Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные - Дискретный полупроводник - SI3127DV-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Технологии	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (Макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Функция FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Пакет устройств поставщика	Упаковка / чехол
SI3127DV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	3.5A (Ta), 13A (Tc)	4.5V, 10V	89 mOhm @ 1.5A, 4.5V	3V @ 250µA	30nC @ 10V	±20V	833pF @ 20V	-	2W (Ta), 4.2W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSOP	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SI2308BDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	2.3A (Tc)	4.5V, 10V	156 mOhm @ 1.9A, 10V	3V @ 250µA	6.8nC @ 10V	±20V	190pF @ 30V	-	1.09W (Ta), 1.66W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2308BDS-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	2.3A (Tc)	4.5V, 10V	156 mOhm @ 1.9A, 10V	3V @ 250µA	6.8nC @ 10V	±20V	190pF @ 30V	-	1.09W (Ta), 1.66W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333CDS-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	7.1A (Tc)	1.8V, 4.5V	35 mOhm @ 5.1A, 4.5V	1V @ 250µA	25nC @ 4.5V	±8V	1225pF @ 6V	-	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AOD1N60	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600V	1.3A (Tc)	10V	9 Ohm @ 650mA, 10V	4.5V @ 250µA	8nC @ 10V	±30V	160pF @ 25V	-	45W (Tc)	-50°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252, (D-Pak)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
AOD417	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 30V 25A TO252	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	25A (Ta)	4.5V, 10V	34 mOhm @ 20A, 10V	3V @ 250µA	16.2nC @ 10V	±20V	920pF @ 15V	-	2.5W (Ta), 50W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252, (D-Pak)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SQ2318AES-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 40V SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	8A (Tc)	4.5V, 10V	31 mOhm @ 6A, 10V	2.5V @ 250µA	13nC @ 10V	±20V	555pF @ 10V	-	3W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDN342P	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	2A (Ta)	2.5V, 4.5V	80 mOhm @ 2A, 4.5V	1.5V @ 250µA	9nC @ 4.5V	±12V	635pF @ 10V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SuperSOT-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SIA483DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	12A (Tc)	4.5V, 10V	21 mOhm @ 5A, 10V	2.2V @ 250µA	45nC @ 10V	±20V	1550pF @ 15V	-	3.5W (Ta), 19W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SC-70-6 Single	PowerPAK® SC-70-6
SI2302CDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	2.6A (Ta)	2.5V, 4.5V	57 mOhm @ 3.6A, 4.5V	850mV @ 250µA	5.5nC @ 4.5V	±8V	-	-	710mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AON2260	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N CH 60V 6A DFN 2x2B	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	6A (Ta)	4.5V, 10V	44 mOhm @ 6A, 10V	2.5V @ 250µA	12nC @ 10V	±20V	426pF @ 30V	-	2.8W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-DFN-EP (2x2)	6-UDFN Exposed Pad
SI2307BDS-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	2.5A (Ta)	4.5V, 10V	78 mOhm @ 3.2A, 10V	3V @ 250µA	15nC @ 10V	±20V	380pF @ 15V	-	750mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BUK7880-55A/CUX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 7A SOT223	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	7A (Tc)	10V	80 mOhm @ 10A, 10V	4V @ 1mA	12nC @ 10V	±20V	500pF @ 25V	-	8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
FDY300NZ	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 20V 600MA SC89	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	600mA (Ta)	1.8V, 4.5V	700 mOhm @ 600mA, 4.5V	1.3V @ 250µA	1.1nC @ 4.5V	±12V	60pF @ 10V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-89-3	SC-89, SOT-490
AOD4189	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 40V 40A TO252	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	40A (Tc)	4.5V, 10V	22 mOhm @ 12A, 10V	3V @ 250µA	41nC @ 10V	±20V	1870pF @ 20V	-	2.5W (Ta), 62.5W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252, (D-Pak)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SI1022R-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	330mA (Ta)	4.5V, 10V	1.25 Ohm @ 500mA, 10V	2.5V @ 250µA	0.6nC @ 4.5V	±20V	30pF @ 25V	-	250mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-75A	SC-75A
IRLR8726TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	86A (Tc)	4.5V, 10V	5.8 mOhm @ 25A, 10V	2.35V @ 50µA	23nC @ 4.5V	±20V	2150pF @ 15V	-	75W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D-Pak	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SIA817EDJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	4.5A (Tc)	2.5V, 10V	65 mOhm @ 3A, 10V	1.3V @ 250µA	23nC @ 10V	±12V	600pF @ 15V	Schottky Diode (Body)	1.9W (Ta), 6.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SC-70-6 Dual	PowerPAK® SC-70-6 Dual
AO4484	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 40V 13.5A 8-SOIC	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	10A (Ta)	4.5V, 10V	10 mOhm @ 10A, 10V	3V @ 250µA	37nC @ 10V	±20V	1950pF @ 20V	-	1.7W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VN10LFTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	150mA (Ta)	5V, 10V	5 Ohm @ 500mA, 10V	2.5V @ 1mA	-	±20V	60pF @ 25V	-	330mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP4047LFDE-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 40V 3.3A U-DFN2020	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	3.3A (Ta)	4.5V, 10V	33 mOhm @ 4.4A, 10V	2.2V @ 250µA	23.2nC @ 10V	±20V	1382pF @ 20V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	U-DFN2020-6 (Type E)	6-UDFN Exposed Pad
SI2338DS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 6A SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	6A (Tc)	4.5V, 10V	28 mOhm @ 5.5A, 10V	2.5V @ 250µA	13nC @ 10V	±20V	424pF @ 15V	-	1.3W (Ta), 2.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RTR030N05TL	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	45V	3A (Ta)	2.5V, 4.5V	67 mOhm @ 3A, 4.5V	1.5V @ 1mA	6.2nC @ 4.5V	±12V	510pF @ 10V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TSMT3	SC-96
SI2392ADS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	3.1A (Tc)	4.5V, 10V	126 mOhm @ 2A, 10V	3V @ 250µA	10.4nC @ 10V	±20V	196pF @ 50V	-	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AOD407	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 60V 12A TO252	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	12A (Tc)	4.5V, 10V	115 mOhm @ 12A, 10V	3V @ 250µA	20nC @ 10V	±20V	1185pF @ 30V	-	2.5W (Ta), 50W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252, (D-Pak)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MTM231232LBF	Panasonic Electronic Components	MOSFET P-CH 20V 3A	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	3A (Ta)	2.5V, 4.5V	55 mOhm @ 1A, 4V	1.3V @ 1mA	-	±10V	1000pF @ 10V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SMini3-G1-B	SC-70, SOT-323
CSD16301Q2	Texas Instruments	MOSFET N-CH 25V 6-SON	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	25V	5A (Tc)	3V, 8V	24 mOhm @ 4A, 8V	1.55V @ 250µA	2.8nC @ 4.5V	+10V, -8V	340pF @ 12.5V	-	2.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-SON	6-SMD, Flat Leads
ZVP1320FTA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 200V 0.035A SOT23-3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	35mA (Ta)	10V	80 Ohm @ 50mA, 10V	3.5V @ 1mA	-	±20V	50pF @ 25V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI3476DV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V 4.6A TSOP-6	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	4.6A (Tc)	4.5V, 10V	93 mOhm @ 3.5A, 10V	3V @ 250µA	7.5nC @ 10V	±20V	195pF @ 40V	-	2W (Ta), 3.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSOP	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SQ2308CES-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 2.3A	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	2.3A (Tc)	4.5V, 10V	150 mOhm @ 2.3A, 10V	2.5V @ 250µA	5.3nC @ 10V	±20V	205pF @ 30V	-	2W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23 (TO-236AB)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SQ2362ES-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	4.3A (Tc)	10V	95 mOhm @ 4.5A, 10V	2.5V @ 250µA	12nC @ 10V	±20V	550pF @ 30V	-	3W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDN304PZ	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	2.4A (Ta)	1.8V, 4.5V	52 mOhm @ 2.4A, 4.5V	1.5V @ 250µA	20nC @ 4.5V	±8V	1310pF @ 10V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SuperSOT-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
CSD13202Q2	Texas Instruments	MOSFET N-CH 12V 76A 6SON	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	22A (Ta)	2.5V, 4.5V	9.3 mOhm @ 5A, 4.5V	1.1V @ 250µA	6.6nC @ 4.5V	±8V	997pF @ 6V	-	2.7W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-WSON (2x2)	6-VDFN Exposed Pad
BUK98150-55A/CUF	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	5.5A (Tc)	4.5V, 10V	137 mOhm @ 5A, 10V	2V @ 1mA	5.3nC @ 5V	±15V	320pF @ 25V	-	8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
ZXMP6A17E6TA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	2.3A (Ta)	4.5V, 10V	125 mOhm @ 2.3A, 10V	1V @ 250µA	17.7nC @ 10V	±20V	637pF @ 30V	-	1.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-26	SOT-23-6
ZXMP10A13FTA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	600mA (Ta)	6V, 10V	1 Ohm @ 600mA, 10V	4V @ 250µA	3.5nC @ 10V	±20V	141pF @ 50V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AON7296	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 100V 5A 8DFN	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	5A (Ta), 12.5A (Tc)	4.5V, 10V	66 mOhm @ 5A, 10V	2.8V @ 250µA	12nC @ 10V	±20V	415pF @ 50V	-	3.1W (Ta), 20.8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-DFN (3x3)	8-PowerSMD, Flat Leads
DMP2008UFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	14A (Ta), 54A (Tc)	1.5V, 4.5V	8 mOhm @ 12A, 4.5V	1V @ 250µA	72nC @ 4.5V	±8V	6909pF @ 10V	-	2.4W (Ta), 41W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI3333-8	8-PowerWDFN
CSD25310Q2	Texas Instruments	MOSFET P-CH 20V 48A 6SON	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	20A (Ta)	1.8V, 4.5V	23.9 mOhm @ 5A, 4.5V	1.1V @ 250µA	4.7nC @ 4.5V	±8V	655pF @ 10V	-	2.9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-WSON (2x2)	6-WDFN Exposed Pad
STQ1HNK60R-AP	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600V	400mA (Tc)	10V	8.5 Ohm @ 500mA, 10V	3.7V @ 250µA	10nC @ 10V	±30V	156pF @ 25V	-	3W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
AOD454A	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 40V 20A TO252	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	20A (Tc)	4.5V, 10V	30 mOhm @ 12A, 10V	3V @ 250µA	10.8nC @ 10V	±20V	650pF @ 20V	-	2.5W (Ta), 37W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252, (D-Pak)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ZVN4106FTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	200mA (Ta)	5V, 10V	2.5 Ohm @ 500mA, 10V	3V @ 1mA	-	±20V	35pF @ 25V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AON7401	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 30V 12A 8DFN	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	12A (Ta), 35A (Tc)	6V, 10V	14 mOhm @ 9A, 10V	3V @ 250µA	39nC @ 10V	±25V	2600pF @ 15V	-	3.1W (Ta), 29W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-DFN (3x3)	8-PowerSMD, Flat Leads
CSD17313Q2	Texas Instruments	MOSFET N-CH 30V 5A 6SON	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	5A (Tc)	3V, 8V	30 mOhm @ 4A, 8V	1.8V @ 250µA	2.7nC @ 4.5V	+10V, -8V	340pF @ 15V	-	2.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-WSON (2x2)	6-WDFN Exposed Pad
SQ2361ES-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	2.8A (Tc)	10V	177 mOhm @ 2.4A, 10V	2.5V @ 250µA	12nC @ 10V	±20V	550pF @ 30V	-	2W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	-	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTD5867NLT4G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 20A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	20A (Tc)	4.5V, 10V	39 mOhm @ 10A, 10V	2.5V @ 250µA	15nC @ 10V	±20V	675pF @ 25V	-	36W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FQT7N10LTF	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	1.7A (Tc)	5V, 10V	350 mOhm @ 850mA, 10V	2V @ 250µA	6nC @ 5V	±20V	290pF @ 25V	-	2W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223-4	TO-261-4, TO-261AA
SI1469DH-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	2.7A (Tc)	2.5V, 10V	80 mOhm @ 2A, 10V	1.5V @ 250µA	8.5nC @ 4.5V	±12V	470pF @ 10V	-	1.5W (Ta), 2.78W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70-6 (SOT-363)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
AOD444	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 60V 12A TO-252	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	4A (Ta), 12A (Tc)	4.5V, 10V	60 mOhm @ 12A, 10V	3V @ 250µA	10nC @ 10V	±20V	540pF @ 30V	-	2.1W (Ta), 20W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252, (D-Pak)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
AO4435	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	10.5A (Ta)	5V, 20V	14 mOhm @ 11A, 20V	3V @ 250µA	24nC @ 10V	±25V	1400pF @ 15V	-	3.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные