1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретный полупроводник
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  5. Продукты

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

Ampleon
Broadcom Limited
CEL (California Eastern Laboratories)
Central Semiconductor
Infineon Technologies
IXYS Corporation
IXYS RF/Littelfuse
MACOM Technology Solutions
Microsemi
MicroWave Technology/Littelfuse
Nexperia
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
RFMD
Skyworks Solutions, Inc.
STMicroelectronics
Toshiba Semiconductor and Storage
Wolfspeed
номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип транзисторачастотаУсилениеНапряжение - испытаниеТекущий рейтингКоэффициент шумаТекущий - ТестВыходная мощностьНапряжение - Номинальное напряжениеУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
CLF1G0060S-30U
 Ampleon USA Inc. RF FET HEMT 150V 13DB SOT1227B в производствеHEMT3GHz ~ 3.5GHz13dB50V
-
-
70mA30W150VSOT-1227BSOT-1227B
MRF6VP3450HR5
 NXP USA Inc. FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230 в производствеLDMOS (Dual)860MHz22.5dB50V
-
-
1.4A90W110VNI-1230NI-1230
AFT31150NR5
 NXP USA Inc. RF MOSFET LDMOS 32V OM-780-2 в производствеLDMOS2.7GHz ~ 3.1GHz17.2dB32V10µA
-
100mA150W65VOM-780-2OM-780-2
CGHV40050F
 Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 50V 440193 в производствеHEMT0Hz ~ 4GHz12.5dB50V6.3A
-
300mA50W150V440193440193
BLL6H0514L-130,112
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A в производствеLDMOS1.2GHz ~ 1.4GHz17dB50V18A
-
50mA130W100VSOT-1135ACDFM2
MRF6V12250HR5
 NXP USA Inc. FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 в производствеLDMOS1.03GHz20.3dB50V
-
-
100mA275W100VNI-780NI-780
CLF1G0035S-100,112
 Ampleon USA Inc. RF FET HEMT 150V 12DB SOT467B в производствеHEMT3GHz12dB50V
-
-
330mA100W150VSOT467BLDMOST
BLF578XR,112
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539A в производствеLDMOS (Dual), Common Source225MHz23.5dB50V
-
-
40mA1400W110VSOT539ASOT539A
CGHV14500F
 Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 50V 440117 в производствеHEMT1.2GHz ~ 1.4GHz17dB50V36A
-
500mA500W125V440117440117
BF556A,215
 NXP USA Inc. JFET N-CH 30V 7MA SOT23 в производствеN-Channel JFET
-
-
-
7mA
-
-
-
30VTO-236-3, SC-59, SOT-23-3TO-236AB (SOT23)
BF556A,235
 NXP USA Inc. JFET N-CH 30V 7MA SOT23 в производствеN-Channel JFET
-
-
-
7mA
-
-
-
30VTO-236-3, SC-59, SOT-23-3TO-236AB (SOT23)
MMRF1014NT1
 NXP USA Inc. FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5 в производствеLDMOS1.96GHz18dB28V
-
-
50mA4W68VPLD-1.5PLD-1.5
AFT09MS031NR1
 NXP USA Inc. FET RF 40V 870MHZ TO-270-2 в производствеLDMOS870MHz17.2dB13.6V
-
-
500mA31W40VTO-270AATO-270-2
PD85025TR-E
 STMicroelectronics TRANSISTOR RF N-CH FET POWERSO-10RF в производствеLDMOS870MHz17.3dB13.6V7A
-
300mA10W40VPowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)PowerSO-10RF (Formed Lead)
PD55025S-E
 STMicroelectronics FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 в производствеLDMOS500MHz14.5dB12.5V7A
-
200mA25W40VPowerSO-10 Exposed Bottom PadPowerSO-10RF (Straight Lead)
MRF6V2150NR1
 NXP USA Inc. FET RF 110V 220MHZ TO-270-4 устарелыйLDMOS220MHz25dB50V
-
-
450mA150W110VTO-270ABTO-270 WB-4
BLP8G10S-270PWY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212 в производствеLDMOS (Dual), Common Source718.5MHz ~ 765.5MHz20dB28V
-
-
2A56W65VSOT-1221-26-HSOPF
MMRF1305HR5
 NXP USA Inc. FET RF 2CH 133V 512MHZ NI-780-4 в производствеLDMOS (Dual)512MHz26dB50V
-
-
100mA100W133VNI-780-4NI-780-4
BLF8G20LS-400PGVJ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242C в производствеLDMOS (Dual), Common Source1.81GHz ~ 1.88GHz19dB28V
-
-
3.4A95W65VSOT-1242CCDFM8
BLF8G22LS-270GVJ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C в производствеLDMOS2.11GHz ~ 2.17GHz17.3dB28V
-
-
2.4A80W65VSOT-1244CCDFM6
BLC9G20LS-361AVTY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583 в производствеLDMOS (Dual), Common Source1.81GHz ~ 1.88GHz15.7dB28V
-
0.6dB300mA360W65VSOT-1258-3DFM6
BLF9G20LS-160VU
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19.8DB SOT1120B в производствеLDMOS1.81GHz ~ 1.88GHz19.8dB28V
-
-
800mA35.5W65VSOT-1120BLDMOST
BLF8G20LS-230VU
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B в производствеLDMOS1.81GHz ~ 1.88GHz18dB28V
