Diodes Incorporated агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные - DMG6402LDM-7 DMG4496SSS-13 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Технологии	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (Макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Функция FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Пакет устройств поставщика	Упаковка / чехол
DMG6402LDM-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	5.3A (Ta)	4.5V, 10V	27 mOhm @ 7A, 10V	2V @ 250µA	9.2nC @ 10V	±20V	404pF @ 15V	-	1.12W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-26	SOT-23-6
DMG4496SSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 10A 8SO	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	10A (Ta)	4.5V, 10V	21.5 mOhm @ 10A, 10V	2V @ 250µA	10.2nC @ 10V	±25V	493.5pF @ 15V	-	1.42W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOP	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
DMG4466SSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 10A 8SO	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	10A (Ta)	4.5V, 10V	23 mOhm @ 10A, 10V	2.4V @ 250µA	17nC @ 10V	±25V	478.9pF @ 15V	-	1.42W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOP	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
DMP1096UCB4-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	2.6A (Ta)	1.5V, 4.5V	102 mOhm @ 500mA, 4.5V	1V @ 250µA	3.7nC @ 4.5V	-5V	251pF @ 6V	-	820mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	U-WLB1010-4	4-UFBGA, WLBGA
DMN2028UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	7.9A (Ta)	1.5V, 4.5V	25 mOhm @ 4A, 4.5V	1V @ 250µA	18nC @ 8V	±8V	907pF @ 10V	-	660mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	U-DFN2020-6 (Type F)	6-UDFN Exposed Pad
DMP2066UFDE-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	6.2A (Ta)	1.8V, 4.5V	36 mOhm @ 4.6A, 4.5V	1.1V @ 250µA	14.4nC @ 4.5V	±12V	1537pF @ 10V	-	660mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	U-DFN2020-6 (Type E)	6-UDFN Exposed Pad
DMP2004TK-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 0.43A SOT-523	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	430mA (Ta)	1.8V, 4.5V	1.1 Ohm @ 430mA, 4.5V	1V @ 250µA	-	±8V	175pF @ 16V	-	150mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-523	SOT-523
DMN2020UFCL-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	9A (Ta)	1.8V, 4.5V	14 mOhm @ 9A, 4.5V	900mV @ 250µA	21.5nC @ 4.5V	±10V	1788pF @ 10V	-	610mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	X1-DFN1616-6 (Type E)	6-PowerUFDFN
DMS3014SFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 9.5A POWERDI	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	9.5A (Ta)	1.8V, 4.5V	13 mOhm @ 10.4A, 10V	2.2V @ 250µA	45.7nC @ 10V	±12V	4310pF @ 15V	Schottky Diode (Body)	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI3333-8	8-PowerWDFN
DMN6070SFCL-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	3A (Ta)	4V, 10V	85 mOhm @ 1.5A, 10V	3V @ 250µA	12.3nC @ 10V	±20V	606pF @ 20V	-	600mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	X1-DFN1616-6 (Type E)	6-PowerUFDFN
DMN4800LSSL-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	8A (Ta)	4.5V, 10V	14 mOhm @ 8A, 10V	1.6V @ 250µA	8.7nC @ 5V	±20V	798pF @ 10V	-	1.46W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
DMN66D0LT-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	115mA (Ta)	5V, 10V	5 Ohm @ 115mA, 10V	2V @ 250µA	-	±20V	23pF @ 25V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-523	SOT-523
DMG4800LFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	7.44A (Ta)	4.5V, 10V	17 mOhm @ 9A, 10V	1.5V @ 250µA	9.47nC @ 5V	±25V	798pF @ 10V	-	940mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	U-DFN3030-8	8-PowerUDFN
DMN3025LFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	7.5A (Ta)	4.5V, 10V	18 mOhm @ 7.8A, 10V	2V @ 250µA	11.6nC @ 10V	±20V	605pF @ 15V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI3333-8	8-PowerWDFN
DMN3115UDM-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	3.2A (Ta)	1.5V, 4.5V	60 mOhm @ 6A, 4.5V	1V @ 250µA	-	±8V	476pF @ 15V	-	900mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-26	SOT-23-6
ZXMN3A01ZTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	2.2A (Ta)	4.5V, 10V	120 mOhm @ 2.5A, 10V	1V @ 250µA	5nC @ 10V	±20V	186pF @ 25V	-	970mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-89	TO-243AA
DMN3024LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	9.78A (Ta)	4.5V, 10V	24 mOhm @ 7A, 10V	3V @ 250µA	12.9nC @ 10V	±20V	608pF @ 15V	-	2.17W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252-3	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DMG4712SSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	11.2A (Ta)	4.5V, 10V	14 mOhm @ 11.2A, 10V	2.2V @ 250µA	45.7nC @ 10V	±12V	2296pF @ 15V	Schottky Diode (Body)	1.55W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOP	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
DMN10H170SVTQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	2.6A (Ta)	4.5V, 10V	160 mOhm @ 5A, 10V	3V @ 250µA	9.7nC @ 10V	±20V	1167pF @ 25V	-	1.2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TSOT-26	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
DMN6069SFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	5.6A (Ta), 18A (Tc)	4.5V, 10V	50 mOhm @ 4.5A, 10V	3V @ 250µA	25nC @ 10V	±20V	1480pF @ 30V	-	930mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI3333-8	8-PowerWDFN
DMP1245UFCL-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	6.6A (Ta)	1.5V, 4.5V	29 mOhm @ 4A, 4.5V	950mV @ 250µA	26.1nC @ 8V	±8V	1357.4pF @ 10V	-	613mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	X1-DFN1616-6 (Type E)	6-PowerUFDFN
DMP1080UCB4-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V U-WLB1010-4	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	3.3A (Ta)	1.5V, 4.5V	80 mOhm @ 500mA, 4.5V	1V @ 250µA	5nC @ 4.5V	-6V	350pF @ 6V	-	820mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	U-WLB1010-4	4-UFBGA, WLBGA
DMN1054UCB4-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	8V	2.7A (Ta)	1.2V, 4.5V	42 mOhm @ 1A, 4.5V	700mV @ 250µA	15nC @ 4.5V	±5V	908pF @ 6V	-	740mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	X1-WLB0808-4	4-XFBGA, WLBGA
DMP6050SFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 41V 60V POWERDI333	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	4.8A (Ta)	4.5V, 10V	50 mOhm @ 5A, 10V	3V @ 250µA	24nC @ 10V	±20V	1293pF @ 30V	-	1.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI3333-8	8-PowerWDFN
ZXMN6A08KTC	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	5.36A (Ta)	4.5V, 10V	80 mOhm @ 4.8A, 10V	3V @ 250µA	5.8nC @ 10V	±20V	459pF @ 40V	-	2.12W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252-3	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DMN3027LFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	5.3A (Ta)	4.5V, 10V	18.6 mOhm @ 10A, 10V	1.8V @ 250µA	11.3nC @ 10V	±25V	580pF @ 15V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI3333-8	8-PowerWDFN
DMP1081UCB4-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	3A (Ta), 3.3A (Ta)	0.9V, 4.5V	80 mOhm @ 500mA, 4.5V	650mV @ 250µA	5nC @ 4.5V	-6V	350pF @ 6V	-	820mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	U-WLB1010-4	4-UFBGA, WLBGA
DMN10H100SK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 18A TO252	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	18A (Tc)	4.5V, 10V	80 mOhm @ 3.3A, 10V	3V @ 250µA	25.2nC @ 10V	±20V	1172pF @ 50V	-	37W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ZXM62P03E6TA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	1.5A (Ta)	4.5V, 10V	150 mOhm @ 1.6A, 10V	1V @ 250µA	10.2nC @ 10V	±20V	330pF @ 25V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-26	SOT-23-6
DMN7022LFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75V	7.8A (Ta)	4.5V, 10V	22 mOhm @ 7.2A, 10V	3V @ 250µA	56.5nC @ 10V	±20V	2737pF @ 35V	-	900mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI3333-8	8-PowerWDFN
DMN6066SSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	3.7A (Ta)	4.5V, 10V	66 mOhm @ 4.5A, 10V	3V @ 250µA	10.3nC @ 10V	±20V	502pF @ 30V	-	1.56W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOP	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ZXMN2B14FHTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	3.5A (Ta)	1.8V, 4.5V	55 mOhm @ 3.5A, 4.5V	1V @ 250µA	11nC @ 4.5V	±8V	872pF @ 10V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP1011UCB9-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	8V	10A (Ta)	2.5V, 4.5V	10 mOhm @ 2A, 4.5V	1.1V @ 250µA	10.5nC @ 4.5V	-6V	1060pF @ 4V	-	890mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	U-WLB1515-9	9-UFBGA, WLBGA
DMP26M7UFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	18A (Ta), 40A (Tc)	1.8V, 4.5V	6.7 mOhm @ 15A, 4.5V	1V @ 250µA	156nC @ 10V	±10V	5940pF @ 10V	-	2.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI3333-8	8-PowerWDFN
ZXMN7A11KTC	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	70V	4.2A (Ta)	4.5V, 10V	130 mOhm @ 4.4A, 10V	1V @ 250µA	7.4nC @ 10V	±20V	298pF @ 40V	-	2.11W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252-3	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DMT6009LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 41V 60VSO-8TR2	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	10.8A (Ta)	4.5V, 10V	9.5 mOhm @ 13.5A, 10V	2V @ 250µA	33.5nC @ 10V	±20V	1925pF @ 30V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ZVN4210GTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	800mA (Ta)	5V, 10V	1.5 Ohm @ 1.5A, 10V	2.4V @ 1mA	-	±20V	100pF @ 25V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
ZXMN6A25KTC	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	7A (Ta)	4.5V, 10V	50 mOhm @ 3.6A, 10V	3V @ 250µA	20.4nC @ 10V	±20V	1063pF @ 30V	-	2.11W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252-3	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DMT6005LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	17.9A (Ta), 100A (Tc)	4.5V, 10V	4.9 mOhm @ 50A, 10V	3V @ 250µA	47.1nC @ 10V	±20V	2962pF @ 30V	-	2.6W (Ta), 125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI5060-8	8-PowerTDFN
DMP3008SFGQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	8.6A (Ta)	4.5V, 10V	17 mOhm @ 10A, 10V	2.1V @ 250µA	47nC @ 10V	±20V	2230pF @ 15V	-	900mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI3333-8	8-PowerWDFN
ZXMN10A25KTC	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	4.2A (Ta)	6V, 10V	125 mOhm @ 2.9A, 10V	4V @ 250µA	17.16nC @ 10V	±20V	859pF @ 50V	-	2.11W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252-3	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ZXMN3B04N8TA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	7.2A (Ta)	2.5V, 4.5V	25 mOhm @ 7.2A, 4.5V	700mV @ 250µA	23.1nC @ 4.5V	±12V	2480pF @ 15V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ZVN0124A	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	240V	160mA (Ta)	10V	16 Ohm @ 250mA, 10V	3V @ 1mA	-	±20V	85pF @ 25V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
ZVN4306GVTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	2.1A (Ta)	5V, 10V	330 mOhm @ 3A, 10V	3V @ 1mA	-	±20V	350pF @ 25V	-	3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
ZVN4210A	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	450mA (Ta)	5V, 10V	1.5 Ohm @ 1.5A, 10V	2.4V @ 1mA	-	±20V	100pF @ 25V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
ZVN0545A	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	450V	90mA (Ta)	10V	50 Ohm @ 100mA, 10V	3V @ 1mA	-	±20V	70pF @ 25V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
DMN3016LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	12.4A (Ta)	4.5V, 10V	12 mOhm @ 11A, 10V	2.3V @ 250µA	25.1nC @ 10V	±20V	1415pF @ 15V	-	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DMP3099L-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	3.8A (Ta)	4.5V, 10V	65 mOhm @ 3.8A, 10V	2.1V @ 250µA	5.2nC @ 4.5V	±20V	563pF @ 25V	-	1.08W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP21D6UFD-7	Diodes Incorporated	MOSFETP-CHAN 20V X1-DFN1212-3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	600mA (Ta)	1.2V, 4.5V	1 Ohm @ 100mA, 4.5V	1V @ 250µA	0.8nC @ 8V	±8V	46.1pF @ 10V	-	400mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	X1-DFN1212-3	3-UDFN
DMN55D0UTQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	50V	160mA (Ta)	2.5V, 4V	4 Ohm @ 100mA, 4V	1V @ 250µA	-	±12V	25pF @ 10V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-523	SOT-523

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные