1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретный полупроводник
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  5. Продукты

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Central Semiconductor
Comchip Technology
Diodes Incorporated
EPC
Exar Corporation
GeneSiC Semiconductor
Global Power Technologies Group, Inc.
Honeywell Aerospace
Infineon Technologies
Intersil (Renesas Electronics America)
IXYS Corporation
IXYS Integrated Circuits Division
IXYS RF/Littelfuse
Littelfuse
Micro Commercial Components (MCC)
Microchip Technology
Microsemi
Nexperia
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
Panasonic
Renesas Electronics America
ROHM Semiconductor
Sanken Electric Co., Ltd.
STMicroelectronics
Taiwan Semiconductor
Texas Instruments
Torex Semiconductor
Toshiba Semiconductor and Storage
Transphorm
TT Electronics/Optek Technology
Vicor
Vishay
Wolfspeed
номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип полевого транзистораТехнологииСлив к источнику напряжения (Vdss)Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° CDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Макс.) @ Id, VgsVgs (th) (Max) @ IdЗаряд затвора (Qg) (Макс.) @ VgsVgs (Макс.)Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ VdsФункция FETРассеиваемая мощность (макс.)Рабочая ТемператураТип монтажаПакет устройств поставщикаУпаковка / чехол
FDN359AN
 ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V2.7A (Ta)4.5V, 10V46 mOhm @ 2.7A, 10V3V @ 250µA7nC @ 5V±20V480pF @ 10V
-
500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSuperSOT-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
STN3N40K3
 STMicroelectronics MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)400V1.8A (Tc)10V3.4 Ohm @ 600mA, 10V4.5V @ 50µA11nC @ 10V±30V165pF @ 50V
-
3.3W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-223TO-261-4, TO-261AA
2N7002E-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V240mA (Ta)4.5V, 10V3 Ohm @ 250mA, 10V2.5V @ 250µA0.6nC @ 4.5V±20V21pF @ 5V
-
350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V115mA (Ta)5V, 10V7.5 Ohm @ 500mA, 10V2.5V @ 250µA
-
±20V50pF @ 25V
-
200mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SIS412DN-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V12A (Tc)4.5V, 10V24 mOhm @ 7.8A, 10V2.5V @ 250µA12nC @ 10V±20V435pF @ 15V
-
3.2W (Ta), 15.6W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажPowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8
ZXMN3A14FTA
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V3.2A (Ta)4.5V, 10V65 mOhm @ 3.2A, 10V1V @ 250µA8.6nC @ 10V±20V448pF @ 15V
-
1W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2316BDS-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V4.5A (Tc)4.5V, 10V50 mOhm @ 3.9A, 10V3V @ 250µA9.6nC @ 10V±20V350pF @ 15V
-
1.25W (Ta), 1.66W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2329DS-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)8V6A (Tc)1.2V, 4.5V30 mOhm @ 5.3A, 4.5V800mV @ 250µA29nC @ 4.5V±5V1485pF @ 4V
-
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO4407A
 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V12A (Ta)6V, 20V11 mOhm @ 12A, 20V3V @ 250µA39nC @ 10V±25V2600pF @ 15V
-
3.1W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-SOIC8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FDMA430NZ
 ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 5A MICROFET в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V5A (Ta)2.5V, 4.5V40 mOhm @ 5A, 4.5V1.5V @ 250µA11nC @ 4.5V±12V800pF @ 10V
-
2.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж6-MicroFET (2x2)6-VDFN Exposed Pad
BUK98180-100A/CUX
 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT223 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)100V4.6A (Tc)4.5V, 10V173 mOhm @ 5A, 10V2V @ 1mA
-
±10V619pF @ 25V
-
8W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-223TO-261-4, TO-261AA
IRLMS2002TRPBF
 Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V6.5A (Ta)2.5V, 4.5V30 mOhm @ 6.5A, 4.5V1.2V @ 250µA22nC @ 5V±12V1310pF @ 15V
-
2W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажMicro6™(SOT23-6)SOT-23-6
TPN3R704PL,L1Q
 Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 40V 80A TSON в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)40V80A (Tc)4.5V, 10V3.7 mOhm @ 40A, 10V2.4V @ 0.2mA27nC @ 10V±20V2500pF @ 20V
-
630mW (Ta), 86W (Tc)175°CSMD Поверхностный монтаж8-TSON Advance (3.3x3.3)8-PowerVDFN
AOD4184A
 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 40V 50A TO252 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)40V13A (Ta), 50A (Tc)4.5V, 10V7 mOhm @ 20A, 10V2.6V @ 250µA33nC @ 10V±20V1800pF @ 20V
-
2.3W (Ta), 50W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-252, (D-Pak)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SQ2319ADS-T1_GE3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)40V4.6A (Tc)4.5V, 10V75 mOhm @ 3A, 10V2.5V @ 250µA16nC @ 10V±20V620pF @ 20V
-
2.5W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SQ2389ES-T1_GE3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CHAN 40V SO23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)40V4.1A (Tc)4.5V, 10V94 mOhm @ 10A, 10V2.5V @ 250µA12nC @ 10V±20V420pF @ 20V
-
3W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO4480
 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)40V14A (Ta)4.5V, 10V11.5 mOhm @ 14A, 10V3V @ 250µA22nC @ 10V±20V1920pF @ 20V
-
3.1W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-SOIC8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
BUK9880-55A/CUX
 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 55V 7A SOT223 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)55V7A (Tc)4.5V, 10V73 mOhm @ 8A, 10V2V @ 1mA11nC @ 5V±15V584pF @ 25V
-
8W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-223TO-261-4, TO-261AA
ZXMN3B14FTA
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V2.9A (Ta)2.5V, 4.5V80 mOhm @ 3.1A, 4.5V700mV @ 250µA6.7nC @ 4.5V±12V568pF @ 15V
-
1W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZVN3306FTA
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V150mA (Ta)10V5 Ohm @ 500mA, 10V2.4V @ 1mA
-
±20V35pF @ 18V
-
330mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSZ340N08NS3GATMA1
 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)80V6A (Ta), 23A (Tc)6V, 10V34 mOhm @ 12A, 10V3.5V @ 12µA9.1nC @ 10V±20V630pF @ 40V
-
2.1W (Ta), 32W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажPG-TSDSON-88-PowerTDFN
FDS9435A
 ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V5.3A (Ta)4.5V, 10V50 mOhm @ 5.3A, 10V3V @ 250µA14nC @ 10V±25V528pF @ 15V
-
2.5W (Ta)-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-SO8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
AON7508
 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V26A (Ta), 32A (Tc)4.5V, 10V3 mOhm @ 20A, 10V2.2V @ 250µA40nC @ 10V±20V1835pF @ 15V
-
3.1W (Ta), 62.5W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-DFN (3x3)8-PowerSMD, Flat Leads
IRLL014NTRPBF
 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)55V2A (Ta)4V, 10V140 mOhm @ 2A, 10V2V @ 250µA14nC @ 10V±16V230pF @ 25V
-
1W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-223TO-261-4, TO-261AA
BSZ130N03LSGATMA1
 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V10A (Ta), 35A (Tc)4.5V, 10V13 mOhm @ 20A, 10V2.2V @ 250µA13nC @ 10V±20V970pF @ 15V
-
2.1W (Ta), 25W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажPG-TSDSON-88-PowerTDFN
SIA441DJ-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 12A SC-70 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)40V12A (Tc)4.5V, 10V47 mOhm @ 4.4A, 10V2.2V @ 250µA35nC @ 10V±20V890pF @ 20V
-
3.5W (Ta), 19W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажPowerPAK® SC-70-6 SinglePowerPAK® SC-70-6
SI4431CDY-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V9A (Tc)4.5V, 10V32 mOhm @ 7A, 10V2.5V @ 250µA38nC @ 10V±20V1006pF @ 15V
-
2.5W (Ta), 4.2W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-SO8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SI5442DU-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 25A PPAK CHIPFET в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V25A (Tc)1.8V, 4.5V10 mOhm @ 8A, 4.5V900mV @ 250µA45nC @ 8V±8V1700pF @ 10V
-
3.1W (Ta), 31W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажPowerPAK® ChipFet SinglePowerPAK® ChipFET™ Single
SIA436DJ-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)8V12A (Tc)1.2V, 4.5V9.4 mOhm @ 15.7A, 4.5V800mV @ 250µA25.2nC @ 5V±5V1508pF @ 4V
-
3.5W (Ta), 19W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажPowerPAK® SC-70-6 SinglePowerPAK® SC-70-6
AOD442
 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 60V 38A TO-252 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V7A (Ta), 37A (Tc)4.5V, 10V20 mOhm @ 20A, 10V2.7V @ 250µA68nC @ 10V±20V2300pF @ 30V
-
2.1W (Ta), 60W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-252, (D-Pak)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FDS4435BZ
 ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V8.8A (Ta)4.5V, 10V20 mOhm @ 8.8A, 10V3V @ 250µA40nC @ 10V±25V1845pF @ 15V
-
2.5W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-SO8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
PSMN026-80YS,115
 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)80V34A (Tc)10V27.5 mOhm @ 5A, 10V4V @ 1mA20nC @ 10V±20V1200pF @ 40V
-
74W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажLFPAK56, Power-SO8SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
AOD3N60
 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)600V2.5A (Tc)10V3.5 Ohm @ 1.25A, 10V4.5V @ 250µA12nC @ 10V±30V370pF @ 25V
-
56.8W (Tc)-50°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-252, (D-Pak)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PSMN039-100YS,115
 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH LFPAK в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)100V28.1A (Tc)10V39.5 mOhm @ 15A, 10V4V @ 1mA23nC @ 10V±20V1847pF @ 50V
-
74W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажLFPAK56, Power-SO8SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
FQT3P20TF
 ON Semiconductor MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)200V670mA (Tc)10V2.7 Ohm @ 335mA, 10V5V @ 250µA8nC @ 10V±30V250pF @ 25V
-
2.5W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-223-4TO-261-4, TO-261AA
BS170FTA
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V150µA (Ta)10V5 Ohm @ 200mA, 10V3V @ 1mA
-
±20V60pF @ 10V
-
330mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FQT13N06LTF
 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V2.8A (Tc)5V, 10V110 mOhm @ 1.4A, 10V2.5V @ 250µA6.4nC @ 5V±20V350pF @ 25V
-
2.1W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-223-4TO-261-4, TO-261AA
PSMN4R0-30YLDX
 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V95A (Tc)4.5V, 10V4 mOhm @ 25A, 10V2.2V @ 1mA19.4nC @ 10V±20V1272pF @ 15V
-
64W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажLFPAK56, Power-SO8SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
DMP2006UFG-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V17.5A (Ta), 40A (Tc)1.5V, 4.5V5.2 mOhm @ 15A, 4.5V1V @ 250µA140nC @ 10V±10V5404pF @ 10V
-
2.3W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажPowerDI3333-88-PowerWDFN
FDMA510PZ
 ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-MICROFET в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V7.8A (Ta)1.5V, 4.5V30 mOhm @ 7.8A, 4.5V1.5V @ 250µA27nC @ 4.5V±8V1480pF @ 10V
-
2.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж6-MicroFET (2x2)6-VDFN Exposed Pad
SI2333DS-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)12V4.1A (Ta)1.8V, 4.5V32 mOhm @ 5.3A, 4.5V1V @ 250µA18nC @ 4.5V±8V1100pF @ 6V
-
750mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2316DS-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V2.9A (Ta)4.5V, 10V50 mOhm @ 3.4A, 10V800mV @ 250µA (Min)7nC @ 10V±20V215pF @ 15V
-
700mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2328DS-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)100V1.15A (Ta)10V250 mOhm @ 1.5A, 10V4V @ 250µA5nC @ 10V±20V
-
-
730mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI3459BDV-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V2.9A (Tc)4.5V, 10V216 mOhm @ 2.2A, 10V3V @ 250µA12nC @ 10V±20V350pF @ 30V
-
2W (Ta), 3.3W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж6-TSOPSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SI2328DS-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT-23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)100V1.15A (Ta)10V250 mOhm @ 1.5A, 10V4V @ 250µA5nC @ 10V±20V
-
-
730mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LND150K1-G
 Microchip Technology MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)500V13mA (Tj)0V1000 Ohm @ 500µA, 0V
-
-
±20V10pF @ 25VDepletion Mode360mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSC340N08NS3GATMA1
 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)80V7A (Ta), 23A (Tc)6V, 10V34 mOhm @ 12A, 10V3.5V @ 12µA9.1nC @ 10V±20V756pF @ 40V
-
2.5W (Ta), 32W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажPG-TDSON-88-PowerTDFN
IRLL024ZTRPBF
 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)55V5A (Tc)4.5V, 10V60 mOhm @ 3A, 10V3V @ 250µA11nC @ 5V±16V380pF @ 25V
-
1W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-223TO-261-4, TO-261AA
IRFL4310TRPBF
 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)100V1.6A (Ta)10V200 mOhm @ 1.6A, 10V4V @ 250µA25nC @ 10V±20V330pF @ 25V
-
1W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-223TO-261-4, TO-261AA
ZXMN10A08GTA
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 2A SOT223 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)100V2A (Ta)6V, 10V250 mOhm @ 3.2A, 10V2V @ 250µA7.7nC @ 10V±20V405pF @ 50V
-
2W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-223TO-261-4, TO-261AA
  1. 2
  2. 3
  3. 4
  4. 5
  5. 6
  6. 7
  7. 8
  8. 9
  9. 10
  10. 11
Email: sales@icchip.ru
Copyright © 2019 ICCHIP ® Все права защищены