Diodes Incorporated агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные - DMP2045UFY4-7 DMN2100UDM-7 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Технологии	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (Макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Функция FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Пакет устройств поставщика	Упаковка / чехол
DMP2045UFY4-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 16V DFN-3	Preliminary	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	4.7A (Ta)	1.5V, 4.5V	45 mOhm @ 4A, 4.5V	1V @ 250µA	6.8nC @ 4.5V	±8V	634pF @ 10V	-	670mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	X2-DFN2015-3	3-XDFN
DMN2100UDM-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	3.3A (Ta)	1.5V, 4.5V	55 mOhm @ 6A, 4.5V	1V @ 250µA	-	±8V	555pF @ 10V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-26	SOT-23-6
DMG4466SSSL-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 10A 8SO	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	10A (Ta)	4.5V, 10V	23 mOhm @ 10A, 10V	2.4V @ 250µA	17nC @ 10V	±20V	478.9pF @ 15V	-	1.42W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
DMN30H4D0L-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	300V	250mA (Ta)	2.7V, 10V	4 Ohm @ 300mA, 10V	3V @ 250µA	7.6nC @ 10V	±20V	187.3pF @ 25V	-	310mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP6110SSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 60V 8SOIC	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	-	4.5V, 10V	110 mOhm @ 4.5A, 10V	3V @ 250µA	19.4nC @ 10V	±20V	1030pF @ 30V	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
DMN1004UFV-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	70A (Tc)	2.5V, 4.5V	3.8 mOhm @ 15A, 4.5V	1V @ 250µA	47nC @ 8V	±8V	2385pF @ 6V	-	1.9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI3333-8	8-PowerVDFN
DMN3010LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 43A TO252	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	13.1A (Ta), 43A (Tc)	4.5V, 10V	9.5 mOhm @ 18A, 10V	2.5V @ 250µA	37nC @ 10V	±20V	2075pF @ 15V	-	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252-3	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DMG7702SFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	12A (Ta)	4.5V, 10V	10 mOhm @ 13.5A, 10V	2.5V @ 250µA	31.6nC @ 10V	±20V	4310pF @ 15V	Schottky Diode (Body)	890mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI3333-8	8-PowerWDFN
DMP4047SK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 40V 20A TO252	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	20A (Tc)	4.5V, 10V	45 mOhm @ 4.4A, 10V	3V @ 250µA	23.2nC @ 10V	±20V	1328pF @ 20V	-	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DMN2044UCB4-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 8V 24V U-WLB1010-4	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	3.3A (Ta)	1.5V, 4.5V	40 mOhm @ 1.5A, 4.5V	900mV @ 250µA	47nC @ 8V	±8V	1400pF @ 10V	-	720mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	U-WLB1010-4	4-UFBGA, WLBGA
DMN10H220LE-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	2.3A (Ta)	4.5V, 10V	220 mOhm @ 1.6A, 10V	2.5V @ 250µA	8.3nC @ 10V	±20V	401pF @ 25V	-	1.8W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
DMP3036SFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	8.7A (Ta)	5V, 10V	20 mOhm @ 8A, 10V	2.5V @ 250µA	16.5nC @ 10V	±25V	1931pF @ 15V	-	950mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI3333-8	8-PowerWDFN
DMN6040SVT-7	Diodes Incorporated	MOSFET N CH 60V 5A TSOT26	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	5A (Ta)	4.5V, 10V	44 mOhm @ 4.3A, 10V	3V @ 250µA	22.4nC @ 10V	±20V	1287pF @ 25V	-	1.2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TSOT-26	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
DMN6068SE-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	4.1A (Ta)	4.5V, 10V	68 mOhm @ 12A, 10V	3V @ 250µA	10.3nC @ 10V	±20V	502pF @ 30V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
DMT10H025SSS-13	Diodes Incorporated	MOSFETN-CHAN 100V SO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	7.4A (Ta)	6V, 10V	23 mOhm @ 20A, 10V	4V @ 250µA	21.4nC @ 10V	±20V	1544pF @ 50V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
DMN1032UCB4-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	4.8A (Ta)	1.8V, 4.5V	26 mOhm @ 1A, 4.5V	1.2V @ 250µA	4.5nC @ 4.5V	±8V	450pF @ 6V	-	900mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	U-WLB1010-4	4-UFBGA, WLBGA
DMN6040SFDE-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 5.3A U-DFN	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	5.3A (Ta)	4.5V, 10V	38 mOhm @ 4.3A, 10V	3V @ 250µA	22.4nC @ 10V	±20V	1287pF @ 25V	-	660mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	U-DFN2020-6 (Type E)	6-UDFN Exposed Pad
ZXM64P03XTA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	3.8A (Ta)	4.5V, 10V	75 mOhm @ 2.4A, 10V	1V @ 250µA	46nC @ 10V	±20V	825pF @ 25V	-	1.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-MSOP	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
DMTH6016LPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	9.8A (Ta), 37A (Tc)	4.5V, 10V	16 mOhm @ 20A, 10V	2.5V @ 250µA	17nC @ 10V	±20V	864pF @ 30V	-	2.6W (Ta), 37.5W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI5060-8	8-PowerTDFN
DMN2027UPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 10A POWERDI5060	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	10A (Ta), 36A (Tc)	2.5V, 4.5V	12.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V	1.3V @ 250µA	11.6nC @ 4.5V	±12V	1091pF @ 10V	-	1.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI5060-8	8-PowerTDFN
DMP3098LDM-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 4A SOT-26	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	4A (Ta)	4.5V, 10V	65 mOhm @ 4A, 10V	2.1V @ 250µA	7.8nC @ 10V	±20V	336pF @ 25V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-26	SOT-23-6
DMN100-7-F	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	1.1A (Ta)	4.5V, 10V	240 mOhm @ 1A, 10V	3V @ 1mA	5.5nC @ 10V	±20V	150pF @ 10V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-59-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMT3006LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	16A (Ta), 65A (Tc)	4.5V, 10V	6 mOhm @ 20A, 10V	3V @ 250µA	22.6nC @ 10V	±20V	1320pF @ 15V	-	1.3W (Ta), 42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI5060-8	8-PowerTDFN
DMN6040SVTQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	5A (Ta)	4.5V, 10V	44 mOhm @ 4.3A, 10V	3V @ 250µA	22.4nC @ 10V	±20V	1287pF @ 25V	-	1.2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TSOT-26	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
DMN6040SK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N CH 60V 20A TO252	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	20A (Ta)	4.5V, 10V	40 mOhm @ 20A, 10V	3V @ 250µA	22.4nC @ 10V	±20V	1287pF @ 25V	-	42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252, (D-Pak)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DMN4030LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	9.4A (Ta)	4.5V, 10V	30 mOhm @ 12A, 10V	3V @ 250µA	12.9nC @ 10V	±20V	604pF @ 20V	-	2.14W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252-3	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DMN10H099SFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	4.2A (Ta)	6V, 10V	80 mOhm @ 3.3A, 10V	3V @ 250µA	25.2nC @ 10V	±20V	1172pF @ 50V	-	980mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI3333-8	8-PowerWDFN
DMT2004UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 24V 14.1A UDFN2020	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	24V	14.1A (Ta)	2.5V, 10V	6 mOhm @ 9A, 10V	1.45V @ 250µA	53.7nC @ 10V	±12V	1683pF @ 15V	-	800mW (Ta), 12.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	U-DFN2020-6 (Type F)	6-UDFN Exposed Pad
DMN1016UCB6-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	5.5A (Ta)	2.5V, 4.5V	20 mOhm @ 1.5A, 4.5V	1V @ 250µA	4.2nC @ 4.5V	±8V	423pF @ 6V	-	920mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	U-WLB1510-6	6-UFBGA, WLBGA
DMN10H170SK3Q-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	12A (Tc)	4.5V, 10V	140 mOhm @ 5A, 10V	3V @ 250µA	9.7nC @ 10V	±20V	1167pF @ 25V	-	42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DMP6250SE-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	2.1A (Ta)	4.5V, 10V	250 mOhm @ 1A, 10V	3V @ 250µA	9.7nC @ 10V	±20V	551pF @ 30V	-	1.8W (Ta), 14W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
DMS3014SFGQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 25V30V POWERDI333	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	9.5A (Ta)	4.5V, 10V	14.5 mOhm @ 10.4A, 10V	2.2V @ 250µA	19.3nC @ 10V	±12V	4310pF @ 15V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI3333-8	8-PowerVDFN
DMN3008SFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	17.6A (Ta)	4.5V, 10V	4.6 mOhm @ 13.5A, 10V	2.3V @ 250µA	86nC @ 10V	±20V	3690pF @ 10V	-	900mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI3333-8	8-PowerWDFN
DMN4010LFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	11.5A (Ta)	4.5V, 10V	12 mOhm @ 14A, 10V	3V @ 250µA	37nC @ 10V	±20V	1810pF @ 20V	-	930mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI3333-8	8-PowerWDFN
DMN3009LFVW-7	Diodes Incorporated	MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	60A (Tc)	4.5V, 10V	5 mOhm @ 30A, 10V	2.5V @ 250µA	42nC @ 10V	±20V	2000pF @ 15V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI3333-8	8-PowerVDFN
DMP3012LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 45A POWERDI	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	13.2A (Ta)	4.5V, 10V	9 mOhm @ 10A, 10V	2.1V @ 250µA	139nC @ 10V	±20V	6807pF @ 15V	-	1.29W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI5060-8	8-PowerTDFN
DMP6050SPS-13	Diodes Incorporated	MOSFETP-CH 60VPOWERDI5060-8	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	5.7A (Ta)	4.5V, 10V	50 mOhm @ 5A, 10V	3V @ 250µA	30nC @ 10V	±20V	2.163nF @ 30V	-	1.3W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI5060-8	8-PowerTDFN
ZVN3320A	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	100mA (Ta)	10V	25 Ohm @ 100mA, 10V	3V @ 1mA	-	±20V	45pF @ 25V	-	625mW (Ta)	-	Through Hole	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
DMP6185SK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 60V 9.4A T0252	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	9.4A (Tc)	4.5V, 10V	150 mOhm @ 12A, 10V	3V @ 250µA	14nC @ 10V	±20V	708pF @ 30V	-	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ZVN2110ASTZ	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	320mA (Ta)	10V	4 Ohm @ 1A, 10V	2.4V @ 1mA	-	±20V	75pF @ 25V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	E-Line (TO-92 compatible)	E-Line-3
DMT6015LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	9.2A (Ta)	4.5V, 10V	16 mOhm @ 10A, 10V	2.5V @ 250µA	18.9nC @ 30V	±16V	1103pF @ 30V	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ZVP2120GTA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT223	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	200mA (Ta)	10V	25 Ohm @ 150mA, 10V	3.5V @ 1mA	-	-	100pF @ 25V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
ZXMN2B03E6TA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	40 mOhm @ 4.3A, 4.5V	1V @ 250µA	14.5nC @ 4.5V	±8V	1160pF @ 10V	-	1.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-6	SOT-23-6
ZVP3306FTA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	90mA (Ta)	10V	14 Ohm @ 200mA, 10V	3.5V @ 1mA	-	±20V	50pF @ 18V	-	330mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2021UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	9A (Ta)	1.5V, 4.5V	16 mOhm @ 7A, 4.5V	1V @ 250µA	59nC @ 8V	±8V	2760pF @ 15V	-	730mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	U-DFN2020-6 (Type F)	6-UDFN Exposed Pad
DMP3020LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	12A (Ta)	4.5V, 10V	14 mOhm @ 8A, 10V	2V @ 250µA	30.7nC @ 10V	±25V	1802pF @ 15V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOP	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
DMN3009SFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	16A (Ta), 45A (Tc)	4.5V, 10V	5.5 mOhm @ 20A, 10V	2.5V @ 250µA	42nC @ 10V	±20V	2000pF @ 15V	-	900mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI3333-8	8-PowerWDFN
DMTH4005SK3Q-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 40V 95A TO252	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	95A (Tc)	10V	4.5 mOhm @ 50A, 10V	4V @ 250µA	49.1nC @ 10V	±20V	3062pF @ 20V	-	2.1W (Ta), 100W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252-4L	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
DMTH6009LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	11.76A (Ta), 89.5A (Tc)	4.5V, 10V	10 mOhm @ 20A, 10V	2V @ 250µA	15.6nC @ 4.5V	±16V	1925pF @ 30V	-	2.8W (Ta), 136W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI5060-8	8-PowerTDFN
ZXMN2A03E6TA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	3.7A (Ta)	2.5V, 4.5V	55 mOhm @ 7.2A, 4.5V	700mV @ 250µA	8.2nC @ 4.5V	±12V	837pF @ 10V	-	1.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-6	SOT-23-6

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные