1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретный полупроводник
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  5. Продукты

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Central Semiconductor
Comchip Technology
Diodes Incorporated
EPC
Exar Corporation
GeneSiC Semiconductor
Global Power Technologies Group, Inc.
Honeywell Aerospace
Infineon Technologies
Intersil (Renesas Electronics America)
IXYS Corporation
IXYS Integrated Circuits Division
IXYS RF/Littelfuse
Littelfuse
Micro Commercial Components (MCC)
Microchip Technology
Microsemi
Nexperia
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
Panasonic
Renesas Electronics America
ROHM Semiconductor
Sanken Electric Co., Ltd.
STMicroelectronics
Taiwan Semiconductor
Texas Instruments
Torex Semiconductor
Toshiba Semiconductor and Storage
Transphorm
TT Electronics/Optek Technology
Vicor
Vishay
Wolfspeed
номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип полевого транзистораТехнологииСлив к источнику напряжения (Vdss)Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° CDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Макс.) @ Id, VgsVgs (th) (Max) @ IdЗаряд затвора (Qg) (Макс.) @ VgsVgs (Макс.)Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ VdsФункция FETРассеиваемая мощность (макс.)Рабочая ТемператураТип монтажаПакет устройств поставщикаУпаковка / чехол
DMG2305UX-13
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V4.2A (Ta)1.8V, 4.5V52 mOhm @ 4.2A, 4.5V900mV @ 250µA10.2nC @ 4.5V±8V808pF @ 15V
-
1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG1013T-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V460mA (Ta)1.8V, 4.5V700 mOhm @ 350mA, 4.5V1V @ 250µA0.622nC @ 4.5V±6V59.76pF @ 16V
-
270mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-523SOT-523
DMN6140L-13
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V1.6A (Ta)4.5V, 10V140 mOhm @ 1.8A, 10V3V @ 250µA8.6nC @ 10V±20V315pF @ 40V
-
700mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP21D5UFB4-7B
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V700mA (Ta)1.2V, 5V970 mOhm @ 100mA, 5V1V @ 250µA500nC @ 4.5V±8V46.1pF @ 10V
-
460mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажX2-DFN1006-33-XFDFN
DMG1012UW-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V1A (Ta)1.8V, 4.5V450 mOhm @ 600mA, 4.5V1V @ 250µA0.74nC @ 4.5V±6V60.67pF @ 16V
-
290mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-323SC-70, SOT-323
DMG3406L-13
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V3.6A (Ta)4.5V, 10V50 mOhm @ 3.6A, 10V2V @ 250µA11.2nC @ 10V±20V495pF @ 15V
-
770mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2300UFB4-7B
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V1.3A (Ta)1.5V, 4.5V175 mOhm @ 300mA, 4.5V950mV @ 250µA1.6nC @ 4.5V±8V64.3pF @ 25V
-
500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажX2-DFN1006-33-XFDFN
DMP3099L-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V SOT23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V3.8A (Ta)4.5V, 10V65 mOhm @ 3.8A, 10V2.1V @ 250µA5.2nC @ 4.5V±20V563pF @ 25V
-
1.08W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSN20-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)50V500mA (Ta)4.5V, 10V1.8 Ohm @ 220mA, 10V1.5V @ 250µA0.8nC @ 10V±20V40pF @ 10V
-
600mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2400UFB4-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V750mA (Ta)1.8V, 4.5V550 mOhm @ 600mA, 4.5V900mV @ 250µA0.5nC @ 4.5V±12V36pF @ 16V
-
470mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажX2-DFN1006-33-XFDFN
DMN26D0UFB4-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 230MA DFN в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V230mA (Ta)1.5V, 4.5V3 Ohm @ 100mA, 4.5V1.1V @ 250µA
-
±10V14.1pF @ 15V
-
350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажX2-DFN1006-33-XFDFN
DMN6140L-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V1.6A (Ta)4.5V, 10V140 mOhm @ 1.8A, 10V3V @ 250µA8.6nC @ 10V±20V315pF @ 40V
-
700mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138W-7-F
