Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы - Дискретный полупроводник - FDS6910 SI7272DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 SI7998DP-T1-GE3 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Функция FET	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Мощность - макс.	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
FDS6910	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	30V	7.5A	13 mOhm @ 7.5A, 10V	3V @ 250µA	24nC @ 10V	1130pF @ 15V	900mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO
SI7272DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	30V	25A	9.3 mOhm @ 15A, 10V	2.5V @ 250µA	26nC @ 10V	1100pF @ 15V	22W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8 Dual	PowerPAK® SO-8 Dual
SI7288DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	40V	20A	19 mOhm @ 10A, 10V	2.8V @ 250µA	15nC @ 10V	565pF @ 20V	15.6W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8 Dual	PowerPAK® SO-8 Dual
SI7998DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	30V	25A, 30A	9.3 mOhm @ 15A, 10V	2.5V @ 250µA	26nC @ 10V	1100pF @ 15V	22W, 40W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8 Dual	PowerPAK® SO-8 Dual
SI4618DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC	в производстве	2 N-Channel (Half Bridge)	Standard	30V	8A, 15.2A	17 mOhm @ 8A, 10V	2.5V @ 1mA	44nC @ 10V	1535pF @ 15V	1.98W, 4.16W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO
ZXMN6A25DN8TA	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	3.8A	50 mOhm @ 3.6A, 10V	1V @ 250µA (Min)	20.4nC @ 10V	1063pF @ 30V	1.8W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOP
FDS6890A	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	7.5A	18 mOhm @ 7.5A, 4.5V	1.5V @ 250µA	32nC @ 4.5V	2130pF @ 10V	900mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO
SH8K32TB1	Rohm Semiconductor	MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8	устарелый	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	4.5A	65 mOhm @ 4.5A, 10V	2.5V @ 1mA	10nC @ 5V	500pF @ 10V	2W	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOP (5.0x6.0)
FDS6911	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	7.5A	13 mOhm @ 7.5A, 10V	3V @ 250µA	24nC @ 10V	1130pF @ 15V	900mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO
CSD87352Q5D	Texas Instruments	MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SON	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	30V	25A	-	1.15V @ 250µA	12.5nC @ 4.5V	1800pF @ 15V	8.5W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-PowerLDFN	8-LSON (5x6)
IRF7351TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	8A	17.8 mOhm @ 8A, 10V	4V @ 50µA	36nC @ 10V	1330pF @ 30V	2W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO
FDS3890	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	80V	4.7A	44 mOhm @ 4.7A, 10V	4V @ 250µA	35nC @ 10V	1180pF @ 40V	900mW	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO
SI7949DP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	3.2A	64 mOhm @ 5A, 10V	3V @ 250µA	40nC @ 10V	-	1.5W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8 Dual	PowerPAK® SO-8 Dual
SQJ963EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Standard	60V	8A (Tc)	85 mOhm @ 3.5A, 10V	2.5V @ 250µA	40nC @ 10V	1140pF @ 30V	27W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8 Dual	PowerPAK® SO-8 Dual
SI7922DN-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	100V	1.8A	195 mOhm @ 2.5A, 10V	3.5V @ 250µA	8nC @ 10V	-	1.3W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® 1212-8 Dual	PowerPAK® 1212-8 Dual
SI4204DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	20V	19.8A	4.6 mOhm @ 10A, 10V	2.4V @ 250µA	45nC @ 10V	2110pF @ 10V	3.25W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO
CSD87333Q3DT	Texas Instruments	MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON	в производстве	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical	Logic Level Gate, 5V Drive	30V	15A	14.3 mOhm @ 4A, 8V	1.2V @ 250µA	4.6nC @ 4.5V	662pF @ 15V	6W	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-PowerTDFN	8-VSON (3.3x3.3)
CSD86330Q3D	Texas Instruments	MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON	в производстве	2 N-Channel (Half Bridge)	Logic Level Gate	25V	20A	9.6 mOhm @ 14A, 8V	2.1V @ 250µA	6.2nC @ 4.5V	920pF @ 12.5V	6W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-PowerLDFN	8-LSON (3.3x3.3)
CSD87588NT	Texas Instruments	MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB	в производстве	2 N-Channel (Half Bridge)	Logic Level Gate	30V	25A	9.6 mOhm @ 15A, 10V	1.9V @ 250µA	4.1nC @ 4.5V	736pF @ 15V	6W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	5-LGA	5-PTAB (5x3.5)
SI7220DN-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	3.4A	60 mOhm @ 4.8A, 10V	3V @ 250µA	20nC @ 10V	-	1.3W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® 1212-8 Dual	PowerPAK® 1212-8 Dual
TC6320TG-G	Microchip Technology	MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC	в производстве	N and P-Channel	Standard	200V	-	7 Ohm @ 1A, 10V	2V @ 1mA	-	110pF @ 25V	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC
SI7997DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Standard	30V	60A	5.5 mOhm @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	160nC @ 10V	6200pF @ 15V	46W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8 Dual	PowerPAK® SO-8 Dual
ZXMP6A18DN8TA	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	3.7A	55 mOhm @ 3.5A, 10V	1V @ 250µA (Min)	44nC @ 10V	1580pF @ 30V	1.8W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOP
SI4904DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	40V	8A	16 mOhm @ 5A, 10V	2V @ 250µA	85nC @ 10V	2390pF @ 20V	3.25W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO
SI4904DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	40V	8A	16 mOhm @ 5A, 10V	2V @ 250µA	85nC @ 10V	2390pF @ 20V	3.25W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO
CSD87350Q5D	Texas Instruments	MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	30V	40A	5.9 mOhm @ 20A, 8V	2.1V @ 250µA	10.9nC @ 4.5V	1770pF @ 15V	12W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-PowerLDFN	8-LSON (5x6)
CSD87353Q5D	Texas Instruments	MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON	в производстве	2 N-Channel (Half Bridge)	Logic Level Gate	30V	40A	3.4 Ohm @ 4.5V	2.1V @ 250µA	19nC @ 4.5V	3190pF @ 15V	12W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-PowerLDFN	8-LSON (5x6)
FDPC8012S	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A POWER CLP	в производстве	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical	Logic Level Gate	25V	13A, 26A	7 mOhm @ 12A, 4.5V	2.2V @ 250µA	8nC @ 4.5V	1075pF @ 13V	800mW, 900mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-PowerWDFN	Powerclip-33
SI7956DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	150V	2.6A	105 mOhm @ 4.1A, 10V	4V @ 250µA	26nC @ 10V	-	1.4W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8 Dual	PowerPAK® SO-8 Dual
FDPC8011S	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN	в производстве	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical	Logic Level Gate	25V	13A, 27A	6 mOhm @ 13A, 10V	2.2V @ 250µA	19nC @ 10V	1240pF @ 13V	800mW, 900mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-PowerWDFN	Powerclip-33
FDPC4044	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 8MLP	в производстве	2 N-Channel (Dual) Common Drain	Logic Level Gate	-	-	4.3 mOhm @ 27A, 10V	3V @ 250µA	49nC @ 10V	3215pF @ 15V	1W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-PowerWDFN	Powerclip-33
CSD88584Q5DCT	Texas Instruments	MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP	в производстве	2 N-Channel (Half Bridge)	Standard	40V	-	0.95 mOhm @ 30A, 10V	2.3V @ 250µA	88nC @ 4.5V	12400pF @ 20V	12W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	22-PowerTFDFN	22-VSON-CLIP (5x6)
EPC2100	EPC	TRANSISTOR GAN ASYMMETRICAL HALF BRID	в производстве	2 N-Channel (Half Bridge)	GaNFET (Gallium Nitride)	30V	10A (Ta), 40A (Ta)	8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V	2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA	4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V	475pF @ 15V, 1960pF @ 15V	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	Die	Die
EPC2103ENGRT	EPC	TRANSISTOR GAN SYM HALF BRDG 80V	в производстве	2 N-Channel (Half Bridge)	GaNFET (Gallium Nitride)	80V	23A	5.5 mOhm @ 20A, 5V	2.5V @ 7mA	6.5nC @ 5V	7600pF @ 40V	-	-	SMD Поверхностный монтаж	Die	Die
APTM10AM02FG	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6	в производстве	2 N-Channel (Half Bridge)	Standard	100V	495A	2.5 mOhm @ 200A, 10V	4V @ 10mA	1360nC @ 10V	40000pF @ 25V	1250W	-40°C ~ 150°C (TJ)	Chassis Mount	SP6	SP6
CAS325M12HM2	Cree/Wolfspeed	MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE	в производстве	2 N-Channel (Half Bridge)	Silicon Carbide (SiC)	1200V (1.2kV)	444A (Tc)	4.3 mOhm @ 400A, 20V	4V @ 105mA	1127nC @ 20V	-	3000W	175°C (TJ)	-	Module	Module
VT6M1T2CR	Rohm Semiconductor	MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6	в производстве	N and P-Channel	Logic Level Gate, 1.2V Drive	20V	100mA	3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V	1V @ 100µA	-	7.1pF @ 10V	120mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-SMD, Flat Leads	VMT6
DMC2400UV-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 20V SOT563	в производстве	N and P-Channel	Standard	20V	1.03A, 700mA	480 mOhm @ 200mA, 5V	900mV @ 250µA	0.5nC @ 4.5V	37.1pF @ 10V	450mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-563
EM6K34T2CR	Rohm Semiconductor	MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate, 0.9V Drive	50V	200mA	2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V	800mV @ 1mA	-	26pF @ 10V	120mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	EMT6
NX3020NAKV,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	30V	200mA	4.5 Ohm @ 100mA, 10V	1.5V @ 250µA	0.44nC @ 4.5V	13pF @ 10V	375mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-666
UM6K34NTCN	Rohm Semiconductor	MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate, 0.9V Drive	50V	200mA	2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V	800mV @ 1mA	-	26pF @ 10V	120mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
2N7002PS,125	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	320mA	1.6 Ohm @ 500mA, 10V	2.4V @ 250µA	0.8nC @ 4.5V	50pF @ 10V	420mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
FC6946010R	Panasonic Electronic Components	MOSFET 2N-CH 60V 0.1A SSMINI6	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	100mA	12 Ohm @ 10mA, 4V	1.5V @ 1µA	-	12pF @ 3V	125mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SSMini6-F3-B
FC6943010R	Panasonic Electronic Components	MOSFET 2N-CH 30V 0.1A SSMINI6	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	30V	100mA	8 Ohm @ 10mA, 4V	1.5V @ 1µA	-	12pF @ 3V	125mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SSMini6-F3-B
2N7002DW-TP	Micro Commercial Co	MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	60V	115mA	7.5 Ohm @ 50mA, 5V	2V @ 250µA	-	50pF @ 25V	200mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
2N7002BKV,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	340mA	1.6 Ohm @ 500mA, 10V	2.1V @ 250µA	0.6nC @ 4.5V	50pF @ 10V	350mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-666
DMN62D0UDW-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.35A	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	60V	350mA	2 Ohm @ 100mA, 4.5V	1V @ 250µA	0.5nC @ 4.5V	32pF @ 30V	320mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
BSS138BKS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	320mA	1.6 Ohm @ 320mA, 10V	1.6V @ 250µA	0.7nC @ 4.5V	56pF @ 10V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
BSD223PH6327XTSA1	Infineon Technologies	MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	390mA	1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V	1.2V @ 1.5µA	0.62nC @ 4.5V	56pF @ 15V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-6
NX3008NBKV,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT666	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	30V	400mA	1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V	1.1V @ 250µA	0.68nC @ 4.5V	50pF @ 15V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-666

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы