1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретный полупроводник
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  5. Продукты

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Central Semiconductor
Comchip Technology
Diodes Incorporated
EPC
Exar Corporation
GeneSiC Semiconductor
Global Power Technologies Group, Inc.
Honeywell Aerospace
Infineon Technologies
Intersil (Renesas Electronics America)
IXYS Corporation
IXYS Integrated Circuits Division
IXYS RF/Littelfuse
Littelfuse
Micro Commercial Components (MCC)
Microchip Technology
Microsemi
Nexperia
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
Panasonic
Renesas Electronics America
ROHM Semiconductor
Sanken Electric Co., Ltd.
STMicroelectronics
Taiwan Semiconductor
Texas Instruments
Torex Semiconductor
Toshiba Semiconductor and Storage
Transphorm
TT Electronics/Optek Technology
Vicor
Vishay
Wolfspeed
номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип полевого транзистораТехнологииСлив к источнику напряжения (Vdss)Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° CDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Макс.) @ Id, VgsVgs (th) (Max) @ IdЗаряд затвора (Qg) (Макс.) @ VgsVgs (Макс.)Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ VdsФункция FETРассеиваемая мощность (макс.)Рабочая ТемператураТип монтажаПакет устройств поставщикаУпаковка / чехол
IRFR320TRPBF
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)400V3.1A (Tc)10V1.8 Ohm @ 1.9A, 10V4V @ 250µA20nC @ 10V±20V350pF @ 25V
-
2.5W (Ta), 42W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажD-PakTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IRFRC20TRPBF
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 2A DPAK в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)600V2A (Tc)10V4.4 Ohm @ 1.2A, 10V4V @ 250µA18nC @ 10V±20V350pF @ 25V
-
2.5W (Ta), 42W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажD-PakTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SI3430DV-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)100V1.8A (Ta)6V, 10V170 mOhm @ 2.4A, 10V2V @ 250µA (Min)6.6nC @ 10V±20V
-
-
1.14W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж6-TSOPSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SI7716ADN-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V16A (Tc)4.5V, 10V13.5 mOhm @ 10A, 10V2.5V @ 250µA23nC @ 10V±20V846pF @ 15V
-
3.5W (Ta), 27.7W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажPowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8
NTTFS5C454NLTAG
 ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 20A WDFN8 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)40V20A (Ta), 85A (Tc)4.5V, 10V3.8 mOhm @ 20A, 10V2V @ 250µA18nC @ 10V±20V1600pF @ 25V
-
3.2W (Ta), 55W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-WDFN (3.3x3.3)8-PowerWDFN
NTD6416ANLT4G
 ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 19A DPAK в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)100V19A (Tc)4.5V, 10V74 mOhm @ 19A, 10V2.2V @ 250µA40nC @ 10V±20V1000pF @ 25V
-
71W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDPAKTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SQJ858AEP-T1_GE3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 58A в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)40V58A (Tc)4.5V, 10V6.3 mOhm @ 14A, 10V2.5V @ 250µA55nC @ 10V±20V2450pF @ 20V
-
48W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажPowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8
ZVN4206GVTA
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V1A (Ta)5V, 10V1 Ohm @ 1.5A, 10V3V @ 1mA
-
±20V100pF @ 25V
-
2W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-223TO-261-4, TO-261AA
SI7119DN-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)200V3.8A (Tc)6V, 10V1.05 Ohm @ 1A, 10V4V @ 250µA25nC @ 10V±20V666pF @ 50V
-
3.7W (Ta), 52W (Tc)-50°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажPowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8
BSZ035N03MSGATMA1
 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V18A (Ta), 40A (Tc)4.5V, 10V3.5 mOhm @ 20A, 10V2V @ 250µA74nC @ 10V±20V5700pF @ 15V
-
2.1W (Ta), 69W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажPG-TSDSON-88-PowerTDFN
FDS8447
 ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)40V12.8A (Ta)4.5V, 10V10.5 mOhm @ 12.8A, 10V3V @ 250µA49nC @ 10V±20V2600pF @ 20V
-
2.5W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-SO8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FDMA7632
 ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET2X2 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V9A (Ta)4.5V, 10V19 mOhm @ 9A, 10V3V @ 250µA13nC @ 10V±20V760pF @ 15V
-
2.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж6-MicroFET (2x2)6-VDFN Exposed Pad
AOD403
 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 30V 15A TO252 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V15A (Ta), 70A (Tc)10V, 20V6 mOhm @ 20A, 20V3.5V @ 250µA120nC @ 10V±25V5300pF @ 15V
-
2.5W (Ta), 90W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-252, (D-Pak)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SI8429DB-T1-E1
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)8V11.7A (Tc)1.2V, 4.5V35 mOhm @ 1A, 4.5V800mV @ 250µA26nC @ 5V±5V1640pF @ 4V
-
2.77W (Ta), 6.25W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж4-Microfoot4-XFBGA, CSPBGA
PSMN1R2-30YLC,115
 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V100A (Tc)4.5V, 10V1.25 mOhm @ 25A, 10V1.95V @ 1mA78nC @ 10V±20V5093pF @ 15V
-
215W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажLFPAK56, Power-SO8SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BSZ040N04LSGATMA1
 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)40V18A (Ta), 40A (Tc)4.5V, 10V4 mOhm @ 20A, 10V2V @ 36µA64nC @ 10V±20V5100pF @ 20V
-
2.1W (Ta), 69W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажPG-TSDSON-88-PowerTDFN
CSD16404Q5A
 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 81A 8-SON в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)25V21A (Ta), 81A (Tc)4.5V, 10V5.1 mOhm @ 20A, 10V2.1V @ 250µA8.5nC @ 4.5V+16V, -12V1220pF @ 12.5V
-
3W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-VSONP (5x6)8-PowerTDFN
FQD16N25CTM
 ON Semiconductor MOSFET N-CH 250V 16A D-PAK в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)250V16A (Tc)10V270 mOhm @ 8A, 10V4V @ 250µA53.5nC @ 10V±30V1080pF @ 25V
-
160W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажD-PakTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IRF7420TRPBF
 Infineon Technologies MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)12V11.5A (Tc)1.8V, 4.5V14 mOhm @ 11.5A, 4.5V900mV @ 250µA38nC @ 4.5V±8V3529pF @ 10V
-
2.5W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-SO8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SIS410DN-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V35A (Tc)4.5V, 10V4.8 mOhm @ 20A, 10V2.5V @ 250µA41nC @ 10V±20V1600pF @ 10V
-
3.8W (Ta), 52W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажPowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8
SI4425BDY-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V8.8A (Ta)4.5V, 10V12 mOhm @ 11.4A, 10V3V @ 250µA100nC @ 10V±20V
-
-
1.5W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-SO8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
CSD17575Q3
 Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V60A (Ta)4.5V, 10V2.3 mOhm @ 25A, 10V1.8V @ 250µA30nC @ 4.5V±20V4420pF @ 15V
-
2.8W (Ta), 108W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-VSONP (5x6)8-PowerTDFN
SIR410DP-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V35A (Tc)4.5V, 10V4.8 mOhm @ 20A, 10V2.5V @ 250µA41nC @ 10V±20V1600pF @ 10V
-
4.2W (Ta), 36W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажPowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8
FQD7P20TM
 ON Semiconductor MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)200V5.7A (Tc)10V690 mOhm @ 2.85A, 10V5V @ 250µA25nC @ 10V±30V770pF @ 25V
-
2.5W (Ta), 55W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажD-PakTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
STD65N3LLH5
 STMicroelectronics MOSFET N CH 30V 65A DPAK в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V65A (Tc)4.5V, 10V6.9 mOhm @ 32.5A, 10V3V @ 250µA8nC @ 4.5V±22V1290pF @ 25V
-
50W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDPAKTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FDD8447L
 ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)40V15.2A (Ta), 50A (Tc)4.5V, 10V8.5 mOhm @ 14A, 10V3V @ 250µA52nC @ 10V±20V1970pF @ 20V
-
3.1W (Ta), 44W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажD-PAK (TO-252)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
2N7000
 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V200mA (Ta)4.5V, 10V5 Ohm @ 500mA, 10V3V @ 1mA
-
±20V50pF @ 25V
-
400mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-92-3TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
FDMC2523P
 ON Semiconductor MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)150V3A (Tc)10V1.5 Ohm @ 1.5A, 10V5V @ 250µA9nC @ 10V±30V270pF @ 25V
-
42W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-MLP (3.3x3.3)8-PowerWDFN
BUK9217-75B,118
 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 75V 64A DPAK в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)75V64A (Tc)5V, 10V15 mOhm @ 25A, 10V2V @ 1mA35nC @ 5V±15V4029pF @ 25V
-
167W (Tc)-55°C ~ 185°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDPAKTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
BSC123N08NS3GATMA1
 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)80V11A (Ta), 55A (Tc)6V, 10V12.3 mOhm @ 33A, 10V3.5V @ 33µA25nC @ 10V±20V1870pF @ 40V
-
2.5W (Ta), 66W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажPG-TDSON-88-PowerTDFN
SIS892ADN-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)100V28A (Tc)4.5V, 10V33 mOhm @ 10A, 10V3V @ 250µA19.5nC @ 10V±20V550pF @ 50V
-
3.7W (Ta), 52W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажPowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8
BUK9209-40B,118
 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 75A DPAK в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)40V75A (Tc)5V, 10V7 mOhm @ 25A, 10V2V @ 1mA32nC @ 5V±15V3619pF @ 25V
-
167W (Tc)-55°C ~ 185°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDPAKTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SI4116DY-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)25V18A (Tc)2.5V, 10V8.6 mOhm @ 10A, 10V1.4V @ 250µA56nC @ 10V±12V1925pF @ 15V
-
2.5W (Ta), 5W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-SO8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
CSD16327Q3
 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 60A 8SON в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)25V60A (Tc)3V, 8V4 mOhm @ 24A, 8V1.4V @ 250µA8.4nC @ 4.5V+10V, -8V1300pF @ 12.5V
-
3W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-VSON-CLIP (3.3x3.3)8-PowerTDFN
SI8409DB-T1-E1
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V4.6A (Ta)2.5V, 4.5V46 mOhm @ 1A, 4.5V1.4V @ 250µA26nC @ 4.5V±12V
-
-
1.47W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж4-Microfoot4-XFBGA, CSPBGA
STD36P4LLF6
 STMicroelectronics MOSFET P-CH 40V 36A DPAK в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)40V36A (Tc)4.5V, 10V20.5 mOhm @ 18A, 10V2.5V @ 250µA22nC @ 4.5V±20V2850pF @ 25V
-
60W (Tc)175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDPAKTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FDMC86262P
 ON Semiconductor MOSFET P-CH 150V 2A POWER33 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)150V2A (Ta), 8.4A (Tc)6V, 10V307 mOhm @ 2A, 10V4V @ 250µA13nC @ 10V±25V885pF @ 75V
-
2.3W (Ta), 40W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-MLP (3.3x3.3)8-PowerWDFN
ZXMN6A25GTA
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V SOT223 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V4.8A (Ta)4.5V, 10V50 mOhm @ 3.6A, 10V1V @ 250µA20.4nC @ 10V±20V1063pF @ 30V
-
2W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-223TO-261-4, TO-261AA
NCV8440ASTT1G
 ON Semiconductor MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT-223-4 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)59V2.6A (Ta)3.5V, 10V110 mOhm @ 2.6A, 10V1.9V @ 100µA4.5nC @ 4.5V±15V155pF @ 35V
-
1.69W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-223TO-261-4, TO-261AA
IRFR5305TRPBF
 Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 31A DPAK в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)55V31A (Tc)10V65 mOhm @ 16A, 10V4V @ 250µA63nC @ 10V±20V1200pF @ 25V
-
110W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажD-PakTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SI7625DN-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V35A (Tc)4.5V, 10V7 mOhm @ 15A, 10V2.5V @ 250µA126nC @ 10V±20V4427pF @ 15V
-
3.7W (Ta), 52W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажPowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8
CSD16340Q3
 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 60A 8SON в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)25V21A (Ta), 60A (Tc)2.5V, 8V4.5 mOhm @ 20A, 8V1.1V @ 250µA9.2nC @ 4.5V+10V, -8V1350pF @ 12.5V
-
3W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-VSON-CLIP (3.3x3.3)8-PowerTDFN
SI4464DY-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)200V1.7A (Ta)6V, 10V240 mOhm @ 2.2A, 10V4V @ 250µA18nC @ 10V±20V
-
-
1.5W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-SO8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SI7117DN-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)150V2.17A (Tc)6V, 10V1.2 Ohm @ 500mA, 10V4.5V @ 250µA12nC @ 10V±20V510pF @ 25V
-
3.2W (Ta), 12.5W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажPowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8
SI4386DY-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V11A (Ta)4.5V, 10V7 mOhm @ 16A, 10V2.5V @ 250µA18nC @ 4.5V±20V
-
-
1.47W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-SO8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
CSD17527Q5A
 Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 65A 8SON устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V65A (Tc)4.5V, 10V10.8 mOhm @ 11A, 10V2V @ 250µA3.4nC @ 4.5V±20V506pF @ 15V
-
3W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-VSONP (5x6)8-PowerTDFN
BSZ067N06LS3GATMA1
 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V14A (Ta), 20A (Tc)4.5V, 10V6.7 mOhm @ 20A, 10V2.2V @ 35µA67nC @ 10V±20V5100pF @ 30V
-
2.1W (Ta), 69W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажPG-TSDSON-88-PowerVDFN
SQJ443EP-T1_GE3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAKSO-8 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)40V40A (Tc)4.5V, 10V29 mOhm @ 18A, 10V2.5V @ 250µA57nC @ 10V±20V2030pF @ 20V
-
83W (Tc)-55°C ~ 175°C (TA)SMD Поверхностный монтажPowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8
ZXMN0545G4TA
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)450V140mA (Ta)10V50 Ohm @ 100mA, 10V3V @ 1mA
-
±20V70pF @ 25V
-
2W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-223TO-261-4, TO-261AA
IRLR2908TRLPBF
 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 30A DPAK в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)80V30A (Tc)4.5V, 10V28 mOhm @ 23A, 10V2.5V @ 250µA33nC @ 4.5V±16V1890pF @ 25V
-
120W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажD-PakTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  1. 6
  2. 7
  3. 8
  4. 9
  5. 10
  6. 11
  7. 12
  8. 13
  9. 14
  10. 15
Email: sales@icchip.ru
Copyright © 2019 ICCHIP ® Все права защищены