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 50V 200MA SC70-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)50V200mA (Ta)10V3.5 Ohm @ 220mA, 10V1.5V @ 250µA
-
±20V50pF @ 10V
-
200mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-323SC-70, SOT-323
DMG2305UX-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V4.2A (Ta)1.8V, 4.5V52 mOhm @ 4.2A, 4.5V900mV @ 250µA10.2nC @ 4.5V±8V808pF @ 15V
-
1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG3420U-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23 устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V5.47A (Ta)1.8V, 10V29 mOhm @ 6A, 10V1.2V @ 250µA5.4nC @ 4.5V±12V434.7pF @ 10V
-
740mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN3404L-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V5.8A (Ta)3V, 10V28 mOhm @ 5.8A, 10V2V @ 250µA9.2nC @ 10V±20V386pF @ 15V
-
720mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2075U-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V4.2A (Ta)2.5V, 4.5V38 mOhm @ 3.6A, 4.5V1V @ 250µA7nC @ 4.5V±8V594.3pF @ 10V
-
800mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84W-7-F
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)50V130mA (Ta)5V10 Ohm @ 100mA, 5V2V @ 1mA
-
±20V45pF @ 25V
-
200mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-323SC-70, SOT-323
DMP21D0UFB4-7B
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V770mA (Ta)1.8V, 4.5V495 mOhm @ 400mA, 4.5V700mV @ 250µA1.54nC @ 8V±8V80pF @ 10V
-
430mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажX2-DFN1006-33-XFDFN
DMP2305U-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT-23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V4.2A (Ta)1.8V, 4.5V60 mOhm @ 4.2A, 4.5V900mV @ 250µA7.6nC @ 4.5V±8V727pF @ 20V
-
1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2004K-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V630mA (Ta)1.8V, 4.5V550 mOhm @ 540mA, 4.5V1V @ 250µA
-
±8V150pF @ 16V
-
350mW (Ta)-65°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN5L06K-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)50V300mA (Ta)1.8V, 5V2 Ohm @ 50mA, 5V1V @ 250µA
-
±20V50pF @ 25V
-
350mW (Ta)-65°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN601K-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V300mA (Ta)5V, 10V2 Ohm @ 500mA, 10V2.5V @ 1mA
-
±20V50pF @ 25V
-
350mW (Ta)-65°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123W-7-F
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)100V170mA (Ta)4.5V, 10V6 Ohm @ 170mA, 10V2V @ 1mA
-
±20V60pF @ 25V
-
200mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-323SC-70, SOT-323
DMP2160U-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT-23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V3.2A (Ta)1.8V, 4.5V80 mOhm @ 1.5A, 4.5V900mV @ 250µA
-
±12V627pF @ 10V
-
1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2041L-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V6.4A (Ta)2.5V, 4.5V28 mOhm @ 6A, 4.5V1.2V @ 250µA15.6nC @ 10V±12V550pF @ 10V
-
780mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2307L-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V2.5A (Ta)4.5V, 10V90 mOhm @ 2.5A, 10V3V @ 250µA8.2nC @ 10V±20V371.3pF @ 15V
-
760mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2990UFZ-7B
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V250mA (Ta)1.2V, 4.5V990 mOhm @ 100mA, 4.5V1V @ 250µA0.5nC @ 4.5V±8V55.2pF @ 16V
-
320mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажX2-DFN0606-33-XFDFN
DMG3402L-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V4A (Ta)2.5V, 10V52 mOhm @ 4A, 10V1.4V @ 250µA11.7nC @ 10V±12V464pF @ 15V
-
1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2065UW-7
 Diodes Incorporated MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V2.8A (Ta)1.5V, 4.5V56 mOhm @ 2A, 4.5V1V @ 250µA5.4nC @ 4.5V±12V400pF @ 10V
-
430mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-323SC-70, SOT-323
DMP2035U-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V3.6A (Ta)1.8V, 4.5V35 mOhm @ 4A, 4.5V1V @ 250µA15.4nC @ 4.5V±8V1610pF @ 10V
-
810mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS127S-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)600V50mA (Ta)5V, 10V160 Ohm @ 16mA, 10V4.5V @ 250µA1.08nC @ 10V±20V21.8pF @ 25V
-
610mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2004WK-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V540mA (Ta)1.8V, 4.5V550 mOhm @ 540mA, 4.5V1V @ 250µA
-
±8V150pF @ 16V
-
200mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-323SC-70, SOT-323
DMP4065S-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)40V2.4A (Ta)4.5V, 10V80 mOhm @ 4.2A, 10V3V @ 250µA12.2nC @ 10V±20V587pF @ 20V
-
720mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN5L06WK-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)50V300mA (Ta)1.8V, 5V2 Ohm @ 50mA, 5V1V @ 250µA
-
±20V50pF @ 25V
-
250mW (Ta)-65°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-323SC-70, SOT-323
DMN3065LW-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V4A (Ta)2.5V, 10V52 mOhm @ 4A, 10V1.5V @ 250µA11.7nC @ 10V±12V465pF @ 15V
-
770mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-323SC-70, SOT-323
DMG6968U-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V6.5A (Ta)1.8V, 4.5V25 mOhm @ 6.5A, 4.5V900mV @ 250µA8.5nC @ 4.5V±12V151pF @ 10V
-
1.3W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3098L-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V3.8A (Ta)4.5V, 10V70 mOhm @ 3.8A, 10V2.1V @ 250µA
-
±20V336pF @ 25V
-
1.08W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN3023L-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V6.2A (Ta)2.5V, 10V25 mOhm @ 4A, 10V1.8V @ 250µA18.4nC @ 10V±20V873pF @ 15V
-
900mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG301NU-13
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)25V260mA (Ta)2.7V, 4.5V4 Ohm @ 400mA, 4.5V1.1V @ 250µA0.36nC @ 4.5V8V27.9pF @ 10V
-
320mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2104LP-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V1.5A (Ta)1.8V, 4.5V150 mOhm @ 950mA, 4.5V1V @ 250µA
-
±12V320pF @ 16V
-
500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж3-DFN1411 (1.4x1.1)3-XDFN
DMP3056L-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V4.3A (Ta)4.5V, 10V50 mOhm @ 6A, 10V2.1V @ 250µA11.8nC @ 10V±25V642pF @ 25V
-
1.38W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3130L-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT-23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V3.5A (Ta)2.5V, 10V77 mOhm @ 4.2A, 10V1.3V @ 250µA12nC @ 10V±12V432pF @ 15V
-
700mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2123L-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V3A (Ta)2.5V, 4.5V72 mOhm @ 3.5A, 4.5V1.25V @ 250µA7.3nC @ 4.5V±12V443pF @ 16V
-
1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2990UFA-7B
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 0.51A в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V510mA (Ta)1.2V, 4.5V990 mOhm @ 100mA, 4.5V1V @ 250µA0.5nC @ 4.5V±8V27.6pF @ 16V
-
400mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж3-X2-DFN08063-XFDFN
ZXM61P02FTA
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V900mA (Ta)2.7V, 4.5V600 mOhm @ 610mA, 4.5V1.5V @ 250µA3.5nC @ 4.5V±12V150pF @ 15V
-
625mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN5L06TK-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)50V280mA (Ta)1.8V, 5V2 Ohm @ 50mA, 5V1.2V @ 250µA
-
±20V50pF @ 25V
-
150mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-523SOT-523
DMN2300U-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V1.24A (Ta)1.8V, 4.5V175 mOhm @ 300mA, 4.5V950mV @ 250µA1.6nC @ 4.5V±8V64.3pF @ 25V
-
430mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZXMN2B01FTA
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V2.1A (Ta)1.8V, 4.5V100 mOhm @ 2.4A, 4.5V1V @ 250µA4.8nC @ 4.5V±8V370pF @ 10V
-
625mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZXMN2F34FHTA
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V3.4A (Ta)2.5V, 4.5V60 mOhm @ 2.5A, 4.5V1.5V @ 250µA2.8nC @ 4.5V±12V277pF @ 10V
-
950mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6
  7. 7
  8. 8
  9. 9
  10. 10
Email: sales@icchip.ru
Copyright © 2019 ICCHIP ® Все права защищены