Nexperia агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные - PHD9NQ20T,118 PHD71NQ03LT,118 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Технологии	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (Макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Функция FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Пакет устройств поставщика	Упаковка / чехол
PHD9NQ20T,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	8.7A (Tc)	10V	400 mOhm @ 4.5A, 10V	4V @ 1mA	24nC @ 10V	±30V	959pF @ 25V	-	88W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PHD71NQ03LT,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 75A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	75A (Tc)	5V, 10V	10 mOhm @ 25A, 10V	2.5V @ 1mA	13.2nC @ 5V	±20V	1220pF @ 25V	-	120W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
BUK7Y8R7-60EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	87A (Tc)	10V	8.7 mOhm @ 20A, 10V	4V @ 1mA	46nC @ 10V	±20V	3159pF @ 25V	-	147W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK7Y22-100EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	49A (Tc)	10V	22 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	47nC @ 10V	±20V	2920pF @ 25V	-	147W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK7620-55A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 54A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	54A (Tc)	10V	20 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	-	±20V	1592pF @ 25V	-	118W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK7631-100E,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 34A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	34A (Tc)	10V	31 mOhm @ 10A, 10V	4V @ 1mA	29.4nC @ 10V	±20V	1738pF @ 25V	-	96W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK9637-100E,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 31A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	31A (Tc)	5V, 10V	36 mOhm @ 10A, 10V	2.1V @ 1mA	22.8nC @ 5V	±10V	2681pF @ 25V	-	96W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK7Y7R2-60EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	-	10V	-	-	-	±20V	-	-	167W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK7611-55B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	75A (Tc)	10V	11 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	37nC @ 10V	±20V	2604pF @ 25V	-	157W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN8R0-80YLX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	100A (Ta)	5V, 10V	8 mOhm @ 25A, 10V	2.1V @ 1mA	104nC @ 10V	±20V	8167pF @ 25V	-	238W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
PSMN012-100YLX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	85A (Ta)	5V, 10V	11.9 mOhm @ 25A, 10V	2.1V @ 1mA	118nC @ 10V	±20V	7973pF @ 25V	-	238W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
BUK663R5-30C,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	100A (Tc)	4.5V, 10V	3.5 mOhm @ 25A, 10V	2.8V @ 1mA	78nC @ 10V	±16V	4707pF @ 25V	-	158W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK7Y3R0-40EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN1R6-30MLHX	Nexperia USA Inc.	PSMN1R6-30MLH/SOT1210/MLFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	160A (Ta)	4.5V, 10V	1.9 mOhm @ 25A, 10V	2.2V @ 1mA	41nC @ 10V	±20V	2.369nF @ 15V	-	106W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK33	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
BUK9614-55A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 73A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	73A (Tc)	4.5V, 10V	13 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	-	±10V	3307pF @ 25V	-	149W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN018-100PSFQ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 53A TO220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	53A (Ta)	7V, 10V	18 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	21.4nC @ 10V	±20V	1482pF @ 50V	-	111W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
PSMN018-100ESFQ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	53A (Ta)	7V, 10V	18 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	21.4nC @ 10V	±20V	1482pF @ 50V	-	111W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	I2PAK	TO-220-3, Short Tab
BUK7Y15-100EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 68A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	68A (Tc)	10V	15 mOhm @ 20A, 10V	4V @ 1mA	54.5nC @ 10V	±20V	3958pF @ 25V	-	195W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN012-80PS,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	74A (Tc)	10V	11 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	43nC @ 10V	±20V	2782pF @ 12V	-	148W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
BUK9Y2R8-40HX	Nexperia USA Inc.	BUK9Y2R8-40H/SOT669/LFPAK	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
PSMN4R1-60YLX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	100A (Ta)	5V, 10V	4.1 mOhm @ 25A, 10V	2.1V @ 1mA	103nC @ 10V	±20V	7853pF @ 25V	-	238W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
BUK7618-55,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 57A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	57A (Tc)	10V	18 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	-	±16V	2000pF @ 25V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PHK31NQ03LT,518	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 30.4A 8-SOIC	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	30.4A (Tc)	4.5V, 10V	4.4 mOhm @ 25A, 10V	2.15V @ 1mA	33nC @ 4.5V	±20V	4235pF @ 12V	-	6.9W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
BSH121,135	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 75V 300MA SOT323	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75V	300mA (Ta)	1.8V, 4.5V	4 Ohm @ 500mA, 4.5V	1.3V @ 1mA	1nC @ 8V	±8V	40pF @ 10V	-	700mW (Tc)	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-323-3	SC-70, SOT-323
PSMN8R7-100YSFQ	Nexperia USA Inc.	PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
PSMN8R7-100YSFX	Nexperia USA Inc.	PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	100A	10V	-	-	38.5nC @ 10V	-	-	-	198W	175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK7Y12-100EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	85A (Tc)	10V	12 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	68nC @ 10V	±20V	5067pF @ 25V	-	238W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN015-110P,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 110V 75A TO220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	110V	75A (Tc)	10V	15 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	90nC @ 10V	±20V	4900pF @ 25V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
BUK9Y2R4-40HX	Nexperia USA Inc.	BUK9Y2R4-40H/SOT669/LFPAK	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
BUK9615-100E,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 66A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	66A (Tc)	5V, 10V	14 mOhm @ 15A, 10V	2.1V @ 1mA	60nC @ 5V	±10V	6813pF @ 25V	-	182W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK769R6-80E,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	75A (Tc)	10V	9.6 mOhm @ 20A, 10V	4V @ 1mA	59.8nC @ 10V	±20V	4682pF @ 25V	-	182W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK9Y1R9-40HX	Nexperia USA Inc.	BUK9Y1R9-40H/SOT669/LFPAK	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
PMN27XPE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	4.4A (Ta)	2.5V, 4.5V	30 mOhm @ 3A, 4.5V	1.25V @ 250µA	22.5nC @ 4.5V	±12V	1770pF @ 10V	-	530mW (Ta), 8.33W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSOP	SC-74, SOT-457
PSMN6R9-100YSFQ	Nexperia USA Inc.	PSMN6R9-100YSF/SOT669/LFPAK	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
PSMN6R9-100YSFX	Nexperia USA Inc.	PSMN6R9-100YSF/SOT669/LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	100A	10V	-	-	50.3nC @ 10V	-	-	-	238W	175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK661R8-30C,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	120A (Tc)	4.5V, 10V	1.9 mOhm @ 25A, 10V	2.8V @ 1mA	168nC @ 10V	±16V	10918pF @ 25V	-	263W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK9Y1R6-40HX	Nexperia USA Inc.	BUK9Y1R6-40H/SOT669/LFPAK	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
BUK963R1-40E,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	100A (Tc)	5V, 10V	2.7 mOhm @ 25A, 10V	2.1V @ 1mA	69.5nC @ 5V	±10V	9150pF @ 25V	-	234W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN0R9-30ULDX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 300A 56LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	300A (Ta)	4.5V, 10V	870 mOhm @ 25A, 10V	2.2V @ 1mA	109nC @ 10V	±20V	7668pF @ 15V	-	227W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SOT-1023, 4-LFPAK
PSMN057-200P,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	39A (Tc)	10V	57 mOhm @ 17A, 10V	4V @ 1mA	96nC @ 10V	±20V	3750pF @ 25V	-	250W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
BUK7606-55A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	75A (Tc)	10V	6.3 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	-	±20V	6000pF @ 25V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK9604-40A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	75A (Tc)	4.3V, 10V	4 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	128nC @ 5V	±15V	8260pF @ 25V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN8R5-100PSFQ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	98A (Ta)	7V, 10V	8.7 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	44.5nC @ 10V	±20V	3181pF @ 50V	-	183W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
PSMN8R5-100ESFQ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CHANNEL 100V 97A I2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	97A (Ta)	7V, 10V	8.8 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	44.5nC @ 10V	±20V	3181pF @ 50V	-	183W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	I2PAK	TO-220-3, Short Tab
PSMNR70-30YLHX	Nexperia USA Inc.	PSMNR70-30YLH/SOT669/LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	300A	-	-	-	80nC @ 10V	-	4.852nF @ 10V	Schottky Diode (Body)	-	175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN2R1-40PLQ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 150A TO-220	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	150A (Tc)	10V	2.2 mOhm @ 25A, 10V	2.1V @ 1mA	87.8nC @ 5V	±20V	9584pF @ 25V	-	293W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
PSMN009-100B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	75A (Tc)	10V	8.8 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	156nC @ 10V	±20V	8250pF @ 25V	-	230W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK969R3-100E,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	100A (Tc)	5V, 10V	8.9 mOhm @ 25A, 10V	2.1V @ 1mA	94.3nC @ 5V	±10V	11650pF @ 25V	-	263W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK962R6-40E,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	100A (Tc)	5V, 10V	2.4 mOhm @ 25A, 10V	2.1V @ 250µA	80.6nC @ 32V	±10V	10285pF @ 25V	-	263W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK964R2-60E,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	100A (Tc)	5V, 10V	3.9 mOhm @ 25A, 10V	2.1V @ 1mA	72nC @ 5V	±10V	11380pF @ 25V	-	263W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные