Diodes Incorporated агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные - DMN2400UFDQ-13 DMG2302UQ-7 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Технологии	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (Макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Функция FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Пакет устройств поставщика	Упаковка / чехол
DMN2400UFDQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	900mA (Ta)	1.5V, 4.5V	600 mOhm @ 200mA, 4.5V	1V @ 250µA	0.5nC @ 4.5V	±12V	37pF @ 16V	-	400mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	U-DFN1212-3	3-UDFN
DMG2302UQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	4.2A (Ta)	2.5V, 4.5V	90 mOhm @ 3.6A, 4.5V	1V @ 50µA	7nC @ 4.5V	±8V	594.3pF @ 10V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG6968UQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	6.5A (Ta)	1.8V, 4.5V	25 mOhm @ 6.5A, 4.5V	900mV @ 250µA	8.5nC @ 4.5V	±12V	151pF @ 10V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2400UFDQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	900mA (Ta)	1.5V, 4.5V	600 mOhm @ 200mA, 4.5V	1V @ 250µA	0.5nC @ 4.5V	±12V	37pF @ 16V	-	400mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	U-DFN1212-3	3-UDFN
DMTH10H030LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 100V 28A TO252	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	28A (Tc)	6V, 10V	30 mOhm @ 20A, 10V	3.5V @ 250µA	33.3nC @ 10V	±20V	1871pF @ 50V	-	2.1W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252-4L	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
ZXMN3A02N8TC	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 8SOIC	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	7.3A (Ta)	4.5V, 10V	25 mOhm @ 12A, 10V	1V @ 250µA	26.8nC @ 10V	±20V	1400pF @ 25V	-	1.56W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ZXMP6A16GTA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH SOT223	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	-
DMP2036UVT-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V TSOT26	Preliminary	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DMP2040UVT-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V TSOT26	Preliminary	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DMP2040UVT-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V TSOT26	Preliminary	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DMP2110U-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V SOT23-3	Preliminary	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	3.5A (Ta)	2.5V, 4.5V	80 mOhm @ 2.8A, 4.5V	1V @ 250µA	6nC @ 4.5V	±10V	443pF @ 10V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2541UCB9-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 25V 9UWLB	Preliminary	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	25V	3.9A (Ta)	1.8V, 4.5V	40 mOhm @ 2A, 4.5V	1.1V @ 250µA	7nC @ 4.5V	-6V	850pF @ 10V	-	940mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	U-WLB1515-9	9-UFBGA, WLBGA
DMP3013SFK-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V DFN2523-6	Preliminary	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DMP3056LVT-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V TSOT-26	Preliminary	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	4.3A (Ta)	4.5V, 10V	50 mOhm @ 6A, 10V	2.1V @ 250µA	11.8nC @ 10V	±25V	642pF @ 25V	-	1.38W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	-
DMP3056LVT-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V TSOT-26	Preliminary	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	4.3A (Ta)	4.5V, 10V	50 mOhm @ 6A, 10V	2.1V @ 250µA	11.8nC @ 10V	±25V	642pF @ 25V	-	1.38W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	-
DMP2035UVT-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V TSOT26	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	7.2A (Ta)	1.8V, 4.5V	35 mOhm @ 4A, 4.5V	1.5V @ 250µA	23.1nC @ 4.5V	±12V	2400pF @ 10V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TSOT-26	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
DMT6012LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V8SOIC	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	10.4A (Ta)	4.5V, 10V	11 mOhm @ 10A, 10V	2V @ 250µA	22.2nC @ 10V	±20V	1522pF @ 30V	-	1.2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
DMT6012LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V POWERDI	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DMTH10H025LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 100V TO252	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	51.7A (Tc)	4.5V, 10V	22 mOhm @ 20A, 10V	3V @ 250µA	21nC @ 10V	±20V	1477pF @ 50V	-	3.1W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252, (D-Pak)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
2N7002WKX-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V SOT323	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	115mA (Ta)	5V, 10V	7.5 Ohm @ 50mA, 5V	2V @ 250µA	-	±20V	50pF @ 25V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-323	SC-70, SOT-323
2N7002WKX-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V SOT323	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	115mA (Ta)	5V, 10V	7.5 Ohm @ 50mA, 5V	2V @ 250µA	-	±20V	50pF @ 25V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-323	SC-70, SOT-323

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные