Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ - Дискретный полупроводник - MRFE6VP100HR5 CGH60030D-GP4 BLC9G22XS-400AVTZ CGH27030F - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип транзистора	частота	Усиление	Напряжение - испытание	Текущий рейтинг	Коэффициент шума	Текущий - Тест	Выходная мощность	Напряжение - Номинальное напряжение	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
MRFE6VP100HR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780	в производстве	LDMOS	512MHz	26dB	50V	-	-	100mA	100W	133V	NI-780-4	NI-780-4
CGH60030D-GP4	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 28V DIE	в производстве	HEMT	6GHz	15dB	28V	-	-	250mA	30W	84V	Die	Die
BLC9G22XS-400AVTZ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 15.3DB SOT1258	в производстве	LDMOS	2.11GHz ~ 2.2GHz	15.3dB	32V	-	-	810mA	580W	65V	SOT-1258-4	SOT1258-4
CGH27030F	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 28V 440166	в производстве	HEMT	3GHz	14.5dB	28V	-	-	150mA	30W	84V	440166	440166
MRFE6VP6300HR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4	в производстве	LDMOS (Dual)	230MHz	26.5dB	50V	-	-	100mA	300W	130V	NI-780-4	NI-780-4
BLF6G10LS-200RN,11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B	в производстве	LDMOS	871.5MHz ~ 891.5MHz	20dB	28V	49A	-	1.4A	40W	65V	SOT-502B	SOT502B
BLF6G10LS-200RN:11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B	в производстве	LDMOS	871.5MHz ~ 891.5MHz	20dB	28V	49A	-	1.4A	40W	65V	SOT-502B	SOT502B
BLF2425M7L250P,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539A	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	2.45GHz	15dB	28V	-	-	20mA	250W	65V	SOT539A	SOT539A
BLF182XRU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	108MHz	28dB	50V	-	-	100mA	250W	135V	SOT-1121B	-
VRF2933	Microsemi Corporation	MOSFET RF POWER N-CH 50V 300W M177	в производстве	N-Channel	150MHz	25dB	50V	2mA	-	250mA	300W	170V	M177	M177
BLF174XR,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 110V 28DB SOT1214A	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	108MHz	28.5dB	50V	-	-	100mA	600W	110V	SOT-1214A	SOT1214A
BLF882U	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502A	в производстве	LDMOS	705MHz	20.6dB	50V	-	-	100mA	200W	104V	SOT-502A	LDMOST
BLF884PS,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121B	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	860MHz	21dB	50V	-	-	650mA	150W	104V	SOT-1121B	LDMOST
SD56120	STMicroelectronics	FET RF 65V 860MHZ M246	в производстве	LDMOS	860MHz	16dB	28V	14A	-	400mA	100W	65V	M246	M246
MRFE6VP5600HR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230	в производстве	LDMOS (Dual)	230MHz	25dB	50V	-	-	100mA	600W	130V	NI-1230	NI-1230
CGH09120F	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 28V 440095	в производстве	HEMT	2.5GHz	21.5dB	28V	-	-	1.2A	120W	84V	440095	440095
CGHV27200F	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 50V 440162	в производстве	HEMT	2.5GHz ~ 2.7GHz	15dB ~ 16dB	50V	12A	-	1A	200W	50V	440162	440162
BLF189XRAU	Ampleon USA Inc.	BLF189XRA/SOT539/TRAY	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	500MHz	26.2dB	50V	2.8µA	-	150mA	1700W	135V	SOT539A	SOT539A
MRF6VP11KHR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230	устарелый	LDMOS (Dual)	130MHz	26dB	50V	-	-	150mA	1000W	110V	NI-1230S-4 GW	NI-1230S-4 GULL
BLA6G1011-200R,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A	в производстве	LDMOS	1.03GHz ~ 1.09GHz	20dB	28V	49A	-	100mA	200W	65V	SOT-502A	LDMOST
BLS6G2731-120,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A	в производстве	LDMOS	2.7GHz ~ 3.1GHz	13.5dB	32V	33A	-	100mA	120W	60V	SOT-502A	LDMOST
CLF1G0035-100,112	Ampleon USA Inc.	RF FET HEMT 150V 12DB SOT467C	в производстве	HEMT	3GHz	12dB	50V	-	-	330mA	100W	150V	SOT467C	SOT467C
MRFX1K80HR5	NXP USA Inc.	RF MOSFET LDMOS 65V NI-1230H-4S	в производстве	LDMOS (Dual)	1.8MHz ~ 470MHz	24dB	65V	10µA	-	200mA	1800W	182V	NI-1230-4H	NI-1230-4H
CGH40090PP	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 28V 440199	в производстве	HEMT	0Hz ~ 4GHz	12.5dB	28V	28A	-	1A	100W	84V	440199	440199
CGHV40100P	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 50V 440206	в производстве	HEMT	0 ~ 4GHz	11dB	50V	8.7A	-	600mA	116W	125V	440206	440206
CGHV14800F	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 50V 440117	в производстве	HEMT	1.4GHz	14.5dB	50V	24A	-	800mA	900W	125V	440117	440117
BF1105R,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 7V 30MA SOT-143R	в производстве	N-Channel Dual Gate	800MHz	20dB	5V	30mA	1.7dB	-	-	7V	SOT-143R	SOT-143R
BF861B,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 25V 15MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	-	-	-	15mA	-	-	-	25V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BF861B,235	NXP USA Inc.	JFET N-CH 25V 15MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	-	-	-	15mA	-	-	-	25V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BF861C,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 25V 25MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	-	-	-	25mA	-	-	-	25V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BF510,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 20V 30MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	100MHz	-	10V	30mA	1.5dB	5mA	-	20V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BF545A,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 30V 6.5MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	-	-	-	6.5mA	-	-	-	30V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
AFT27S006NT1	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W	в производстве	LDMOS	2.17GHz	22dB	28V	-	-	70mA	28.8dBm	65V	PLD-1.5W	PLD-1.5W-2
AFT05MS031NR1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 520MHZ TO-270-2	в производстве	LDMOS	520MHz	17.7dB	13.6V	-	-	10mA	31W	40V	TO-270AA	TO-270-2
PD55015-E	STMicroelectronics	FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10	в производстве	LDMOS	500MHz	14dB	12.5V	5A	-	150mA	15W	40V	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	PowerSO-10RF (Formed Lead)
PD20015-E	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF POWER N-CH POWERSO-10RF	в производстве	LDMOS	2GHz	11dB	13.6V	7A	-	350mA	15W	40V	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	PowerSO-10RF (Formed Lead)
PD85035-E	STMicroelectronics	FET RF 40V 870MHZ	в производстве	LDMOS	870MHz	17dB	13.6V	8A	-	350mA	15W	40V	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	PowerSO-10RF (Formed Lead)
PD57030-E	STMicroelectronics	FET RF 65V 945MHZ PWRSO10	в производстве	LDMOS	945MHz	14dB	28V	4A	-	50mA	30W	65V	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	10-PowerSO
BLF8G22LS-270J	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B	в производстве	LDMOS	2.11GHz ~ 2.17GHz	17.7dB	28V	-	-	2.4A	80W	65V	SOT-502B	SOT502B
SD57060	STMicroelectronics	FET RF 65V 945MHZ M243	в производстве	LDMOS	945MHz	15dB	28V	7A	-	100mA	60W	65V	M243	M243
SD57060-01	STMicroelectronics	FET RF 65V 945MHZ M250	в производстве	LDMOS	945MHz	15dB	28V	7A	-	100mA	60W	65V	M250	M250
MRF151A	M/A-Com Technology Solutions	FET RF N-CH 50V 150W P-244	в производстве	N-Channel	30MHz ~ 175MHz	13dB ~ 22dB	50V	16A	-	250mA	150W	125V	P-244	P-244
CG2H80030D-GP4	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 28V DIE	в производстве	HEMT	8GHz	16.5dB	28V	-	-	200mA	30W	84V	Die	Die
CGH60060D-GP4	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 28V DIE	в производстве	HEMT	6GHz	13dB	28V	-	-	400mA	60W	84V	Die	Die
BLF882SU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502B	в производстве	LDMOS	705MHz	20.6dB	50V	-	-	100mA	200W	104V	SOT-502B	CDFM4
STAC4933	STMicroelectronics	MOSF RF N CH 200V 40A STAC177B	в производстве	N-Channel	30MHz	24dB	50V	40A	-	250mA	300W	200V	STAC177B	STAC177B
SD4933MR	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177	в производстве	N-Channel	30MHz	24dB	50V	40A	-	250mA	300W	200V	M177	M177
BLF184XRSU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214B	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	108MHz	23.9dB	50V	-	-	100mA	700W	135V	SOT-1214B	LDMOST
BLL8H0514L-130U	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A	в производстве	LDMOS	1.2GHz ~ 1.4GHz	17dB	50V	-	-	50mA	130W	100V	SOT-1135A	CDFM2
CGH60120D-GP4	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 28V DIE	в производстве	HEMT	6GHz	13dB	28V	-	-	1A	120W	84V	Die	Die

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