Vishay агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные - SI3483CDV-T1-E3 IRFR420TRPBF - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Технологии	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (Макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Функция FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Пакет устройств поставщика	Упаковка / чехол
SI3483CDV-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	8A (Tc)	10V	34 mOhm @ 6.1A, 10V	3V @ 250µA	33nC @ 10V	±20V	1000pF @ 15V	-	2W (Ta), 4.2W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSOP	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
IRFR420TRPBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500V	2.4A (Tc)	10V	3 Ohm @ 1.4A, 10V	4V @ 250µA	19nC @ 10V	±20V	360pF @ 25V	-	2.5W (Ta), 42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D-Pak	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IRFR9024TRPBF	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	8.8A (Tc)	10V	280 mOhm @ 5.3A, 10V	4V @ 250µA	19nC @ 10V	±20V	570pF @ 25V	-	2.5W (Ta), 42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D-Pak	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IRFR024TRPBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 14A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	14A (Tc)	10V	100 mOhm @ 8.4A, 10V	4V @ 250µA	25nC @ 10V	±20V	640pF @ 25V	-	2.5W (Ta), 42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D-Pak	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IRLR024TRPBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 14A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	14A (Tc)	4V, 5V	100 mOhm @ 8.4A, 5V	2V @ 250µA	18nC @ 5V	±10V	870pF @ 25V	-	2.5W (Ta), 42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D-Pak	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SISS10DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	60A (Tc)	4.5V, 10V	2.65 mOhm @ 15A, 10V	2.4V @ 250µA	75nC @ 10V	+20V, -16V	3750pF @ 20V	-	57W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)	8-PowerVDFN
SQJ423EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 40V 55A POWERPAKSO-8	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	55A (Tc)	4.5V, 10V	14 mOhm @ 10A, 10V	2.5V @ 250µA	130nC @ 10V	±20V	4500pF @ 25V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI5403DC-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	6A (Tc)	4.5V, 10V	30 mOhm @ 7.2A, 10V	3V @ 250µA	42nC @ 10V	±20V	1340pF @ 15V	-	2.5W (Ta), 6.3W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	1206-8 ChipFET™	8-SMD, Flat Lead
SI7629DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	35A (Tc)	2.5V, 10V	4.6 mOhm @ 20A, 10V	1.5V @ 250µA	177nC @ 10V	±12V	5790pF @ 10V	-	3.7W (Ta), 52W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
SI4874BDY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	12A (Ta)	4.5V, 10V	7 mOhm @ 16A, 10V	3V @ 250µA	25nC @ 4.5V	±20V	3230pF @ 15V	-	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SI4384DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	10A (Ta)	4.5V, 10V	8.5 mOhm @ 15A, 10V	3V @ 250µA	18nC @ 4.5V	±20V	-	-	1.47W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SQS460EN-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 8A	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	8A (Tc)	4.5V, 10V	36 mOhm @ 5.3A, 10V	2.5V @ 250µA	20nC @ 10V	±20V	755pF @ 25V	-	39W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
SI7317DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150V	2.8A (Tc)	6V, 10V	1.2 Ohm @ 500mA, 10V	4.5V @ 250µA	9.8nC @ 10V	±30V	365pF @ 75V	-	3.2W (Ta), 19.8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
SIR466DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	40A (Tc)	4.5V, 10V	3.5 mOhm @ 15A, 10V	2.4V @ 250µA	65nC @ 10V	±20V	2730pF @ 15V	-	5W (Ta), 54W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI7308DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	6A (Tc)	4.5V, 10V	58 mOhm @ 5.4A, 10V	3V @ 250µA	20nC @ 10V	±20V	665pF @ 15V	-	3.2W (Ta), 19.8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
SUD19P06-60-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	18.3A (Tc)	4.5V, 10V	60 mOhm @ 10A, 10V	3V @ 250µA	40nC @ 10V	±20V	1710pF @ 25V	-	2.3W (Ta), 38.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252, (D-Pak)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SI4483ADY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	19.2A (Tc)	4.5V, 10V	8.8 mOhm @ 10A, 10V	2.6V @ 250µA	135nC @ 10V	±25V	3900pF @ 15V	-	2.9W (Ta), 5.9W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SQJ407EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAKSO-8	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	60A (Tc)	4.5V, 10V	4.4 mOhm @ 10A, 10V	2.5V @ 250µA	260nC @ 10V	±20V	10700pF @ 25V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SQD40131EL_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	50A (Tc)	4.5V, 10V	11.5 mOhm @ 30A, 10V	2.5V @ 250µA	115nC @ 10V	±20V	6600pF @ 25V	-	62W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252AA	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SI7315DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150V	8.9A (Tc)	7.5V, 10V	315 mOhm @ 2.4A, 10V	4V @ 250µA	30nC @ 10V	±30V	880pF @ 75V	-	3.8W (Ta), 52W (Tc)	-50°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
SIR698DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	7.5A (Tc)	6V, 10V	195 mOhm @ 2.5A, 10V	3.5V @ 250µA	8nC @ 10V	±20V	210pF @ 50V	-	3.7W (Ta), 23W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI5476DU-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	12A (Tc)	4.5V, 10V	34 mOhm @ 4.6A, 10V	3V @ 250µA	32nC @ 10V	±20V	1100pF @ 30V	-	3.1W (Ta), 31W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)	8-PowerVDFN
IRLR120TRPBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	7.7A (Tc)	4V, 5V	270 mOhm @ 4.6A, 5V	2V @ 250µA	12nC @ 5V	±10V	490pF @ 25V	-	2.5W (Ta), 42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D-Pak	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SI4427BDY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	9.7A (Ta)	2.5V, 10V	10.5 mOhm @ 12.6A, 10V	1.4V @ 250µA	70nC @ 4.5V	±12V	-	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SI7143DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	35A (Tc)	4.5V, 10V	10 mOhm @ 16.1A, 10V	2.8V @ 250µA	71nC @ 10V	±20V	2230pF @ 15V	-	4.2W (Ta), 35.7W (Tc)	-50°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI4884BDY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	16.5A (Tc)	4.5V, 10V	9 mOhm @ 10A, 10V	3V @ 250µA	35nC @ 10V	±20V	1525pF @ 15V	-	2.5W (Ta), 4.45W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
IRFR214TRPBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	250V	2.2A (Tc)	10V	2 Ohm @ 1.3A, 10V	4V @ 250µA	8.2nC @ 10V	±20V	140pF @ 25V	-	2.5W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D-Pak	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SI7421DN-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	6.4A (Ta)	4.5V, 10V	25 mOhm @ 9.8A, 10V	3V @ 250µA	40nC @ 10V	±20V	-	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
SIR616DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 20.2A SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	20.2A (Tc)	7.5V, 10V	50.5 mOhm @ 10A, 10V	4V @ 250µA	28nC @ 7.5V	±20V	1450pF @ 100V	-	52W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI7112DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	11.3A (Tc)	4.5V, 10V	7.5 mOhm @ 17.8A, 10V	1.5V @ 250µA	27nC @ 4.5V	±12V	2610pF @ 15V	-	1.5W (Ta)	-50°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
SIJ478DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	60A (Tc)	4.5V, 10V	8 mOhm @ 20A, 10V	2.6V @ 250µA	54nC @ 10V	±20V	1855pF @ 40V	-	5W (Ta), 62.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI7120ADN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 PPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	6A (Ta)	4.5V, 10V	21 mOhm @ 9.5A, 10V	3V @ 250µA	45nC @ 10V	±20V	-	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
SI7858BDP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	40A (Tc)	1.8V, 4.5V	2.5 mOhm @ 15A, 4.5V	1V @ 250µA	84nC @ 4.5V	±8V	5760pF @ 6V	-	5W (Ta), 48W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
IRFR9214TRPBF	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	250V	2.7A (Tc)	10V	3 Ohm @ 1.7A, 10V	4V @ 250µA	14nC @ 10V	±20V	220pF @ 25V	-	50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SI7110DN-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	13.5A (Ta)	4.5V, 10V	5.3 mOhm @ 21.1A, 10V	2.5V @ 250µA	21nC @ 4.5V	±20V	-	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
SI6415DQ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	-	4.5V, 10V	19 mOhm @ 6.5A, 10V	1V @ 250µA (Min)	70nC @ 10V	±20V	-	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-TSSOP	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
SIR800DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	50A (Tc)	2.5V, 10V	2.3 mOhm @ 15A, 10V	1.5V @ 250µA	133nC @ 10V	±12V	5125pF @ 10V	-	5.2W (Ta), 69W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
IRFR420TRLPBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500V	2.4A (Tc)	10V	3 Ohm @ 1.4A, 10V	4V @ 250µA	19nC @ 10V	±20V	360pF @ 25V	-	2.5W (Ta), 42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D-Pak	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IRF610PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	3.3A (Tc)	10V	1.5 Ohm @ 2A, 10V	4V @ 250µA	8.2nC @ 10V	±20V	140pF @ 25V	-	36W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
SI4490DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	2.85A (Ta)	6V, 10V	80 mOhm @ 4A, 10V	2V @ 250µA (Min)	42nC @ 10V	±20V	-	-	1.56W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SI4488DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150V	3.5A (Ta)	10V	50 mOhm @ 5A, 10V	2V @ 250µA (Min)	36nC @ 10V	±20V	-	-	1.56W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SIR880ADP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	60A (Tc)	4.5V, 10V	6.3 mOhm @ 20A, 10V	3V @ 250µA	72nC @ 10V	±20V	2289pF @ 40V	-	5.4W (Ta), 83W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI4465ADY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 8V 8SOIC	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	8V	-	1.8V, 4.5V	9 mOhm @ 14A, 4.5V	1V @ 250µA	85nC @ 4.5V	±8V	-	-	3W (Ta), 6.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SIR404DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	60A (Tc)	2.5V, 10V	1.6 mOhm @ 20A, 10V	1.5V @ 250µA	97nC @ 4.5V	±12V	8130pF @ 10V	-	6.25W (Ta), 104W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
IRF9510PBF	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	4A (Tc)	10V	1.2 Ohm @ 2.4A, 10V	4V @ 250µA	8.7nC @ 10V	±20V	200pF @ 25V	-	43W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
IRFD014PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	1.7A (Ta)	10V	200 mOhm @ 1A, 10V	4V @ 250µA	11nC @ 10V	±20V	310pF @ 25V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	4-DIP, Hexdip, HVMDIP	4-DIP (0.300", 7.62mm)
IRLZ14PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	10A (Tc)	4V, 5V	200 mOhm @ 6A, 5V	2V @ 250µA	8.4nC @ 5V	±10V	400pF @ 25V	-	43W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
IRF710PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	400V	2A (Tc)	10V	3.6 Ohm @ 1.2A, 10V	4V @ 250µA	17nC @ 10V	±20V	170pF @ 25V	-	36W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
IRFD9014PBF	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	1.1A (Ta)	10V	500 mOhm @ 660mA, 10V	4V @ 250µA	12nC @ 10V	±20V	270pF @ 25V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	4-DIP, Hexdip, HVMDIP	4-DIP (0.300", 7.62mm)
SI4455DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150V	2.8A (Tc)	10V	295 mOhm @ 4A, 10V	4V @ 250µA	42nC @ 10V	±20V	1190pF @ 50V	-	3.1W (Ta), 5.9W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные