Vishay агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные - SI7456DP-T1-GE3 SI7456DP-T1-E3 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Технологии	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (Макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Функция FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Пакет устройств поставщика	Упаковка / чехол
SI7456DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	5.7A (Ta)	6V, 10V	25 mOhm @ 9.3A, 10V	4V @ 250µA	44nC @ 10V	±20V	-	-	1.9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI7456DP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	5.7A (Ta)	6V, 10V	25 mOhm @ 9.3A, 10V	4V @ 250µA	44nC @ 10V	±20V	-	-	1.9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI7460DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	11A (Ta)	4.5V, 10V	9.6 mOhm @ 18A, 10V	3V @ 250µA	100nC @ 10V	±20V	-	-	1.9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI7460DP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	11A (Ta)	4.5V, 10V	9.6 mOhm @ 18A, 10V	3V @ 250µA	100nC @ 10V	±20V	-	-	1.9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI4190ADY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	18.4A (Tc)	4.5V, 10V	8.8 mOhm @ 15A, 10V	2.8V @ 250µA	67nC @ 10V	±20V	1970pF @ 50V	-	3W (Ta), 6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SI4497DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	36A (Tc)	4.5V, 10V	3.3 mOhm @ 20A, 10V	2.5V @ 250µA	285nC @ 10V	±20V	9685pF @ 15V	-	3.5W (Ta), 7.8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SI7102DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	35A (Tc)	2.5V, 4.5V	3.8 mOhm @ 15A, 4.5V	1V @ 250µA	110nC @ 8V	±8V	3720pF @ 6V	-	3.8W (Ta), 52W (Tc)	-50°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
SI7852ADP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	30A (Tc)	8V, 10V	17 mOhm @ 10A, 10V	4.5V @ 250µA	45nC @ 10V	±20V	1825pF @ 40V	-	5W (Ta), 62.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SUM70090E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 50A D2PK TO263	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	50A (Tc)	7.5V, 10V	8.9 mOhm @ 20A, 10V	4V @ 250µA	50nC @ 10V	±20V	1950pF @ 50V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-263 (D2Pak)	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRLD120PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	1.3A (Ta)	4V, 5V	270 mOhm @ 780mA, 5V	2V @ 250µA	12nC @ 5V	±10V	490pF @ 25V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	4-DIP, Hexdip, HVMDIP	4-DIP (0.300", 7.62mm)
SI4378DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	19A (Ta)	2.5V, 4.5V	2.7 mOhm @ 25A, 4.5V	1.8V @ 250µA	55nC @ 4.5V	±12V	8500pF @ 10V	-	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SUD25N15-52-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 25A TO252	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150V	25A (Tc)	6V, 10V	52 mOhm @ 5A, 10V	4V @ 250µA	40nC @ 10V	±20V	1725pF @ 25V	-	3W (Ta), 136W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252, (D-Pak)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SI4378DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	19A (Ta)	2.5V, 4.5V	2.7 mOhm @ 25A, 4.5V	1.8V @ 250µA	55nC @ 4.5V	±12V	8500pF @ 10V	-	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SI7846DP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150V	4A (Ta)	10V	50 mOhm @ 5A, 10V	4.5V @ 250µA	36nC @ 10V	±20V	-	-	1.9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI7190DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	250V	18.4A (Tc)	6V, 10V	118 mOhm @ 4.4A, 10V	4V @ 250µA	72nC @ 10V	±20V	2214pF @ 125V	-	5.4W (Ta), 96W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SUD50P06-15-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 50A TO-252	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	50A (Tc)	4.5V, 10V	15 mOhm @ 17A, 10V	3V @ 250µA	165nC @ 10V	±20V	4950pF @ 25V	-	2.5W (Ta), 113W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252, (D-Pak)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IRF540STRLPBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	28A (Tc)	10V	77 mOhm @ 17A, 10V	4V @ 250µA	72nC @ 10V	±20V	1700pF @ 25V	-	3.7W (Ta), 150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D²PAK (TO-263)	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SI7145DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	60A (Tc)	4.5V, 10V	2.6 mOhm @ 25A, 10V	2.3V @ 250µA	413nC @ 10V	±20V	15660pF @ 15V	-	6.25W (Ta), 104W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI7137DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	60A (Tc)	2.5V, 10V	1.95 mOhm @ 25A, 10V	1.4V @ 250µA	585nC @ 10V	±12V	20000pF @ 10V	-	6.25W (Ta), 104W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI4423DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	10A (Ta)	1.8V, 4.5V	7.5 mOhm @ 14A, 4.5V	900mV @ 600µA	175nC @ 5V	±8V	-	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
IRF9640STRLPBF	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	11A (Tc)	10V	500 mOhm @ 6.6A, 10V	4V @ 250µA	44nC @ 10V	±20V	1200pF @ 25V	-	3W (Ta), 125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SI7141DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	60A (Tc)	4.5V, 10V	1.9 mOhm @ 25A, 10V	2.3V @ 250µA	400nC @ 10V	±20V	14300pF @ 10V	-	6.25W (Ta), 104W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI7450DP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	3.2A (Ta)	6V, 10V	80 mOhm @ 4A, 10V	4.5V @ 250µA	42nC @ 10V	±20V	-	-	1.9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI7178DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	60A (Tc)	10V	14 mOhm @ 10A, 10V	4.5V @ 250µA	72nC @ 10V	±20V	2870pF @ 50V	-	6.25W (Ta), 104W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI4434DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	250V	2.1A (Ta)	6V, 10V	155 mOhm @ 3A, 10V	4V @ 250µA	50nC @ 10V	±20V	-	-	1.56W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SI4456DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	33A (Tc)	4.5V, 10V	3.8 mOhm @ 20A, 10V	2.8V @ 250µA	122nC @ 10V	±20V	5670pF @ 20V	-	3.5W (Ta), 7.8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SIR882DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	60A (Tc)	4.5V, 10V	8.7 mOhm @ 20A, 10V	2.8V @ 250µA	58nC @ 10V	±20V	1930pF @ 50V	-	5.4W (Ta), 83W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SIR826ADP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	60A (Tc)	4.5V, 10V	5.5 mOhm @ 20A, 10V	2.8V @ 250µA	86nC @ 10V	±20V	2800pF @ 40V	-	6.25W (Ta), 104W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI7469DP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	28A (Tc)	4.5V, 10V	25 mOhm @ 10.2A, 10V	3V @ 250µA	160nC @ 10V	±20V	4700pF @ 40V	-	5.2W (Ta), 83.3W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SIR880DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	60A (Tc)	4.5V, 10V	5.9 mOhm @ 20A, 10V	2.8V @ 250µA	74nC @ 10V	±20V	2440pF @ 40V	-	6.25W (Ta), 104W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI7430DP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150V	26A (Tc)	8V, 10V	45 mOhm @ 5A, 10V	4.5V @ 250µA	43nC @ 10V	±20V	1735pF @ 50V	-	5.2W (Ta), 64W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI7738DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150V	30A (Tc)	10V	38 mOhm @ 7.7A, 10V	4V @ 250µA	53nC @ 10V	±20V	2100pF @ 75V	-	5.4W (Ta), 96W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SUD40N08-16-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V 40A TO252	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	40A (Tc)	10V	16 mOhm @ 40A, 10V	4V @ 250µA	60nC @ 10V	±20V	1960pF @ 25V	-	3W (Ta), 136W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252, (D-Pak)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SI7172DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	25A (Tc)	6V, 10V	70 mOhm @ 5.9A, 10V	4V @ 250µA	77nC @ 10V	±20V	2250pF @ 100V	-	5.4W (Ta), 96W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SIR470DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	60A (Tc)	4.5V, 10V	2.3 mOhm @ 20A, 10V	2.5V @ 250µA	155nC @ 10V	±20V	5660pF @ 20V	-	6.25W (Ta), 104W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SIR804DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	60A (Tc)	4.5V, 10V	7.2 mOhm @ 20A, 10V	3V @ 250µA	76nC @ 10V	±20V	2450pF @ 50V	-	6.25W (Ta), 104W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SIR872DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150V	53.7A (Tc)	10V	18 mOhm @ 20A, 10V	3.5V @ 250µA	64nC @ 10V	±20V	2130pF @ 75V	-	6.25W (Ta), 104W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI7434DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	250V	2.3A (Ta)	6V, 10V	155 mOhm @ 3.8A, 10V	4V @ 250µA	50nC @ 10V	±20V	-	-	1.9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SQJ469EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	32A (Tc)	6V, 10V	25 mOhm @ 10.2A, 10V	2.5V @ 250µA	155nC @ 10V	±20V	5100pF @ 40V	-	100W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SQD50P06-15L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 50A TO252	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	50A (Tc)	4.5V, 10V	15.5 mOhm @ 17A, 10V	2.5V @ 250µA	150nC @ 10V	±20V	5910pF @ 25V	-	136W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252, (D-Pak)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SUD19N20-90-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 19A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	19A (Tc)	6V, 10V	90 mOhm @ 5A, 10V	4V @ 250µA	51nC @ 10V	±20V	1800pF @ 25V	-	3W (Ta), 136W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252, (D-Pak)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SUM60N10-17-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 60A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	60A (Tc)	6V, 10V	16.5 mOhm @ 30A, 10V	4V @ 250µA	100nC @ 10V	±20V	4300pF @ 25V	-	3.75W (Ta), 150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-263 (D2Pak)	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SUM55P06-19L-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 55A D2PAK	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	55A (Tc)	4.5V, 10V	19 mOhm @ 30A, 10V	3V @ 250µA	115nC @ 10V	±20V	3500pF @ 25V	-	3.75W (Ta), 125W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-263 (D2Pak)	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SI7174DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75V	60A (Tc)	10V	7 mOhm @ 10A, 10V	4.5V @ 250µA	72nC @ 10V	±20V	2770pF @ 40V	-	6.25W (Ta), 104W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
IRFR9214PBF	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	250V	2.7A (Tc)	10V	3 Ohm @ 1.7A, 10V	4V @ 250µA	14nC @ 10V	±20V	220pF @ 25V	-	50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D-Pak	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IRFZ44PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	50A (Tc)	10V	28 mOhm @ 31A, 10V	4V @ 250µA	67nC @ 10V	±20V	1900pF @ 25V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
IRF740PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	400V	10A (Tc)	10V	550 mOhm @ 6A, 10V	4V @ 250µA	63nC @ 10V	±20V	1400pF @ 25V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
SUM90140E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	90A (Tc)	7.5V, 10V	17 mOhm @ 30A, 10V	4V @ 250µA	96nC @ 10V	±20V	4132pF @ 100V	-	375W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D²PAK (TO-263)	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SQD25N15-52_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 25A TO252	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150V	25A (Tc)	10V	52 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 250µA	51nC @ 10V	±20V	2200pF @ 25V	-	107W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252, (D-Pak)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IRF540PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	28A (Tc)	10V	77 mOhm @ 17A, 10V	4V @ 250µA	72nC @ 10V	±20V	1700pF @ 25V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные