1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретный полупроводник
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  5. Продукты

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Central Semiconductor
Comchip Technology
Diodes Incorporated
EPC
Exar Corporation
GeneSiC Semiconductor
Global Power Technologies Group, Inc.
Honeywell Aerospace
Infineon Technologies
Intersil (Renesas Electronics America)
IXYS Corporation
IXYS Integrated Circuits Division
IXYS RF/Littelfuse
Littelfuse
Micro Commercial Components (MCC)
Microchip Technology
Microsemi
Nexperia
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
Panasonic
Renesas Electronics America
ROHM Semiconductor
Sanken Electric Co., Ltd.
STMicroelectronics
Taiwan Semiconductor
Texas Instruments
Torex Semiconductor
Toshiba Semiconductor and Storage
Transphorm
TT Electronics/Optek Technology
Vicor
Vishay
Wolfspeed
номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип полевого транзистораТехнологииСлив к источнику напряжения (Vdss)Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° CDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Макс.) @ Id, VgsVgs (th) (Max) @ IdЗаряд затвора (Qg) (Макс.) @ VgsVgs (Макс.)Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ VdsФункция FETРассеиваемая мощность (макс.)Рабочая ТемператураТип монтажаПакет устройств поставщикаУпаковка / чехол
DMN62D0U-13
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 0.38A в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V380mA (Ta)1.8V, 4.5V2 Ohm @ 100mA, 4.5V1V @ 250µA0.5nC @ 4.5V±20V32pF @ 30V
-
380mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN63D8LW-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V380mA (Ta)2.5V, 10V2.8 Ohm @ 250mA, 10V1.5V @ 250µA0.9nC @ 10V±20V23.2pF @ 25V
-
300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-323SC-70, SOT-323
2N7002H-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V170mA (Ta)5V7.5 Ohm @ 50mA, 5V3V @ 250µA0.35nC @ 4.5V±20V26pF @ 25V
-
370mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP210DUFB4-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V200mA (Ta)1.2V, 4.5V5 Ohm @ 100mA, 4.5V1V @ 250µA
-
±10V175pF @ 15V
-
350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажX2-DFN1006-33-XFDFN
DMN53D0LW-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)50V360mA (Ta)5V, 10V2 Ohm @ 270mA, 10V1.5V @ 100µA1.2nC @ 10V±20V45.8pF @ 25V
-
320mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-323SC-70, SOT-323
2N7002A-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 0.18A SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V180mA (Ta)5V, 10V6 Ohm @ 115mA, 5V2V @ 250µA
-
±20V23pF @ 25V
-
370mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN313DLT-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V270mA (Ta)2.5V, 4.5V2 Ohm @ 10mA, 4V1.5V @ 250µA0.5nC @ 4.5V±20V36.3pF @ 5V
-
280mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-523SOT-523
DMN62D0LFD-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V310mA (Ta)1.8V, 4V2 Ohm @ 100mA, 4V1V @ 250µA500nC @ 4.5V±20V31pF @ 25V
-
480mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажX1-DFN1212-33-UDFN
DMN62D0UW-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 0.34A в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V340mA (Ta)1.8V, 4.5V2 Ohm @ 100mA, 4.5V1V @ 250µA0.5nC @ 4.5V±20V32pF @ 30V
-
320mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-323SC-70, SOT-323
DMN61D9UW-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 0.34A в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V340mA (Ta)1.8V, 5V2 Ohm @ 50mA, 5V1V @ 250µA0.4nC @ 4.5V±20V28.5pF @ 30V
-
320mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-323SC-70, SOT-323
DMN62D0U-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 0.38A в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V380mA (Ta)1.8V, 4.5V2 Ohm @ 100mA, 4.5V1V @ 250µA0.5nC @ 4.5V±20V32pF @ 30V
-
380mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN26D0UT-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V230mA (Ta)1.2V, 4.5V3 Ohm @ 100mA, 4.5V1V @ 250µA
-
±10V14.1pF @ 15V
-
300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-523SOT-523
BSS123WQ-7-F
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)100V170mA (Ta)4.5V, 10V6 Ohm @ 170mA, 10V2V @ 1mA
-
±20V60pF @ 25V
-
200mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-323SC-70, SOT-323
DMN55D0UT-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)50V160mA (Ta)2.5V, 4V4 Ohm @ 100mA, 4V1V @ 250µA
-
±12V25pF @ 10V
-
200mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-523SOT-523
BS870-7-F
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V250mA (Ta)10V5 Ohm @ 200mA, 10V3V @ 250µA
-
±20V50pF @ 10V
-
300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG1012TQ-7
 Diodes Incorporated MOSFET NCH 20V 630MA SOT523 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V630mA (Ta)1.8V, 4.5V400 mOhm @ 600mA, 4.5V1V @ 250µA0.74nC @ 4.5V±6V60.67pF @ 16V
-
280mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-523SOT-523
DMN6075S-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V2A (Ta)4.5V, 10V85 mOhm @ 3.2A, 10V3V @ 250µA12.3nC @ 10V±20V606pF @ 20V
-
800mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN61D9U-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 0.38A в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V380mA (Ta)1.8V, 5V2 Ohm @ 50mA, 5V1V @ 250µA0.4nC @ 4.5V±20V28.5pF @ 30V
-
370mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG1013UWQ-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 0.82A SOT323 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V820mA (Ta)1.8V, 4.5V750 mOhm @ 430mA, 4.5V1V @ 250µA0.62nC @ 4.5V±6V59.76pF @ 16V
-
310mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-323SC-70, SOT-323
DMP2004K-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V600mA (Ta)1.8V, 4.5V900 mOhm @ 430mA, 4.5V1V @ 250µA
-
±8V175pF @ 16V
-
550mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN53D0LQ-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)50V500mA (Ta)2.5V, 10V1.6 Ohm @ 500mA, 10V1.5V @ 250µA0.6nC @ 4.5V±20V46pF @ 25V
-
370mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2400UFB-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V750mA (Ta)1.8V, 4.5V550 mOhm @ 600mA, 4.5V900mV @ 250µA0.5nC @ 4.5V±12V36pF @ 16V
-
470mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж3-X1DFN10063-XFDFN
DMN21D2UFB-7B
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V760mA (Ta)1.5V, 4.5V990 mOhm @ 100mA, 4.5V1V @ 250µA0.93nC @ 10V±12V27.6pF @ 16V
-
380mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж3-DFN1006 (1.0x0.6)3-UFDFN
DMG3406L-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V3.6A (Ta)4.5V, 10V50 mOhm @ 3.6A, 10V2V @ 250µA11.2nC @ 10V±20V495pF @ 15V
-
770mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN10H700S-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)100V700mA (Ta)6V, 10V700 mOhm @ 1.5A, 10V4V @ 250µA4.6nC @ 10V±20V235pF @ 50V
-
400mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN62D1LFD-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V400mA (Ta)1.8V, 4V2 Ohm @ 100mA, 4V1V @ 250µA0.55nC @ 4.5V±20V36pF @ 25V
-
500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажX1-DFN1212-33-UDFN
DMG6402LVT-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V6A (Ta)4.5V, 10V30 mOhm @ 7A, 10V2V @ 250µA11.4nC @ 10V±20V498pF @ 15V
-
1.75W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTSOT-26SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
DMN2056U-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V4A (Ta)1.5V, 4.5V38 mOhm @ 3.6A, 4.5V1V @ 250µA4.3nC @ 4.5V±8V339pF @ 10V
-
940mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3125L-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CHAN 30V SOT23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V2.5A (Ta)4.5V, 10V95 mOhm @ 3.8A, 10V2.1V @ 250µA3.1nC @ 4.5V±20V254pF @ 25V
-
650mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN3067LW-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V2.6A (Ta)2.5V, 4.5V67 mOhm @ 2.5A, 4.5V1.5V @ 250µA4.6nC @ 4.5V±12V447pF @ 10V
-
500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-323SC-70, SOT-323
DMG3418L-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V4A (Ta)2.5V, 10V60 mOhm @ 4A, 10V1.5V @ 250µA5.5nC @ 4.5V±12V464.3pF @ 15V
-
1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP21D0UT-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 0.59A SOT523 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V590mA (Ta)1.8V, 4.5V495 mOhm @ 400mA, 4.5V700mV @ 250µA1.54nC @ 8V±8V80pF @ 10V
-
240mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-523SOT-523
DMN3150L-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)28V3.8A (Ta)2.5V, 10V85 mOhm @ 3.6A, 4.5V1.4V @ 250µA
-
±12V305pF @ 5V
-
1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN3042L-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V5.8A (Ta)2.5V, 10V26.5 mOhm @ 5.8A, 10V1.4V @ 250µA20nC @ 10V±12V860pF @ 15V
-
720mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP31D0U-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V530mA (Ta)1.8V, 4.5V1 Ohm @ 400mA, 4.5V1.1V @ 250µA0.9nC @ 4.5V±8V76pF @ 15V
-
450mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG3404L-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V4.2A (Ta)4.5V, 10V25 mOhm @ 5.8A, 10V2V @ 250µA13.2nC @ 10V±20V641pF @ 15V
-
780mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2215L-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V2.7A (Ta)2.5V, 4.5V100 mOhm @ 2.7A, 4.5V1.25V @ 250µA5.3nC @ 4.5V±12V250pF @ 10V
-
1.08W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN601TK-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V300mA (Ta)5V, 10V2 Ohm @ 500mA, 10V2.5V @ 1mA
-
±20V50pF @ 25V
-
150mW (Ta)-65°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-523SOT-523
DMG2302U-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V4.2A (Ta)2.5V, 4.5V90 mOhm @ 3.6A, 4.5V1V @ 50µA7nC @ 4.5V±8V594.3pF @ 10V
-
800mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3030SN-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V700mA (Ta)4.5V, 10V250 mOhm @ 400mA, 10V3V @ 1mA
-
±20V160pF @ 10V
-
500mW (Ta)-65°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-59-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN6140LQ-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V1.6A (Ta)4.5V, 10V140 mOhm @ 1.8A, 10V3V @ 250µA8.6nC @ 10V±20V315pF @ 40V
-
700mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN3026LVT-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V6.6A (Ta)4.5V, 10V23 mOhm @ 6.5A, 10V2V @ 250µA12.5nC @ 10V±20V643pF @ 15V
-
1.2W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTSOT-26SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
DMN3070SSN-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V4.2A (Ta)4.5V, 10V40 mOhm @ 4.2A, 10V2.1V @ 250µA13.2nC @ 10V±20V697pF @ 15V
-
780mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-59TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN3053L-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V4A (Ta)2.5V, 10V45 mOhm @ 4A, 10V1.4V @ 250µA17.2nC @ 10V±12V676pF @ 15V
-
760mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN3018SSS-13
 Diodes Incorporated MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V7.3A (Ta)4.5V, 10V21 mOhm @ 10A, 10V2.1V @ 250µA13.2nC @ 10V±25V697pF @ 15V
-
1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-SO8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
DMN4060SVT-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)45V4.8A (Ta)4.5V, 10V46 mOhm @ 4.3A, 10V3V @ 250µA22.4nC @ 10V±20V1287pF @ 25V
-
1.2W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTSOT-26SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
DMP2104V-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 2.1A SOT563 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V2.1A (Ta)1.8V, 4.5V150 mOhm @ 950mA, 4.5V1V @ 250µA
-
±12V320pF @ 16V
-
850mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-563SOT-563, SOT-666
DMN3016LFDE-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V10A (Ta)4.5V, 10V12 mOhm @ 11A, 10V2V @ 250µA25.1nC @ 10V±20V1415pF @ 15V
-
730mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажU-DFN2020-6 (Type E)6-UDFN Exposed Pad
DMN1019UVT-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)12V10.7A (Ta)1.2V, 4.5V10 mOhm @ 9.7A, 4.5V800mV @ 250µA50.4nC @ 8V±8V2588pF @ 10V
-
1.73W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTSOT-26SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
DMP22D4UFA-7B
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 0.33A в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V330mA (Ta)1.2V, 4.5V1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V1V @ 250µA0.4nC @ 4.5V±8V28.7pF @ 15V
-
400mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж3-DFN0806H43-XFDFN
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6
  7. 7
  8. 8
  9. 9
  10. 10
Email: sales@icchip.ru
Copyright © 2019 ICCHIP ® Все права защищены