EPC агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные - EPC2023ENG EPC2038ENGR - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Технологии	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (Макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Функция FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Пакет устройств поставщика	Упаковка / чехол
EPC2023ENG	EPC	TRANSISTOR GAN 30V 60A BUMPED DIE	устарелый	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	30V	60A (Ta)	5V	1.3 mOhm @ 40A, 5V	2.5V @ 20mA	20nC @ 5V	+6V, -4V	2300pF @ 15V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	Die	Die
EPC2038ENGR	EPC	TRANSISTOR GAN 100V 0.5A BUMPED DIE	Discontinued at -	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	100V	500mA (Ta)	5V	3.3 Ohm @ 50mA, 5V	2.5V @ 20µA	0.044nC @ 5V	+6V, -4V	8.4pF @ 50V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	Die	Die
EPC2020ENGR	EPC	TRANSISTOR GAN 60V 60A BUMPED DIE	Discontinued at -	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	60V	60A (Ta)	5V	2.2 mOhm @ 31A, 5V	2.5V @ 16mA	16nC @ 5V	+6V, -4V	1800pF @ 30V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	Die	Die
EPC2039ENGRT	EPC	TRANSISTOR GAN 80V 6.8A BUMPED DIE	Discontinued at -	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	80V	6.8A (Ta)	5V	22 mOhm @ 6A, 5V	2.5V @ 2mA	2nC @ 5V	+6V, -4V	210pF @ 40V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	Die	Die
EPC2025	EPC	TRANSISTOR GAN 300V 150MO BUMPED DIE	устарелый	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	300V	4A (Ta)	5V	150 mOhm @ 3A, 5V	2.5V @ 1mA	-	+6V, -4V	194pF @ 240V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	Die	Die
EPC2032ENGRT	EPC	TRANSISTOR GAN 100V 48A BUMPED DIE	Discontinued at -	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	100V	48A (Ta)	5V	4 mOhm @ 30A, 5V	2.5V @ 11mA	15nC @ 5V	+6V, -4V	1530pF @ 50V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	Die	Die
EPC2033ENGRT	EPC	TRANSISTOR GAN 150V 31A BUMPED DIE	Discontinued at -	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	150V	31A (Ta)	5V	7 mOhm @ 25A, 5V	2.5V @ 9mA	10nC @ 5V	+6V, -4V	1140pF @ 75V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	Die	Die
EPC2034ENGRT	EPC	TRANSISTOR GAN 200V 31A BUMPED DIE	Discontinued at -	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	200V	31A (Ta)	5V	10 mOhm @ 20A, 5V	2.5V @ 7mA	8.5nC @ 5V	+6V, -4V	940pF @ 100V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	Die	Die
EPC2036ENGRT	EPC	MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE	устарелый	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	100V	1.7A (Ta)	5V	73 mOhm @ 1A, 5V	2.5V @ 600µA	120nC @ 50V	+6V, -4V	90pF @ 50V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	Die	Die

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные