Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы - Дискретный полупроводник - NX3008PBKV,115 UM6K31NTN DMP3085LSD-13 BSD235NH6327XTSA1 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Функция FET	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Мощность - макс.	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
NX3008PBKV,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 30V 0.22A SOT666	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	30V	220mA	4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V	1.1V @ 250µA	0.72nC @ 4.5V	46pF @ 15V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-666
UM6K31NTN	Rohm Semiconductor	MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate, 2.5V Drive	60V	250mA	2.4 Ohm @ 250mA, 10V	2.3V @ 1mA	-	15pF @ 25V	150mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMP3085LSD-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	30V	3.9A	70 mOhm @ 5.3A, 10V	3V @ 250µA	11nC @ 10V	563pF @ 25V	1.1W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO
BSD235NH6327XTSA1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	950mA	350 mOhm @ 950mA, 4.5V	1.2V @ 1.6µA	0.32nC @ 4.5V	63pF @ 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-6
DMN2990UDJ-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	450mA	990 mOhm @ 100mA, 4.5V	1V @ 250µA	0.5nC @ 4.5V	27.6pF @ 16V	350mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-963	SOT-963
PMCXB900UELZ	Nexperia USA Inc.	20 V COMPLEMENTARY N/P-CHANNEL	в производстве	N and P-Channel Complementary	Standard	20V	600mA	620 mOhm @ 600mA, 4.5V	950mV @ 250µA	0.7nC @ 4.5V	21.3pF @ 10V	380mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-XFDFN Exposed Pad	DFN1010B-6
BSS84AKV,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	50V	170mA	7.5 Ohm @ 100mA, 10V	2.1V @ 250µA	0.35nC @ 5V	36pF @ 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-666
UM6K1NTN	Rohm Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363	устарелый	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	30V	100mA	8 Ohm @ 10mA, 4V	1.5V @ 100µA	-	13pF @ 5V	150mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMG1026UV-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	410mA	1.8 Ohm @ 500mA, 10V	1.8V @ 250µA	0.45nC @ 10V	32pF @ 25V	580mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-563
2N7002VC-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	60V	280mA	7.5 Ohm @ 50mA, 5V	2.5V @ 250µA	-	50pF @ 25V	150mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-563
PMDT290UNE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	800mA	380 mOhm @ 500mA, 4.5V	950mV @ 250µA	0.68nC @ 4.5V	83pF @ 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-666
DMN2004VK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	540mA	550 mOhm @ 540mA, 4.5V	1V @ 250µA	-	150pF @ 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-563
DMP210DUDJ-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	200mA	5.5 Ohm @ 100mA, 4.5V	1.15V @ 250µA	-	27.44pF @ 15V	330mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-963	SOT-963
EM6K7T2R	Rohm Semiconductor	MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	200mA	1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V	1V @ 1mA	-	25pF @ 10V	150mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	EMT6
SI1023CX-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 20V SC89-6	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	-	756 mOhm @ 350mA, 4.5V	1V @ 250µA	2.5nC @ 4.5V	45pF @ 10V	220mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SC-89-6
BSS84V-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT-563	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	50V	130mA	10 Ohm @ 100mA, 5V	2V @ 1mA	-	45pF @ 25V	150mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-563
DMN1029UFDB-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	12V	5.6A	29 mOhm @ 5A, 4.5V	1V @ 250µA	19.6nC @ 8V	914pF @ 6V	1.4W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-UDFN Exposed Pad	U-DFN2020-6 (Type B)
SSM6N58NU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate, 1.8V Drive	30V	4A	84 mOhm @ 2A, 4.5V	1V @ 1mA	1.8nC @ 4.5V	129pF @ 15V	1W	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-WDFN Exposed Pad	6-UDFN (2x2)
AO4629	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC	в производстве	N and P-Channel, Common Drain	Logic Level Gate	30V	6A, 5.5A	30 mOhm @ 6A, 10V	2.4V @ 250µA	6.3nC @ 10V	310pF @ 15V	2W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC
ECH8697R-TL-W	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT-28	в производстве	2 N-Channel (Dual) Common Drain	Logic Level Gate, 2.5V Drive	24V	10A	11.6 mOhm @ 5A, 4.5V	-	6nC @ 4.5V	-	1.5W	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SMD, Flat Lead	SOT-28FL/ECH8
SSM6N57NU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	30V	4A	46 mOhm @ 2A, 4.5V	1V @ 1mA	4nC @ 4.5V	310pF @ 10V	1W	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-WDFN Exposed Pad	6-µDFN(2x2)
TT8M1TR	Rohm Semiconductor	MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8	в производстве	N and P-Channel	Logic Level Gate, 1.5V Drive	20V	2.5A	72 mOhm @ 2.5A, 4.5V	1V @ 1mA	3.6nC @ 4.5V	260pF @ 10V	1W	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SMD, Flat Lead	8-TSST
DMN5L06DMK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-26	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	50V	305mA	2 Ohm @ 50mA, 5V	1V @ 250µA	-	50pF @ 25V	400mW	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-6	SOT-26
DMN601DMK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	510mA	2.4 Ohm @ 200mA, 10V	2.5V @ 1mA	304nC @ 4.5V	50pF @ 25V	700mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-6	SOT-26
DMN32D2LV-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	30V	400mA	1.2 Ohm @ 100mA, 4V	1.2V @ 250µA	-	39pF @ 3V	400mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-563
MCH6661-TL-W	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V 1.8A SOT363	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate, 4V Drive	30V	1.8A	188 mOhm @ 900mA, 10V	2.6V @ 1mA	2nC @ 10V	88pF @ 10V	800mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-SMD, Flat Leads	SC-88FL/MCPH6
UM6J1NTN	Rohm Semiconductor	MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	30V	200mA	1.4 Ohm @ 200mA, 10V	2.5V @ 1mA	-	30pF @ 10V	150mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
AO4630	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC	в производстве	N and P-Channel Complementary	-	30V	5A, 7A	28 mOhm @ 7A, 10V	1.45V @ 250µA	20nC @ 10V	670pF @ 15V	2W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO
SSM6P49NU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	4A	45 mOhm @ 3.5A, 10V	1.2V @ 1mA	6.74nC @ 4.5V	480pF @ 10V	1W	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-WDFN Exposed Pad	6-UDFN (2x2)
SQ1922EEH-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 20V SC70-6	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	20V	840mA (Tc)	350 mOhm @ 400mA, 4.5V	1.5V @ 250µA	1.2nC @ 4.5V	50pF @ 10V	1.5W	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-70-6
SIA922EDJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	30V	4.5A	64 mOhm @ 3A, 4.5V	1.4V @ 250µA	12nC @ 10V	-	7.8W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SC-70-6 Dual	PowerPAK® SC-70-6 Dual
DMG9926USD-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	8A	24 mOhm @ 8.2A, 4.5V	900mV @ 250µA	8.8nC @ 4.5V	867pF @ 15V	1.3W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOP
DMG6968UDM-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26	в производстве	2 N-Channel (Dual) Common Drain	Logic Level Gate	20V	6.5A	24 mOhm @ 6.5A, 4.5V	900mV @ 250µA	8.8nC @ 4.5V	143pF @ 10V	850mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-6	SOT-26
SI1034X-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89-6	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	180mA	5 Ohm @ 200mA, 4.5V	1.2V @ 250µA	0.75nC @ 4.5V	-	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SC-89-6
SI1035X-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 20V SC-89	в производстве	N and P-Channel	Logic Level Gate	20V	180mA, 145mA	5 Ohm @ 200mA, 4.5V	400mV @ 250µA (Min)	0.75nC @ 4.5V	-	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SC-89-6
PMDPB58UPE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	3.6A	67 mOhm @ 2A, 4.5V	950mV @ 250µA	9.5nC @ 4.5V	804pF @ 10V	515mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-UDFN Exposed Pad	DFN2020-6
PMCPB5530X,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON	в производстве	N and P-Channel	Logic Level Gate	20V	5.3A, 3.4A	34 mOhm @ 3A, 4.5V	900mV @ 250µA	21.7nC @ 4.5V	660pF @ 10V	490mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-UDFN Exposed Pad	DFN2020-6
DMN61D8LVT-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	630mA	1.8 Ohm @ 150mA, 5V	2V @ 1mA	0.74nC @ 5V	12.9pF @ 12V	820mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TSOT-26
DMN3032LFDBQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	30V	6.2A	30 mOhm @ 5.8A, 10V	2V @ 250µA	10.6nC @ 10V	500pF @ 15V	1W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-UDFN Exposed Pad	U-DFN2020-6 (Type B)
SI1965DH-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	12V	1.3A	390 mOhm @ 1A, 4.5V	1V @ 250µA	4.2nC @ 8V	120pF @ 6V	1.25W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-70-6 (SOT-363)
AO4614B	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC	в производстве	N and P-Channel	Logic Level Gate	40V	6A, 5A	30 mOhm @ 6A, 10V	3V @ 250µA	10.8nC @ 10V	650pF @ 20V	2W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO
DMN3018SSD-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	30V	6.7A	22 mOhm @ 10A, 10V	2.1V @ 250µA	13.2nC @ 10V	697pF @ 15V	1.5W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO
SQ3989EV-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2 P-CH 30V 2.5A 6TSOP	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Standard	30V	2.5A (Tc)	155 mOhm @ 400mA, 10V	1.5V @ 250µA	11.1nC @ 10V	-	1.67W	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	6-TSOP
DMN6070SSD-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	3.3A	80 mOhm @ 12A, 10V	3V @ 250µA	12.3nC @ 10V	588pF @ 30V	1.2W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO
PMDXB600UNEZ	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	600mA	620 mOhm @ 600mA, 4.5V	950mV @ 250µA	0.7nC @ 4.5V	21.3pF @ 10V	265mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-XFDFN Exposed Pad	6-DFN (1.1x1)
NTHD4508NT1G	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	3A	75 mOhm @ 3.1A, 4.5V	1.2V @ 250µA	4nC @ 4.5V	180pF @ 10V	1.13W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SMD, Flat Lead	ChipFET™
PMCXB900UE	Nexperia USA Inc.	MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN	в производстве	N and P-Channel Complementary	Logic Level Gate	20V	600mA, 500mA	620 mOhm @ 600mA, 4.5V	950mV @ 250µA	0.7nC @ 4.5V	21.3pF @ 10V	265mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-XFDFN Exposed Pad	6-DFN (1.1x1)
PMCXB900UEZ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN	в производстве	N and P-Channel Complementary	Logic Level Gate	20V	600mA, 500mA	620 mOhm @ 600mA, 4.5V	950mV @ 250µA	0.7nC @ 4.5V	21.3pF @ 10V	265mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-XFDFN Exposed Pad	6-DFN (1.1x1)
CSD75208W1015	Texas Instruments	MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP	в производстве	2 P-Channel (Dual) Common Source	Logic Level Gate	20V	1.6A	68 mOhm @ 1A, 4.5V	1.1V @ 250µA	2.5nC @ 4.5V	410pF @ 10V	750mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-UFBGA, DSBGA	6-DSBGA
US6K4TR	Rohm Semiconductor	MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	1.5A	180 mOhm @ 1.5A, 4.5V	1V @ 1mA	2.5nC @ 4.5V	110pF @ 10V	1W	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-SMD, Flat Leads	TUMT6

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы