	-	-	25V	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TO-92-3
MMBFJ310	ON Semiconductor	RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23	в производстве	N-Channel JFET	450MHz	12dB	10V	60mA	3dB	10mA	-	25V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BF998E6327HTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143	устарелый	N-Channel	45MHz	28dB	8V	30mA	2.8dB	10mA	-	12V	TO-253-4, TO-253AA	PG-SOT143-4
MMBFJ309LT1G	ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 30MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	-	-	-	30mA	-	-	-	25V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ309	ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 30MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	450MHz	12dB	10V	30mA	3dB	10mA	-	25V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
2SK3557-7-TB-E	ON Semiconductor	JFET N-CH 15V 50MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	1kHz	-	5V	50mA	1dB	1mA	-	15V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-CP
BF256B	ON Semiconductor	JFET N-CH 30V 13MA TO92	в производстве	N-Channel JFET	-	-	-	13mA	-	-	-	30V	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
2N5486	Central Semiconductor Corp	JFET N-CH 25V 30MA TO92	в производстве	N-Channel JFET	400MHz	-	15V	30mA	4dB	4mA	-	25V	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92
MRF1513NT1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5	устарелый	LDMOS	520MHz	15dB	12.5V	2A	-	50mA	3W	40V	PLD-1.5	PLD-1.5
MRF1517NT1	NXP USA Inc.	FET RF 25V 520MHZ PLD-1.5	устарелый	LDMOS	520MHz	14dB	7.5V	4A	-	150mA	8W	25V	PLD-1.5	PLD-1.5
BLP8G27-5Z	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN	в производстве	LDMOS	2.14GHz	18dB	28V	-	-	55mA	750mW	65V	16-VDFN Exposed Pad	16-HVSON (6x4)
MW6S004NT1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5	в производстве	LDMOS	1.96GHz	18dB	28V	-	-	50mA	4W	68V	PLD-1.5	PLD-1.5
BLP7G22-10Z	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	2.14GHz	16dB	28V	-	-	110mA	2W	65V	12-VDFN Exposed Pad	12-HVSON (6x4)
BLP27M810Z	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	2.14GHz	17dB	28V	-	-	110mA	2W	65V	16-VDFN Exposed Pad	16-HVSON (6x4)
PD55008-E	STMicroelectronics	FET RF 40V 500MHZ PWRSO10	в производстве	LDMOS	500MHz	17dB	12.5V	4A	-	150mA	8W	40V	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	10-PowerSO
150-201N09A-00	IXYS-RF	RF MOSFET N-CHANNEL DE150	в производстве	N-Channel	-	-	-	9A	-	-	200W	200V	6-SMD, Flat Lead Exposed Pad	DE150
BLP10H605AZ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	860MHz	22.4dB	50V	-	-	30mA	5W	104V	12-VDFN Exposed Pad	12-HVSON (6x4)
BLP25M710Z	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	2.14GHz	16dB	28V	-	-	110mA	2W	65V	12-VDFN Exposed Pad	12-HVSON (6x4)
MRFE6VS25NR1	NXP USA Inc.	FET RF 133V 512MHZ TO270-2	в производстве	LDMOS	512MHz	25.4dB	50V	-	-	10mA	25W	133V	TO-270AA	TO-270-2
275-501N16A-00	IXYS-RF	RF MOSFET N-CHANNEL DE275	в производстве	N-Channel	-	-	-	16A	-	-	590W	500V	6-SMD, Flat Lead Exposed Pad	DE275
275-102N06A-00	IXYS-RF	RF MOSFET N-CHANNEL DE275	в производстве	N-Channel	-	-	-	8A	-	-	590W	1000V	6-SMD, Flat Lead Exposed Pad	DE275
PD57018-E	STMicroelectronics	FET RF 65V 945MHZ PWRSO10	в производстве	LDMOS	945MHz	16.5dB	28V	2.5A	-	100mA	18W	65V	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	10-PowerSO
CGHV1J006D-GP4	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 40V DIE	в производстве	HEMT	18GHz	17dB	40V	-	-	30mA	6W	100V	Die	Die
CGHV27015S	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 50V 12DFN	в производстве	HEMT	6GHz	21dB	50V	-	-	60mA	15W	125V	12-VFDFN Exposed Pad	12-DFN (4x3)
MRF136	M/A-Com Technology Solutions	FET RF 65V 400MHZ 211-07	в производстве	N-Channel	400MHz	16dB	28V	2.5A	1dB	25mA	15W	65V	211-07	211-07, Style 2
BLF6G27-10G,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C	в производстве	LDMOS	2.5GHz ~ 2.7GHz	19dB	28V	3.5A	-	130mA	2W	65V	SOT-975C	CDFM2
BLF6G27-10G,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C	в производстве	LDMOS	2.5GHz ~ 2.7GHz	19dB	28V	3.5A	-	130mA	2W	65V	SOT-975C	CDFM2
CGHV60040D-GP4	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 50V DIE	в производстве	HEMT	6GHz	17dB	50V	-	-	65mA	40W	150V	Die	Die
MRF6V2150NBR1	NXP USA Inc.	FET RF 110V 220MHZ TO-272-4	устарелый	LDMOS	220MHz	25dB	50V	-	-	450mA	150W	110V	TO-272BB	TO-272 WB-4
MRFE6VS25LR5	NXP USA Inc.	FET RF 133V 512MHZ NI360L	в производстве	LDMOS	512MHz	25.9dB	50V	-	-	10mA	25W	133V	NI-360	NI-360
MRFE6VP5300NR1	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270	в производстве	LDMOS (Dual)	230MHz	27dB	50V	-	-	100mA	300W	133V	TO-270AB	TO-270 WB-4
MRF148A	M/A-Com Technology Solutions	FET RF 120V 175MHZ 211-07	в производстве	N-Channel	30MHz ~ 175MHz	15dB ~ 18dB	50V	6A	-	100mA	30W	120V	211-07	211-07, Style 2
NPT35015D	M/A-Com Technology Solutions	HEMT N-CH 28V 18W 3300-3800MHZ	в производстве	HEMT	3.3GHz ~ 3.8GHz	10.5dB	28V	5A	-	200mA	1.7W	100V	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	8-PSOP2
BLC9G20XS-160AVZ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 16.6DB SOT12753	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	1.81GHz ~ 1.88GHz	16.6dB	30V	-	-	300mA	200W	65V	SOT1275-3	SOT1275-3

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