1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретный полупроводник
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  5. Продукты

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Central Semiconductor
Comchip Technology
Diodes Incorporated
EPC
Exar Corporation
GeneSiC Semiconductor
Global Power Technologies Group, Inc.
Honeywell Aerospace
Infineon Technologies
Intersil (Renesas Electronics America)
IXYS Corporation
IXYS Integrated Circuits Division
IXYS RF/Littelfuse
Littelfuse
Micro Commercial Components (MCC)
Microchip Technology
Microsemi
Nexperia
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
Panasonic
Renesas Electronics America
ROHM Semiconductor
Sanken Electric Co., Ltd.
STMicroelectronics
Taiwan Semiconductor
Texas Instruments
Torex Semiconductor
Toshiba Semiconductor and Storage
Transphorm
TT Electronics/Optek Technology
Vicor
Vishay
Wolfspeed
номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип полевого транзистораТехнологииСлив к источнику напряжения (Vdss)Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° CDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Макс.) @ Id, VgsVgs (th) (Max) @ IdЗаряд затвора (Qg) (Макс.) @ VgsVgs (Макс.)Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ VdsФункция FETРассеиваемая мощность (макс.)Рабочая ТемператураТип монтажаПакет устройств поставщикаУпаковка / чехол
SIR876DP-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8 устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)100V40A (Tc)4.5V, 10V10.8 mOhm @ 20A, 10V2.8V @ 250µA48nC @ 10V±20V1640pF @ 50V
-
5W (Ta), 62.5W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажPowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8
SUD06N10-225L-E3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)100V6.5A (Tc)4.5V, 10V200 mOhm @ 3A, 10V3V @ 250µA4nC @ 5V±20V240pF @ 25V
-
1.25W (Ta), 20W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-252, (D-Pak)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SUD08P06-155L-E3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V8.4A (Tc)4.5V, 10V155 mOhm @ 5A, 10V3V @ 250µA19nC @ 10V±20V450pF @ 25V
-
2W (Ta), 25W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-252, (D-Pak)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SUD50N02-04P-E3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 50A DPAK устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V50A (Tc)4.5V, 10V4.3 mOhm @ 20A, 10V3V @ 250µA60nC @ 4.5V±20V5000pF @ 10V
-
8.3W (Ta), 136W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-252, (D-Pak)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SUD50N02-09P-E3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V DPAK устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V
-
4.5V, 10V9.5 mOhm @ 20A, 10V3V @ 250µA16nC @ 4.5V±20V1300pF @ 10V
-
6.5W (Ta), 39.5W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-252, (D-Pak)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SUD50N06-07L-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 96A DPAK устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V96A (Tc)4.5V, 10V7.4 mOhm @ 20A, 10V3V @ 250µA144nC @ 10V±20V5800pF @ 25V
-
136W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-252, (D-Pak)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SUD50N10-18P-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 8.2A DPAK устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)100V8.2A (Ta), 50A (Tc)10V18.5 mOhm @ 15A, 10V5V @ 250µA75nC @ 10V±20V2600pF @ 50V
-
3W (Ta), 136.4W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-252, (D-Pak)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SUD50P04-13L-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 60A DPAK устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)40V60A (Tc)4.5V, 10V13 mOhm @ 30A, 10V3V @ 250µA95nC @ 10V±20V3120pF @ 25V
-
3W (Ta), 93.7W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-252, (D-Pak)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SUM110N08-07P-E3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 75V 110A D2PAK устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)75V110A (Tc)10V7 mOhm @ 20A, 10V4.5V @ 250µA105nC @ 10V±20V4250pF @ 30V
-
3.75W (Ta), 208.3W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-263 (D2Pak)TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SUM85N03-06P-E3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V85A (Tc)4.5V, 10V6 mOhm @ 20A, 10V3V @ 250µA65nC @ 10V±20V3100pF @ 25V
-
3.75W (Ta), 100W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-263 (D2Pak)TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SUM90N06-4M4P-E3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V90A (Tc)10V4.4 mOhm @ 20A, 10V4.5V @ 250µA160nC @ 10V±20V6190pF @ 30V
-
3.75W (Ta), 300W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-263 (D2Pak)TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SUM90N08-6M2P-E3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)75V90A (Tc)10V6.2 mOhm @ 20A, 10V4.5V @ 250µA115nC @ 10V±20V4620pF @ 30V
-
3.75W (Ta), 272W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-263 (D2Pak)TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SUP50N03-5M1P-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 50A TO-220AB устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V50A (Tc)4.5V, 10V5.1 mOhm @ 22A, 10V2.5V @ 250µA66nC @ 10V±20V2780pF @ 15V
-
2.7W (Ta), 59.5W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-220ABTO-220-3
SI1072X-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V SC89 устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V
-
4.5V, 10V93 mOhm @ 1.3A, 10V3V @ 250µA8.3nC @ 10V±20V280pF @ 15V
-
236mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-89-6SOT-563, SOT-666
SI1058X-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V SC89 устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V
-
2.5V, 4.5V91 mOhm @ 1.3A, 4.5V1.55V @ 250µA5.9nC @ 5V±12V380pF @ 10V
-
236mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-89-6SOT-563, SOT-666
IRF730ALPBF
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262 устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)400V5.5A (Tc)10V1 Ohm @ 3.3A, 10V4.5V @ 250µA22nC @ 10V±30V600pF @ 25V
-
74W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleI2PAKTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
IRF730ASTRRPBF
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)400V5.5A (Tc)10V1 Ohm @ 3.3A, 10V4.5V @ 250µA22nC @ 10V±30V600pF @ 25V
-
74W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажD2PAKTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFBC30ASTRRPBF
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)600V3.6A (Tc)10V2.2 Ohm @ 2.2A, 10V4.5V @ 250µA23nC @ 10V±30V510pF @ 25V
-
74W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажD2PAKTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFD9123PBF
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 100V 1A HEXDIP устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)100V1A (Ta)
-
600 mOhm @ 600mA, 10V4V @ 250µA18nC @ 10V
-
390pF @ 25V
-
-
-
Through Hole4-HVMDIP4-DIP (0.300", 7.62mm)
IRFR1N60ATRRPBF
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)600V1.4A (Tc)10V7 Ohm @ 840mA, 10V4V @ 250µA14nC @ 10V±30V229pF @ 25V
-
36W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажD-PakTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IRFR430ATRRPBF
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 5A DPAK устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)500V5A (Tc)10V1.7 Ohm @ 3A, 10V4.5V @ 250µA24nC @ 10V±30V490pF @ 25V
-
110W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажD-PakTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IRFR9310TRRPBF
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)400V1.8A (Tc)10V7 Ohm @ 1.1A, 10V4V @ 250µA13nC @ 10V±20V270pF @ 25V
-
50W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажD-PakTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SI1031X-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V155mA (Ta)1.5V, 4.5V8 Ohm @ 150mA, 4.5V1.2V @ 250µA1.5nC @ 4.5V±6V
-
-
300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-75ASC-75A
SI1037X-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89 устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V770mA (Ta)1.8V, 4.5V195 mOhm @ 770mA, 4.5V450mV @ 250µA (Min)5.5nC @ 4.5V±8V
-
-
170mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-89 (SOT-563F)SOT-563, SOT-666
SI1037X-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89 устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V770mA (Ta)1.8V, 4.5V195 mOhm @ 770mA, 4.5V450mV @ 250µA (Min)5.5nC @ 4.5V±8V
-
-
170mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-89 (SOT-563F)SOT-563, SOT-666
SI1046R-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3 устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V
-
1.8V, 4.5V420 mOhm @ 606mA, 4.5V950mV @ 250µA1.49nC @ 5V±8V66pF @ 10V
-
250mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-75ASC-75A
SI1051X-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)8V
-
1.5V, 4.5V122 mOhm @ 1.2A, 4.5V1V @ 250µA9.45nC @ 5V±5V560pF @ 4V
-
236mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-89-6SOT-563, SOT-666
SI1054X-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6 устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)12V
-
1.8V, 4.5V95 mOhm @ 1.32A, 4.5V1V @ 250µA8.57nC @ 5V±8V480pF @ 6V
-
236mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-89-6SOT-563, SOT-666
SI1069X-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6 устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V
-
2.5V, 4.5V184 mOhm @ 940mA, 4.5V1.5V @ 250µA6.86nC @ 5V±12V308pF @ 10V
-
236mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-89-6SOT-563, SOT-666
SI1073X-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6 устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V
-
4.5V, 10V173 mOhm @ 980mA, 10V3V @ 250µA9.45nC @ 10V±20V265pF @ 15V
-
236mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-89-6SOT-563, SOT-666
SI1303DL-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3 устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V670mA (Ta)2.5V, 4.5V430 mOhm @ 1A, 4.5V1.4V @ 250µA2.2nC @ 4.5V±12V
-
-
290mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-70-3SC-70, SOT-323
SI1305EDL-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3 устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)8V860mA (Ta)1.8V, 4.5V280 mOhm @ 1A, 4.5V450mV @ 250µA (Min)4nC @ 4.5V±8V
-
-
290mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-70-3SC-70, SOT-323
SI1307DL-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3 устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)12V850mA (Ta)1.8V, 4.5V290 mOhm @ 1A, 4.5V450mV @ 250µA (Min)5nC @ 4.5V±8V
-
-
290mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-70-3SC-70, SOT-323
SI1402DH-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363 устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V2.7A (Ta)2.5V, 4.5V77 mOhm @ 3A, 4.5V1.6V @ 250µA4.5nC @ 4.5V±12V
-
-
950mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-70-6 (SOT-363)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI1402DH-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363 устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V2.7A (Ta)2.5V, 4.5V77 mOhm @ 3A, 4.5V1.6V @ 250µA4.5nC @ 4.5V±12V
-
-
950mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-70-6 (SOT-363)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI1405BDH-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 1.6A SOT363 устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)8V1.6A (Tc)1.8V, 4.5V112 mOhm @ 2.8A, 4.5V950mV @ 250µA5.5nC @ 4.5V±8V305pF @ 4V
-
1.47W (Ta), 2.27W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-70-6 (SOT-363)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI1405DL-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6 устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)8V1.6A (Ta)1.8V, 4.5V125 mOhm @ 1.8A, 4.5V450mV @ 250µA (Min)7nC @ 4.5V±8V
-
-
568mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-70-6 (SOT-363)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI1413DH-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6 устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V2.3A (Ta)1.8V, 4.5V115 mOhm @ 2.9A, 4.5V800mV @ 100µA8.5nC @ 4.5V±8V
-
-
1W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-70-6 (SOT-363)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI1413DH-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6 устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V2.3A (Ta)1.8V, 4.5V115 mOhm @ 2.9A, 4.5V800mV @ 100µA8.5nC @ 4.5V±8V
-
-
1W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-70-6 (SOT-363)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI1433DH-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6 устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V1.9A (Ta)4.5V, 10V150 mOhm @ 2.2A, 10V3V @ 100µA5nC @ 4.5V±20V
-
-
950mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-70-6 (SOT-363)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI1450DH-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6 устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)8V4.53A (Ta), 6.04A (Tc)1.5V, 4.5V47 mOhm @ 4A, 4.5V1V @ 250µA7.05nC @ 5V±5V535pF @ 4V
-
1.56W (Ta), 2.78W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-70-6 (SOT-363)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI1488DH-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6 устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V6.1A (Tc)1.8V, 4.5V49 mOhm @ 4.6A, 4.5V950mV @ 250µA10nC @ 4.5V±8V530pF @ 10V
-
1.5W (Ta), 2.8W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-70-6 (SOT-363)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI2302ADS-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V2.1A (Ta)2.5V, 4.5V60 mOhm @ 3.6A, 4.5V1.2V @ 50µA10nC @ 4.5V±8V300pF @ 10V
-
700mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2303BDS-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3 устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V1.49A (Ta)4.5V, 10V200 mOhm @ 1.7A, 10V3V @ 250µA10nC @ 10V±20V180pF @ 15V
-
700mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2311DS-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 3A SOT23 устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)8V3A (Ta)1.8V, 4.5V45 mOhm @ 3.5A, 4.5V800mV @ 250µA12nC @ 4.5V±8V970pF @ 4V
-
710mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2311DS-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 3A SOT23 устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)8V3A (Ta)1.8V, 4.5V45 mOhm @ 3.5A, 4.5V800mV @ 250µA12nC @ 4.5V±8V970pF @ 4V
-
710mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2321DS-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23 устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V2.9A (Ta)1.8V, 4.5V57 mOhm @ 3.3A, 4.5V900mV @ 250µA13nC @ 4.5V±8V715pF @ 6V
-
710mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2321DS-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23 устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V2.9A (Ta)1.8V, 4.5V57 mOhm @ 3.3A, 4.5V900mV @ 250µA13nC @ 4.5V±8V715pF @ 6V
-
710mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2331DS-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3 устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)12V3.2A (Ta)1.8V, 4.5V48 mOhm @ 3.6A, 4.5V900mV @ 250µA14nC @ 4.5V±8V780pF @ 6V
-
710mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2331DS-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3 устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)12V3.2A (Ta)1.8V, 4.5V48 mOhm @ 3.6A, 4.5V900mV @ 250µA14nC @ 4.5V±8V780pF @ 6V
-
710mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  1. 62
  2. 63
  3. 64
  4. 65
  5. 66
  6. 67
  7. 68
  8. 69
  9. 70
  10. 71
Email: sales@icchip.ru
Copyright © 2019 ICCHIP ® Все права защищены