-
-
1.8A55W65VSOT-1239BCDFM6
BLC8G27LS-210PVY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513 в производствеLDMOS (Dual), Common Source2.6GHz ~ 2.7GHz17dB28V
-
-
1.73A65W65VSOT-1251-38-DFM
MRFE6VP6600NR3
 NXP USA Inc. TRANSISTOR RF LDMOS 600W 50V в производствеLDMOS (Dual)230MHz24.7dB50V
-
-
100mA600W133VOM780-4OM780-4
BLF8G20LS-400PVU
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B в производствеLDMOS (Dual), Common Source1.81GHz ~ 1.88GHz19dB28V
-
-
3.4A95W65VSOT-1242BCDFM8
BLF7G20LS-200,118
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B в производствеLDMOS1.81GHz ~ 1.88GHz18dB28V
-
-
1.62A55W65VSOT-502BSOT502B
BLF7G10LS-250,118
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B в производствеLDMOS920MHz ~ 960MHz19.5dB30V
-
-
1.8A60W65VSOT-502BSOT502B
BLF8G10LS-300PJ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B в производствеLDMOS (Dual), Common Source760.5MHz ~ 800.5MHz20.5dB28V
-
-
2A65W65VSOT539BSOT539B
VRF3933
 Microsemi Corporation MOSF RF N CH 250V 20A M177 устарелыйN-Channel30MHz22dB100V20A
-
250mA300W250VM177M177
BLF573S,112
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B в производствеLDMOS225MHz27.2dB50V42A
-
900mA300W110VSOT-502BSOT502B
ARF476FL
 Microsemi Corporation RF FET N CH 500V 10A PSH PUL PR в производстве2 N-Channel (Dual) Common Source128MHz16dB150V10A
-
15mA900W500V
-
-
BLF183XRSU
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B в производствеLDMOS (Dual), Common Source108MHz28dB50V
-
-
100mA350W135VSOT-1121BLDMOST
CGHV22100F
 Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 50V 440162 в производствеHEMT1.8GHz ~ 2.2GHz20dB50V6A
-
500mA100W125V440162440162
BLL8H0514LS-130U
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B в производствеLDMOS1.2GHz ~ 1.4GHz17dB50V
-
-
50mA130W100VSOT-1135BCDFM2
MRF6VP3450HR6
 NXP USA Inc. FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230 устарелыйLDMOS (Dual)860MHz22.5dB50V
-
-
1.4A90W110VNI-1230NI-1230
ARF1501
 Microsemi Corporation MOSFET RF N-CH 1000V 30A T1 в производствеN-Channel27.12MHz17dB250V30A
-
-
750W1000VT-1T-1
BLF888DSU
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B в производствеLDMOS860MHz21dB50V
-
-
1.3A250W104VSOT539BSOT539B
CGHV40320D-GP4
 Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 50V DIE в производствеHEMT4GHz19dB50V
-
-
500mA320W150VDieDie
BLF1721M8LS200U
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B в производствеLDMOS2.11GHz ~ 2.17GHz19dB28V
-
-
2A55W65VSOT-502BSOT502B
BLL8H1214L-250U
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A в производствеLDMOS1.2GHz ~ 1.4GHz17dB50V
-
-
100mA250W100VSOT-502ALDMOST
BLA6G1011L-200RG,1
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D в производствеLDMOS1.03GHz ~ 1.09GHz20dB28V49A
-
100mA200W65VSOT-502DLDMOST
MMRF1312HSR5
 NXP USA Inc. TRANSISTOR 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V в производствеLDMOS (Dual)1.034GHz19.6dB50V
-
-
100mA1000W112VNI-1230-4SNI-1230-4S
BLS7G3135L-350P,11
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539A в производствеLDMOS (Dual), Common Source3.5GHz10dB32V
-
-
200mA320W65VSOT539ASOT539A
SMMBFJ310LT1G
 ON Semiconductor RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 в производствеN-Channel JFET
-
12dB10V60mA
-
10mA
-
25VTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
SMMBFJ310LT3G
 ON Semiconductor RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 в производствеN-Channel JFET
-
12dB10V60mA
-
10mA
-
25VTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
SMMBFJ309LT1G
 ON Semiconductor JFET N-CH 25V 30MA SOT23 в производствеN-Channel JFET
-
-
-
30mA
-
-
-
25VTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
BLP25M705Z
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN в производствеLDMOS2.14GHz16dB28V
-
-
55mA1W65V12-VDFN Exposed Pad12-HVSON (6x4)
150-101N09A-00
 IXYS-RF RF MOSFET N-CHANNEL DE150 в производствеN-Channel
-
-
-
9A
-
-
200W100V6-SMD, Flat Lead Exposed PadDE150
375-102N12A-00
 IXYS-RF RF MOSFET N-CHANNEL DE375 в производствеN-Channel
-
-
-
12A
-
-
940W1000V6-SMD, Flat Lead Exposed PadDE375
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6
  7. 7
  8. 8
  9. 9
  10. 10
Email: sales@icchip.ru
Copyright © 2019 ICCHIP ® Все права защищены