Texas Instruments агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные - CSD17313Q2Q1T CSD25202W15T - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Технологии	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (Макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Функция FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Пакет устройств поставщика	Упаковка / чехол
CSD17313Q2Q1T	Texas Instruments	MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	5A (Ta)	3V, 8V	30 mOhm @ 4A, 8V	1.8V @ 250µA	2.7nC @ 4.5V	+10V, -8V	340pF @ 15V	-	2.4W (Ta), 17W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-WSON (2x2)	6-WDFN Exposed Pad
CSD25202W15T	Texas Instruments	MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	4A (Ta)	1.8V, 4.5V	26 mOhm @ 2A, 4.5V	1.05V @ 250µA	7.5nC @ 4.5V	-6V	1010pF @ 10V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	9-DSBGA	9-UFBGA, DSBGA
CSD18534Q5AT	Texas Instruments	MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 8VSON	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	50A (Ta)	4.5V, 10V	9.8 mOhm @ 14A, 10V	2.3V @ 250µA	11.1nC @ 4.5V	±20V	1770pF @ 30V	-	3.1W (Ta), 77W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-VSONP (5x6)	8-PowerTDFN
CSD16323Q3C	Texas Instruments	MOSFET N-CH 25V 60A 8SON	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	25V	21A (Ta), 60A (Tc)	3V, 8V	4.5 mOhm @ 24A, 8V	1.4V @ 250µA	8.4nC @ 4.5V	+10V, -8V	1300pF @ 12.5V	-	3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SON-EP (3x3)	8-PowerTDFN
TPS1100DR	Texas Instruments	MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	15V	1.6A (Ta)	2.7V, 10V	180 mOhm @ 1.5A, 10V	1.5V @ 250µA	5.45nC @ 10V	+2V, -15V	-	-	791mW (Ta)	-40°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
CSD17576Q5BT	Texas Instruments	MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	100A (Ta)	4.5V, 10V	2 mOhm @ 25A, 10V	1.8V @ 250µA	32nC @ 4.5V	±20V	4430pF @ 15V	-	3.1W (Ta), 125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-VSONP (5x6)	8-PowerTDFN
TPS1101DR	Texas Instruments	MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	15V	2.3A (Ta)	2.7V, 10V	90 mOhm @ 2.5A, 10V	1.5V @ 250µA	11.25nC @ 10V	+2V, -15V	-	-	791mW (Ta)	-40°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
TPS1101DRG4	Texas Instruments	MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	15V	2.3A (Ta)	2.7V, 10V	90 mOhm @ 2.5A, 10V	1.5V @ 250µA	11.25nC @ 10V	+2V, -15V	-	-	791mW (Ta)	-40°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
CSD18511KCS	Texas Instruments	NEW LF VERSION OF CSD18502KCS	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	194A (Ta)	4.5V, 10V	2.6 mOhm @ 100A, 10V	2.4V @ 250µA	64nC @ 10V	±20V	5940pF @ 20V	-	188W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220-3
TPS1100DG4	Texas Instruments	MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	15V	1.6A (Ta)	2.7V, 10V	180 mOhm @ 1.5A, 10V	1.5V @ 250µA	5.45nC @ 10V	+2V, -15V	-	-	791mW (Ta)	-40°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
TPS1100PW	Texas Instruments	MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	15V	1.27A (Ta)	2.7V, 10V	180 mOhm @ 1.5A, 10V	1.5V @ 250µA	5.45nC @ 10V	+2V, -15V	-	-	504mW (Ta)	-40°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-TSSOP	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
CSD18511KTT	Texas Instruments	GEN1.4 40V-20V	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	194A (Ta)	4.5V, 10V	2.6 mOhm @ 100A, 10V	2.4V @ 250µA	64nC @ 10V	±20V	5940pF @ 20V	-	188W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
CSD18512Q5BT	Texas Instruments	MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	211A (Tc)	4.5V, 10V	1.6 mOhm @ 30A, 10V	2.2V @ 250µA	98nC @ 10V	±20V	7120pF @ 20V	-	139W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-VSON-CLIP (5x6)	8-PowerTDFN
CSD16325Q5C	Texas Instruments	MOSFET N-CH 25V 100A 8SON	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	25V	33A (Ta), 100A (Tc)	3V, 8V	2 mOhm @ 30A, 8V	1.4V @ 250µA	25nC @ 4.5V	+10V, -8V	4000pF @ 12.5V	-	3.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-VSON-CLIP (5x6)	8-PowerTDFN
CSD18510KTT	Texas Instruments	GEN1.4 40V-20V	в производстве	-	-	-	-	4.5V, 10V	-	-	-	±20V	-	-	-	-	SMD Поверхностный монтаж	DDPAK/TO-263-3	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
CSD16401Q5T	Texas Instruments	MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	25V	100A (Ta)	4.5V, 10V	1.6 mOhm @ 40A, 10V	1.9V @ 250µA	29nC @ 4.5V	+16V, -12V	4100pF @ 12.5V	-	3.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-VSON-CLIP (5x6)	8-PowerTDFN
CSD17556Q5BT	Texas Instruments	MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	100A (Ta)	4.5V, 10V	1.4 mOhm @ 40A, 10V	1.65V @ 250µA	39nC @ 4.5V	±20V	7020pF @ 15V	-	3.1W (Ta), 191W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-VSON-CLIP (5x6)	8-PowerTDFN
TPS1101DG4	Texas Instruments	MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	15V	2.3A (Ta)	2.7V, 10V	90 mOhm @ 2.5A, 10V	1.5V @ 250µA	11.25nC @ 10V	+2V, -15V	-	-	791mW (Ta)	-40°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
CSD17559Q5T	Texas Instruments	MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	100A (Ta)	4.5V, 10V	1.15 mOhm @ 40A, 10V	1.7V @ 250µA	51nC @ 4.5V	±20V	9200pF @ 15V	-	3.2W (Ta), 96W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-VSON-CLIP (5x6)	8-PowerTDFN
CSD16321Q5C	Texas Instruments	MOSFET N-CH 25V 100A 8SON	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	25V	31A (Ta), 100A (Tc)	3V, 8V	2.4 mOhm @ 25A, 8V	1.4V @ 250µA	19nC @ 4.5V	+10V, -8V	3100pF @ 12.5V	-	3.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-VSON-CLIP (5x6)	8-PowerTDFN
CSD19505KTTT	Texas Instruments	MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	200A (Ta)	6V, 10V	3.1 mOhm @ 100A, 10V	3.2V @ 250µA	76nC @ 10V	±20V	7920pF @ 40V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DDPAK/TO-263-3	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
CSD19506KTTT	Texas Instruments	IC MOSFET N-CH 80V TO-220	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	200A (Ta)	6V, 10V	2.3 mOhm @ 100A, 10V	3.2V @ 250µA	156nC @ 10V	±20V	12200pF @ 40V	-	375W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DDPAK/TO-263-3	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
CSD23201W10	Texas Instruments	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	2.2A (Tc)	1.5V, 4.5V	82 mOhm @ 500mA, 4.5V	1V @ 250µA	2.4nC @ 4.5V	-6V	325pF @ 6V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	4-DSBGA (1x1)	4-UFBGA, DSBGA
CSD25301W1015	Texas Instruments	MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	2.2A (Tc)	1.5V, 4.5V	75 mOhm @ 1A, 4.5V	1V @ 250µA	2.5nC @ 4.5V	±8V	270pF @ 10V	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-DSBGA (1x1.5)	6-UFBGA, DSBGA
CSD25401Q3	Texas Instruments	MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	14A (Ta), 60A (Tc)	2.5V, 4.5V	11.7 mOhm @ 10A, 4.5V	1.2V @ 250µA	12.3nC @ 4.5V	±12V	1400pF @ 10V	-	2.8W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-VSON-CLIP (3.3x3.3)	8-PowerTDFN
CSD25302Q2	Texas Instruments	MOSFET P-CH 20V 5A 6SON	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	5A (Tc)	1.8V, 4.5V	49 mOhm @ 3A, 4.5V	900mV @ 250µA	3.4nC @ 4.5V	±8V	350pF @ 10V	-	2.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-SON	6-SMD, Flat Leads
CSD25201W15	Texas Instruments	MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	4A (Ta)	1.8V, 4.5V	40 mOhm @ 2A, 4.5V	1.1V @ 250µA	5.6nC @ 4.5V	-6V	510pF @ 10V	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	9-DSBGA	9-UFBGA, DSBGA
CSD25303W1015	Texas Instruments	MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	3A (Tc)	1.8V, 4.5V	58 mOhm @ 1.5A, 4.5V	1V @ 250µA	4.3nC @ 4.5V	±8V	435pF @ 10V	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-DSBGA (1x1.5)	6-UFBGA, DSBGA

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные