Diodes Incorporated агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные - DMN67D8LW-13 DMNH6021SPSQ-13 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Технологии	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (Макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Функция FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Пакет устройств поставщика	Упаковка / чехол
DMN67D8LW-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V SOT323	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	240mA (Ta)	5V, 10V	5 Ohm @ 500mA, 10V	2.5V @ 250µA	0.82nC @ 10V	±30V	22pF @ 25V	-	320mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMNH6021SPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 55A POWERDI	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	55A (Tc)	4.5V, 10V	23 mOhm @ 12A, 10V	3V @ 250µA	19.7nC @ 10V	±20V	1016pF @ 30V	-	1.6W (Ta), 53W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI5060-8	8-PowerTDFN
DMG8880LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	11A (Ta)	4.5V, 10V	9.3 mOhm @ 11.6A, 10V	2V @ 250µA	27.6nC @ 10V	±20V	1289pF @ 15V	-	1.68W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252-3	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DMN3005LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L	Discontinued at -	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	14.5A (Ta)	4.5V, 10V	5 mOhm @ 20A, 10V	2V @ 250µA	46.9nC @ 4.5V	±20V	4342pF @ 15V	-	1.68W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252-3	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
2N7002AQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 180MA SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	180mA (Ta)	5V	5 Ohm @ 115mA, 10V	2V @ 250µA	-	±20V	23pF @ 25V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BS870Q-7-F	Diodes Incorporated	MOSFET 41V 60V SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	250mA (Ta)	10V	5 Ohm @ 200mA, 10V	3V @ 250µA	-	±20V	50pF @ 10V	-	300W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN6013LFGQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	10.3A (Ta), 45A (Tc)	4.5V, 10V	13 mOhm @ 10A, 10V	3V @ 250µA	55.4nC @ 10V	±20V	2577pF @ 30V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI3333-8	8-PowerVDFN
DMN65D8LFB-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	260mA (Ta)	5V, 10V	3 Ohm @ 115mA, 10V	2V @ 250µA	-	±20V	25pF @ 25V	-	430mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMN65D8LFB-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	260mA (Ta)	5V, 10V	3 Ohm @ 115mA, 10V	2V @ 250µA	-	±20V	25pF @ 25V	-	430mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMN53D0U-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	50V	300mA (Ta)	1.8V, 5V	2 Ohm @ 50mA, 5V	1V @ 250µA	0.6nC @ 4.5V	±12V	37.1pF @ 25V	-	520mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-7-F	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	50V	200mA (Ta)	10V	3.5 Ohm @ 220mA, 10V	1.5V @ 250µA	-	±20V	50pF @ 10V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG4468LFG	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN	Discontinued at -	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	7.62A (Ta)	4.5V, 10V	15 mOhm @ 11.6A, 10V	2V @ 250µA	18.85nC @ 10V	±20V	867pF @ 10V	-	990mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	U-DFN3030-8	8-PowerUDFN
DMN33D8LT-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 0.115A	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	115mA (Ta)	2.5V, 4V	5 Ohm @ 10mA, 4V	1.5V @ 100µA	0.55nC @ 10V	±20V	48pF @ 5V	-	240mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-523	SOT-523
DMN2550UFA-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	600mA (Ta)	1.5V, 4.5V	450 mOhm @ 200mA, 4.5V	1V @ 250µA	0.88nC @ 4.5V	±8V	52.5pF @ 16V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	X2-DFN0806-3	3-XFDFN
DMP32D5LFA-7B	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 0.3A DFN0806-3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	300mA (Ta)	1.8V, 4.5V	1.5 Ohm @ 200mA, 4.5V	1.2V @ 250µA	0.7nC @ 4.5V	±8V	40.9pF @ 15V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	X2-DFN0806-3	3-XFDFN
DMP2033UVT-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	4.2A (Ta)	1.8V, 4.5V	65 mOhm @ 4.2A, 4.5V	900mV @ 250µA	10.4nC @ 4.5V	±8V	845pF @ 15V	-	1.2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TSOT-26	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
DMP56D0UFB-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	50V	200mA (Ta)	2.5V, 4V	6 Ohm @ 100mA, 4V	1.2V @ 250µA	0.58nC @ 4V	±8V	50.54pF @ 25V	-	425mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	3-DFN1006 (1.0x0.6)	3-UFDFN
DMN3024SFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	7.5A (Ta)	4.5V, 10V	23 mOhm @ 10A, 10V	2.4V @ 250µA	10.5nC @ 10V	±25V	478.9pF @ 15V	-	900mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI3333-8	8-PowerWDFN
DMN61D9UWQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	400mA (Ta)	1.8V, 5V	2 Ohm @ 50mA, 5V	1V @ 250µA	0.4nC @ 4.5V	±20V	28.5pF @ 30V	-	440mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMP32D9UFZ-7B	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 0.2A X2-DFN0606	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	200mA (Ta)	1.2V, 10V	5 Ohm @ 100mA, 4.5V	1V @ 250µA	0.35nC @ 4.5V	±10V	22.5pF @ 15V	-	390mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	X2-DFN0606-3	3-XFDFN
ZXMN10A25K	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	4.2A (Ta)	6V, 10V	125 mOhm @ 2.9A, 10V	4V @ 250µA	17.16nC @ 10V	±20V	859pF @ 50V	-	2.11W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252-3	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DMN2450UFD-7	Diodes Incorporated	MOSFETN-CHAN 20V X1-DFN1212-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	900mA (Ta)	1.5V, 4.5V	600 mOhm @ 200mA, 4.5V	1V @ 250µA	0.7nC @ 4.5V	±12V	52pF @ 16V	-	400mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	X1-DFN1212-3	3-UDFN
DMN3900UFA-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	550mA (Ta)	1.8V, 4.5V	760 mOhm @ 200mA, 4.5V	950mV @ 250µA	0.7nC @ 4.5V	±8V	42.2pF @ 25V	-	390mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	X2-DFN0806-3	3-XFDFN
DMN2250UFB-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	1.35A (Ta)	1.8V, 4.5V	170 mOhm @ 1A, 4.5V	1V @ 250µA	3.1nC @ 10V	±8V	94pF @ 16V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	3-DFN1006 (1.0x0.6)	3-UFDFN
DMP21D2UFA-7B	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	330mA (Ta)	1.5V, 4.5V	1 Ohm @ 200mA, 4.5V	1V @ 250µA	0.8nC @ 4.5V	±8V	49pF @ 15V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	X2-DFN0806-3	3-XFDFN
DMP1555UFA-7B	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 0.2A X2DFN-3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	200mA (Ta)	1.5V, 4.5V	800 mOhm @ 200mA, 4.5V	1V @ 250µA	0.84nC @ 4.5V	±8V	55.4pF @ 10V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	X2-DFN0806-3	3-XFDFN
DMN1260UFA-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	500mA (Ta)	1.5V, 4.5V	366 mOhm @ 200mA, 4.5V	1V @ 250µA	0.96nC @ 4.5V	±8V	60pF @ 10V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	X2-DFN0806-3	3-XFDFN
DMN60H080DS-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600V	80mA (Ta)	4.5V, 10V	100 Ohm @ 60mA, 10V	3V @ 250µA	1.7nC @ 10V	±20V	25pF @ 25V	-	1.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN30H4D0LFDE-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	300V	550mA (Ta)	2.7V, 10V	4 Ohm @ 300mA, 10V	2.8V @ 250µA	7.6nC @ 10V	±20V	187.3pF @ 25V	-	630mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	U-DFN2020-6 (Type E)	6-UDFN Exposed Pad
DMN3051LDM-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 4A SOT26	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	4A (Ta)	4.5V, 10V	38 mOhm @ 6A, 10V	2.2V @ 250µA	8.6nC @ 10V	±20V	424pF @ 5V	-	900mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-26	SOT-23-6
DMP1200UFR4-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	2A (Ta)	1.5V, 4.5V	100 mOhm @ 2A, 4.5V	1V @ 250µA	5.8nC @ 4.5V	±8V	514pF @ 5V	-	480mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	X2-DFN1010-3	3-XFDFN
DMP3037LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SO	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	5.8A (Ta)	4.5V, 10V	32 mOhm @ 7A, 10V	2.4V @ 250µA	19.3nC @ 10V	±20V	931pF @ 15V	-	1.2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
DMN3025LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	7.2A (Ta)	4.5V, 10V	20 mOhm @ 10A, 10V	2V @ 250µA	13.2nC @ 10V	±20V	641pF @ 15V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
2N7002T-7-F	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	115mA (Ta)	5V, 10V	7.5 Ohm @ 50mA, 5V	2V @ 250µA	-	±20V	50pF @ 25V	-	150mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-523	SOT-523
DMP32D4S-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	300mA (Ta)	4.5V, 10V	2.4 Ohm @ 300mA, 10V	2.4V @ 250µA	0.6nC @ 4.5V	±20V	51.16pF @ 15V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN62D1LFB-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHAN 41V 60V X1-DFN1006	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	320mA (Ta)	1.5V, 4V	2 Ohm @ 100mA, 4V	1V @ 250µA	0.9nC @ 4.5V	±20V	64pF @ 25V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMN2320UFB4-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	1A (Ta)	1.8V, 4.5V	320 mOhm @ 500mA, 4.5V	950mV @ 250µA	0.89nC @ 4.5V	±8V	71pF @ 10V	-	520mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	X2-DFN1006-3	3-XFDFN
DMN2028UVT-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	6.2A (Ta)	2.5V, 4.5V	24 mOhm @ 6.2A, 4.5V	1.5V @ 250µA	8.3nC @ 4.5V	±8V	856pF @ 10V	-	1.2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TSOT-26	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
DMP32D4S-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	300mA (Ta)	4.5V, 10V	2.4 Ohm @ 300mA, 10V	2.4V @ 250µA	1.2nC @ 10V	±20V	51.16pF @ 15V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMS2220LFDB-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	3.5A (Ta)	1.8V, 4.5V	95 mOhm @ 2.8A, 4.5V	1.3V @ 250µA	-	±12V	632pF @ 10V	Schottky Diode (Isolated)	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	U-DFN2020-6 (Type B)	6-UDFN Exposed Pad
DMP32D4SW-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 0.25A SOT323	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	250mA (Ta)	4.5V, 10V	2.4 Ohm @ 500mA, 10V	2.4V @ 250µA	1.2nC @ 10V	±20V	51.16pF @ 15V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMS3016SSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	9.8A (Ta)	4.5V, 10V	13 mOhm @ 9.8A, 10V	2.3V @ 250µA	43nC @ 10V	±12V	1849pF @ 15V	Schottky Diode (Body)	1.54W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
DMN2500UFB4-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	810mA (Ta)	1.8V, 4.5V	400 mOhm @ 600mA, 4.5V	1V @ 250µA	0.74nC @ 4.5V	±6V	60.67pF @ 16V	-	460mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	X2-DFN1006-3	3-XFDFN
DMN3016LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	10.8A (Ta)	4.5V, 10V	12 mOhm @ 20A, 10V	2V @ 250µA	25.1nC @ 10V	±20V	1415pF @ 15V	-	1.18W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI5060-8	8-PowerTDFN
DMN3067LW-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	2.6A (Ta)	2.5V, 4.5V	67 mOhm @ 2.5A, 4.5V	1.5V @ 250µA	4.6nC @ 4.5V	±12V	447pF @ 10V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMN2075UDW-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	2.8A (Ta)	1.5V, 4.5V	48 mOhm @ 3A, 4.5V	1V @ 250µA	7nC @ 4.5V	±8V	594.3pF @ 10V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
DMN2300UFD-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	1.21A (Ta)	1.5V, 4.5V	200 mOhm @ 900mA, 4.5V	950mV @ 250µA	2nC @ 4.5V	±8V	67.62pF @ 25V	-	470mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	X1-DFN1212-3	3-UDFN
DMN2230UQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 2A SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	2A (Ta)	1.8V, 4.5V	110 mOhm @ 2.5A, 4.5V	1V @ 250µA	2.3nC @ 10V	±12V	188pF @ 10V	-	600mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN3016LFDE-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	10A (Ta)	4.5V, 10V	12 mOhm @ 11A, 10V	2V @ 250µA	25.1nC @ 10V	±20V	1415pF @ 15V	-	730mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	U-DFN2020-6 (Type E)	6-UDFN Exposed Pad
DMP32D4SFB-7B	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	400mA (Ta)	2.5V, 10V	2.4 Ohm @ 200mA, 10V	2.3V @ 250µA	1.3nC @ 10V	±20V	51pF @ 15V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	3-DFN1006 (1.0x0.6)	3-UFDFN

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные