Vishay агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные - SI2323DS-T1 TP0610K-T1 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Технологии	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (Макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Функция FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Пакет устройств поставщика	Упаковка / чехол
SI2323DS-T1	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	3.7A (Ta)	1.8V, 4.5V	39 mOhm @ 4.7A, 4.5V	1V @ 250µA	19nC @ 4.5V	±8V	1020pF @ 10V	-	750mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TP0610K-T1	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	185mA (Ta)	4.5V, 10V	6 Ohm @ 500mA, 10V	3V @ 250µA	1.7nC @ 15V	±20V	23pF @ 25V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI1039X-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	870mA (Ta)	1.8V, 4.5V	165 mOhm @ 870mA, 4.5V	450mV @ 250µA (Min)	6nC @ 4.5V	±8V	-	-	170mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-89-6	SOT-563, SOT-666
SI1056X-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V SC-89-6	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	-	1.8V, 4.5V	89 mOhm @ 1.32A, 4.5V	950mV @ 250µA	8.7nC @ 5V	±8V	400pF @ 10V	-	236mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-89-6	SOT-563, SOT-666
SI1300BDL-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	400mA (Tc)	2.5V, 4.5V	850 mOhm @ 250mA, 4.5V	1V @ 250µA	0.84nC @ 4.5V	±8V	35pF @ 10V	-	190mW (Ta), 200mW (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70-3	SC-70, SOT-323
SI1304BDL-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 0.9A SC-70-3	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	900mA (Tc)	2.5V, 4.5V	270 mOhm @ 900mA, 4.5V	1.3V @ 250µA	2.7nC @ 4.5V	±12V	100pF @ 15V	-	340mW (Ta), 370mW (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70-3	SC-70, SOT-323
SI1305DL-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 8V 0.86A SC-70-3	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	8V	860mA (Ta)	1.8V, 4.5V	280 mOhm @ 1A, 4.5V	450mV @ 250µA (Min)	4nC @ 4.5V	±8V	-	-	290mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70-3	SC-70, SOT-323
SI1307EDL-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	850mA (Ta)	1.8V, 4.5V	290 mOhm @ 1A, 4.5V	450mV @ 250µA (Min)	5nC @ 4.5V	±8V	-	-	290mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70-3	SC-70, SOT-323
SI1400DL-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	1.6A (Ta)	2.5V, 4.5V	150 mOhm @ 1.7A, 4.5V	600mV @ 250µA (Min)	4nC @ 4.5V	±12V	-	-	568mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70-6 (SOT-363)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI1405BDH-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	8V	1.6A (Tc)	1.8V, 4.5V	112 mOhm @ 2.8A, 4.5V	950mV @ 250µA	5.5nC @ 4.5V	±8V	305pF @ 4V	-	1.47W (Ta), 2.27W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70-6 (SOT-363)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI1406DH-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	3.1A (Ta)	1.8V, 4.5V	65 mOhm @ 3.9A, 4.5V	1.2V @ 250µA	7.5nC @ 4.5V	±8V	-	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70-6 (SOT-363)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI1413EDH-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	2.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	115 mOhm @ 2.9A, 4.5V	450mV @ 100µA (Min)	8nC @ 4.5V	±12V	-	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70-6 (SOT-363)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI1417EDH-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 2.7A SC-70-6	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	2.7A (Ta)	1.8V, 4.5V	85 mOhm @ 3.3A, 4.5V	450mV @ 250µA (Min)	8nC @ 4.5V	±12V	-	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70-6 (SOT-363)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI1426DH-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	2.8A (Ta)	4.5V, 10V	75 mOhm @ 3.6A, 10V	2.5V @ 250µA	3nC @ 4.5V	±20V	-	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70-6 (SOT-363)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI1470DH-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 5.1A SC-70-6	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	5.1A (Tc)	2.5V, 4.5V	66 mOhm @ 3.8A, 4.5V	1.6V @ 250µA	7.5nC @ 5V	±12V	510pF @ 15V	-	1.5W (Ta), 2.8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70-6 (SOT-363)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI1473DH-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	2.7A (Tc)	4.5V, 10V	100 mOhm @ 2A, 10V	3V @ 250µA	6.2nC @ 4.5V	±20V	365pF @ 15V	-	1.5W (Ta), 2.78W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70-6 (SOT-363)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI2327DS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	380mA (Ta)	6V, 10V	2.35 Ohm @ 500mA, 10V	4.5V @ 250µA	12nC @ 10V	±20V	510pF @ 25V	-	750mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI3475DV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	950mA (Tc)	6V, 10V	1.61 Ohm @ 900mA, 10V	4V @ 250µA	18nC @ 10V	±20V	500pF @ 50V	-	2W (Ta), 3.2W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSOP	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SI4004DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	12A (Tc)	4.5V, 10V	13.8 mOhm @ 11A, 10V	2.5V @ 250µA	33nC @ 10V	±20V	1280pF @ 10V	-	2.5W (Ta), 5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SI4104DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	4.6A (Tc)	10V	105 mOhm @ 5A, 10V	4.5V @ 250µA	13nC @ 10V	±20V	446pF @ 50V	-	2.5W (Ta), 5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SI4190DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	20A (Tc)	4.5V, 10V	8.8 mOhm @ 15A, 10V	2.8V @ 250µA	58nC @ 10V	±20V	2000pF @ 50V	-	3.5W (Ta), 7.8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SI4403BDY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SOIC	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	7.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	17 mOhm @ 9.9A, 4.5V	1V @ 350µA	50nC @ 5V	±8V	-	-	1.35W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SI4409DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150V	1.3A (Tc)	6V, 10V	1.2 Ohm @ 500mA, 10V	4V @ 250µA	12nC @ 10V	±20V	332pF @ 50V	-	2.2W (Ta), 4.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SI4418DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	2.3A (Ta)	6V, 10V	130 mOhm @ 3A, 10V	4V @ 250µA	30nC @ 10V	±20V	-	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SI4446DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	3.9A (Ta)	4.5V, 10V	40 mOhm @ 5.2A, 10V	1.6V @ 250µA	12nC @ 4.5V	±12V	700pF @ 20V	-	1.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SI4470EY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	9A (Ta)	6V, 10V	11 mOhm @ 12A, 10V	2V @ 250µA (Min)	70nC @ 10V	±20V	-	-	1.85W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SI4484EY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	4.8A (Ta)	6V, 10V	34 mOhm @ 6.9A, 10V	2V @ 250µA (Min)	30nC @ 10V	±20V	-	-	1.8W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SI4654DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	25V	28.6A (Tc)	4.5V, 10V	4 mOhm @ 15A, 10V	2.5V @ 250µA	100nC @ 10V	±16V	3770pF @ 15V	-	2.5W (Ta), 5.9W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SI5402BDC-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	4.9A (Ta)	4.5V, 10V	35 mOhm @ 4.9A, 10V	3V @ 250µA	20nC @ 10V	±20V	-	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	1206-8 ChipFET™	8-SMD, Flat Lead
SI5433BDC-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	4.8A (Ta)	1.8V, 4.5V	37 mOhm @ 4.8A, 4.5V	1V @ 250µA	22nC @ 4.5V	±8V	-	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	1206-8 ChipFET™	8-SMD, Flat Lead
SI5456DU-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	12A (Tc)	4.5V, 10V	10 mOhm @ 9.3A, 10V	2.5V @ 250µA	30nC @ 10V	±20V	1200pF @ 10V	-	3.1W (Ta), 31W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)	8-PowerVDFN
SI5486DU-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	12A (Tc)	1.8V, 4.5V	15 mOhm @ 7.7A, 4.5V	1V @ 250µA	54nC @ 8V	±8V	2100pF @ 10V	-	3.1W (Ta), 31W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)	8-PowerVDFN
SI6443DQ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	7.3A (Ta)	4.5V, 10V	12 mOhm @ 8.8A, 10V	3V @ 250µA	60nC @ 5V	±20V	-	-	1.05W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-TSSOP	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
SI6467BDQ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	6.8A (Ta)	1.8V, 4.5V	12.5 mOhm @ 8A, 4.5V	850mV @ 450µA	70nC @ 4.5V	±8V	-	-	1.05W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-TSSOP	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
SI7403BDN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8 PPAK	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	8A (Tc)	2.5V, 4.5V	74 mOhm @ 5.1A, 4.5V	1V @ 250µA	15nC @ 8V	±8V	430pF @ 10V	-	3.1W (Ta), 9.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
SI7454CDP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	22A (Tc)	4.5V, 10V	30.5 mOhm @ 10A, 10V	2.8V @ 250µA	19.5nC @ 10V	±20V	580pF @ 50V	-	4.1W (Ta), 29.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI7462DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	2.6A (Ta)	6V, 10V	130 mOhm @ 4.1A, 10V	4V @ 250µA	30nC @ 10V	±20V	-	-	1.9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI7621DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	4A (Tc)	2.5V, 4.5V	90 mOhm @ 3.9A, 4.5V	2V @ 250µA	6.2nC @ 5V	±12V	300pF @ 10V	-	3.1W (Ta), 12.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
SI7703EDN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	48 mOhm @ 6.3A, 4.5V	1V @ 800µA	18nC @ 4.5V	±12V	-	Schottky Diode (Isolated)	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
SI7774DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	60A (Tc)	4.5V, 10V	3.8 mOhm @ 15A, 10V	2.2V @ 250µA	66nC @ 10V	±20V	2630pF @ 15V	-	5W (Ta), 48W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI8445DB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	9.8A (Tc)	1.2V, 4.5V	84 mOhm @ 1A, 4.5V	850mV @ 250µA	16nC @ 5V	±5V	700pF @ 10V	-	1.8W (Ta), 11.4W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	4-Microfoot	4-XFBGA, CSPBGA
SI8451DB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	10.8A (Tc)	1.5V, 4.5V	80 mOhm @ 1A, 4.5V	1V @ 250µA	24nC @ 8V	±8V	750pF @ 10V	-	2.77W (Ta), 13W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-Micro Foot™ (1.5x1)	6-MICRO FOOT™
SI8467DB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V MICROFOOT	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	-	2.5V, 4.5V	73 mOhm @ 1A, 4.5V	1.5V @ 250µA	21nC @ 10V	±12V	475pF @ 10V	-	780mW (Ta), 1.8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	4-Microfoot	4-XFBGA, CSPBGA
SIB455EDK-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	9A (Tc)	1.5V, 4.5V	27 mOhm @ 5.6A, 4.5V	1V @ 250µA	30nC @ 8V	±10V	-	-	2.4W (Ta), 13W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SC-75-6L Single	PowerPAK® SC-75-6L
SIE836DF-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	18.3A (Tc)	10V	130 mOhm @ 4.1A, 10V	4.5V @ 250µA	41nC @ 10V	±30V	1200pF @ 100V	-	5.2W (Ta), 104W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	10-PolarPAK® (SH)	10-PolarPAK® (SH)
SIE848DF-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	60A (Tc)	4.5V, 10V	1.6 mOhm @ 25A, 10V	2.5V @ 250µA	138nC @ 10V	±20V	6100pF @ 15V	-	5.2W (Ta), 125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	10-PolarPAK® (L)	10-PolarPAK® (L)
SIE854DF-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	60A (Tc)	10V	14.2 mOhm @ 13.2A, 10V	4.4V @ 250µA	75nC @ 10V	±20V	3100pF @ 50V	-	5.2W (Ta), 125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	10-PolarPAK® (L)	10-PolarPAK® (L)
SIE860DF-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	60A (Tc)	4.5V, 10V	2.1 mOhm @ 21.7A, 10V	2.5V @ 250µA	105nC @ 10V	±20V	4500pF @ 15V	-	5.2W (Ta), 104W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	10-PolarPAK® (M)	10-PolarPAK® (M)
SIR408DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	25V	50A (Tc)	4.5V, 10V	6.3 mOhm @ 20A, 10V	2.5V @ 250µA	33nC @ 10V	±20V	1230pF @ 15V	-	4.8W (Ta), 44.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SIR838DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150V	35A (Tc)	10V	33 mOhm @ 8.3A, 10V	4V @ 250µA	50nC @ 10V	±20V	2075pF @ 75V	-	5.4W (Ta), 96W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные