Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные - Дискретный полупроводник - PSMN020-100YS,115 ZVN2106GTA SQJA86EP-T1_GE3 SUD08P06-155L-GE3 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Технологии	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (Макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Функция FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Пакет устройств поставщика	Упаковка / чехол
PSMN020-100YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	43A (Tc)	10V	20.5 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	41nC @ 10V	±20V	2210pF @ 50V	-	106W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
ZVN2106GTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	710mA (Ta)	10V	2 Ohm @ 1A, 10V	2.4V @ 1mA	-	±20V	75pF @ 18V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
SQJA86EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V 30A POWERPAKSO-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	30A (Tc)	4.5V, 10V	19 mOhm @ 8A, 10V	2.5V @ 250µA	32nC @ 10V	±20V	1400pF @ 25V	-	48W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SUD08P06-155L-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	8.4A (Tc)	4.5V, 10V	155 mOhm @ 5A, 10V	3V @ 250µA	19nC @ 10V	±20V	450pF @ 25V	-	1.7W (Ta), 20.8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
CSD18537NQ5A	Texas Instruments	MOSFET N-CH 60V 50A 8SON	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	11A (Ta), 50A (Tc)	6V, 10V	13 mOhm @ 12A, 10V	3.5V @ 250µA	18nC @ 10V	±20V	1480pF @ 30V	-	3.2W (Ta), 75W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-VSONP (5x6)	8-PowerTDFN
AO4447A	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 30V 17A 8-SOIC	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	17A (Ta)	4V, 10V	7 mOhm @ 17A, 10V	1.6V @ 250µA	105nC @ 10V	±20V	5500pF @ 15V	-	3.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SI4435DYTRPBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	8A (Tc)	4.5V, 10V	20 mOhm @ 8A, 10V	1V @ 250µA	60nC @ 10V	±20V	2320pF @ 15V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
IRF7241TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	6.2A (Ta)	4.5V, 10V	41 mOhm @ 6.2A, 10V	3V @ 250µA	80nC @ 10V	±20V	3220pF @ 25V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
IRFR9024NTRPBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 55V 11A DPAK	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	11A (Tc)	10V	175 mOhm @ 6.6A, 10V	4V @ 250µA	19nC @ 10V	±20V	350pF @ 25V	-	38W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D-Pak	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FDD8447L-F085	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 50A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	50A (Tc)	4.5V, 10V	8.5 mOhm @ 14A, 10V	3V @ 250µA	52nC @ 10V	±20V	1970pF @ 20V	-	65W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D-PAK (TO-252)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
CSD25402Q3A	Texas Instruments	MOSFET P-CH 20V 76A 8SON	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	76A (Tc)	1.8V, 4.5V	8.9 mOhm @ 10A, 4.5V	1.15V @ 250µA	9.7nC @ 4.5V	±12V	1790pF @ 10V	-	2.8W (Ta), 69W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-VSON (3.3x3.3)	8-PowerVDFN
NTF2955T1G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	1.7A (Ta)	10V	185 mOhm @ 2.4A, 10V	4V @ 1mA	14.3nC @ 10V	±20V	492pF @ 25V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
NTTFS5C673NLTAG	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 13A WDFN8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	13A (Ta), 50A (Tc)	4.5V, 10V	9.3 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 250µA	9.5nC @ 10V	±20V	880pF @ 25V	-	3.1W (Ta), 46W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-WDFN (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
MIC94052YC6-TR	Microchip Technology	MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	6V	2A (Ta)	1.8V, 4.5V	84 mOhm @ 100mA, 4.5V	1.2V @ 250µA	-	6V	-	-	270mW (Ta)	-40°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70-6	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
PSMN7R5-60YLX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V LFPAK56	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	86A (Tc)	5V, 10V	7.5 mOhm @ 20A, 10V	2.1V @ 1mA	31nC @ 5V	±20V	4570pF @ 25V	-	147W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BSZ100N06LS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	11A (Ta), 20A (Tc)	4.5V, 10V	10 mOhm @ 20A, 10V	2.2V @ 23µA	45nC @ 10V	±20V	3500pF @ 30V	-	2.1W (Ta), 50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PG-TSDSON-8	8-PowerVDFN
IRF7416TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	10A (Ta)	4.5V, 10V	20 mOhm @ 5.6A, 10V	1V @ 250µA	92nC @ 10V	±20V	1700pF @ 25V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
PSMN2R2-25YLC,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	25V	100A (Tc)	4.5V, 10V	2.4 mOhm @ 25A, 10V	1.95V @ 1mA	39nC @ 10V	±20V	2542pF @ 12V	-	106W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
FDMA910PZ	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 20V 9.4A MICROFET	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	9.4A (Ta)	1.8V, 4.5V	20 mOhm @ 9.4A, 4.5V	1.5V @ 250µA	29nC @ 4.5V	±8V	2805pF @ 10V	-	2.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-MicroFET (2x2)	6-VDFN Exposed Pad
IRFR5505TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 55V 18A DPAK	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	18A (Tc)	10V	110 mOhm @ 9.6A, 10V	4V @ 250µA	32nC @ 10V	±20V	650pF @ 25V	-	57W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D-Pak	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
BUK7Y14-80EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	65A (Tc)	10V	14 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	44.8nC @ 10V	±20V	3155pF @ 25V	-	147W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
AON7421	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 30A 8DFN	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	30A (Ta), 50A (Tc)	2.5V, 10V	4.6 mOhm @ 20A, 10V	1.2V @ 250µA	114nC @ 10V	±12V	4550pF @ 10V	-	6.2W (Ta), 83W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-DFN-EP (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
SIA456DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	2.6A (Tc)	1.8V, 4.5V	1.38 Ohm @ 750mA, 4.5V	1.4V @ 250µA	14.5nC @ 10V	±16V	350pF @ 100V	-	3.5W (Ta), 19W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SC-70-6 Single	PowerPAK® SC-70-6
SIA413DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	12A (Tc)	1.5V, 4.5V	29 mOhm @ 6.7A, 4.5V	1V @ 250µA	57nC @ 8V	±8V	1800pF @ 10V	-	3.5W (Ta), 19W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SC-70-6 Single	PowerPAK® SC-70-6
ZVP0545GTA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 450V 0.075A SOT223	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	450V	75mA (Ta)	10V	150 Ohm @ 50mA, 10V	4.5V @ 1mA	-	±20V	120pF @ 25V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
BSZ22DN20NS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	7A (Tc)	10V	225 mOhm @ 3.5A, 10V	4V @ 13µA	5.6nC @ 10V	±20V	430pF @ 100V	-	34W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PG-TSDSON-8	8-PowerTDFN
IRLR3410TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 17A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	17A (Tc)	4V, 10V	105 mOhm @ 10A, 10V	2V @ 250µA	34nC @ 5V	±16V	800pF @ 25V	-	79W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D-Pak	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SIA414DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	8V	12A (Tc)	1.2V, 4.5V	11 mOhm @ 9.7A, 4.5V	800mV @ 250µA	32nC @ 5V	±5V	1800pF @ 4V	-	3.5W (Ta), 19W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SC-70-6 Single	PowerPAK® SC-70-6
IPD50P04P413ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	50A (Tc)	10V	12.6 mOhm @ 50A, 10V	4V @ 85µA	51nC @ 10V	±20V	3670pF @ 25V	-	58W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PG-TO252-3-313	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IPD50P04P4L11ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	50A (Tc)	4.5V, 10V	10.6 mOhm @ 50A, 10V	2.2V @ 85µA	59nC @ 10V	±16V	3900pF @ 25V	-	58W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PG-TO252-3-313	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
NTD25P03LT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V 25A DPAK	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	25A (Ta)	4V, 5V	80 mOhm @ 25A, 5V	2V @ 250µA	20nC @ 5V	±15V	1260pF @ 25V	-	75W (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IPD30N06S2L23ATMA3	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	30A (Tc)	4.5V, 10V	23 mOhm @ 22A, 10V	2V @ 50µA	42nC @ 10V	±20V	1091pF @ 25V	-	100W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PG-TO252-3-11	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FDMA86251	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-MLP	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150V	2.4A (Ta)	6V, 10V	175 mOhm @ 2.4A, 10V	4V @ 250µA	5.8nC @ 10V	±20V	363pF @ 75V	-	2.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-MicroFET (2x2)	6-WDFN Exposed Pad
SIR401DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	50A (Tc)	2.5V, 10V	3.2 mOhm @ 15A, 10V	1.5V @ 250µA	310nC @ 10V	±12V	9080pF @ 10V	-	5W (Ta), 39W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
IPD90N04S404ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	90A (Tc)	10V	4.1 mOhm @ 90A, 10V	4V @ 35.2mA	43nC @ 10V	±20V	3440pF @ 25V	-	71W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PG-TO252-3-313	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FDS86106	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-SOIC	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	3.4A (Ta)	6V, 10V	105 mOhm @ 3.4A, 10V	4V @ 250µA	4nC @ 10V	±20V	208pF @ 50V	-	5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
BSC0902NSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	24A (Ta), 100A (Tc)	4.5V, 10V	2.6 mOhm @ 30A, 10V	2.2V @ 250µA	26nC @ 10V	±20V	1700pF @ 15V	-	2.5W (Ta), 48W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PG-TDSON-8	8-PowerTDFN
LND150N8-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500V	30mA (Tj)	0V	1000 Ohm @ 500µA, 0V	-	-	±20V	10pF @ 25V	Depletion Mode	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-89-3	TO-243AA
CSD18534Q5A	Texas Instruments	MOSFET N-CH 60V 8SON	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	13A (Ta), 50A (Tc)	4.5V, 10V	9.8 mOhm @ 14A, 10V	2.3V @ 250µA	22nC @ 10V	±20V	1770pF @ 30V	-	3.1W (Ta), 77W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-VSONP (5x6)	8-PowerTDFN
CSD18504Q5A	Texas Instruments	MOSFET N-CH 40V 8SON	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	15A (Ta), 50A (Tc)	4.5V, 10V	6.6 mOhm @ 17A, 10V	2.4V @ 250µA	19nC @ 10V	±20V	1656pF @ 20V	-	3.1W (Ta), 77W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-VSONP (5x6)	8-PowerTDFN
SQJ486EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75V	30A (Tc)	4.5V, 10V	26 mOhm @ 51A, 10V	2.1V @ 250µA	34nC @ 10V	±20V	1386pF @ 15V	-	56W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SO-8	8-PowerTDFN
ZXMP3A16GTA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT223	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	5.4A (Ta)	4.5V, 10V	45 mOhm @ 4.2A, 10V	1V @ 250µA	29.6nC @ 10V	±20V	1022pF @ 15V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
ZVN4206GTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 1A SOT223	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	1A (Ta)	5V, 10V	1 Ohm @ 1.5A, 10V	3V @ 1mA	-	±20V	100pF @ 25V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
PSMN3R3-40YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	100A (Tc)	10V	3.3 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	49nC @ 10V	±20V	2754pF @ 20V	-	117W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
SI2325DS-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150V	530mA (Ta)	6V, 10V	1.2 Ohm @ 500mA, 10V	4.5V @ 250µA	12nC @ 10V	±20V	510pF @ 25V	-	750mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2325DS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150V	530mA (Ta)	6V, 10V	1.2 Ohm @ 500mA, 10V	4.5V @ 250µA	12nC @ 10V	±20V	510pF @ 25V	-	750mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
STL20N6F7	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 60V 100A	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	100A (Tc)	10V	5.4 mOhm @ 10A, 10V	4V @ 250µA	25nC @ 10V	±20V	1600pF @ 25V	-	3W (Ta), 78W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerFlat™ (3.3x3.3)	8-PowerVDFN
AO4425	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	38V	14A (Ta)	10V, 20V	10 mOhm @ 14A, 20V	3.5V @ 250µA	63nC @ 10V	±25V	3800pF @ 20V	-	3.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
CSD17551Q5A	Texas Instruments	MOSFET N-CH 30V 8SON	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	48A (Tc)	4.5V, 10V	8.8 mOhm @ 11A, 10V	2.2V @ 250µA	7.2nC @ 4.5V	±20V	1272pF @ 15V	-	3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-VSONP (5x6)	8-PowerTDFN
SUD50N04-8M8P-4GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 14A TO-252	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	14A (Ta), 50A (Tc)	4.5V, 10V	8.8 mOhm @ 20A, 10V	3V @ 250µA	56nC @ 10V	±20V	2400pF @ 20V	-	3.1W (Ta), 48.1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252, (D-Pak)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные