Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные - Дискретный полупроводник - DMN5L06TK-7 SI2318CDS-T1-GE3 DMN2300U-7 ZXMN2B01FTA - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Технологии	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (Макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Функция FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Пакет устройств поставщика	Упаковка / чехол
DMN5L06TK-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	50V	280mA (Ta)	1.8V, 5V	2 Ohm @ 50mA, 5V	1.2V @ 250µA	-	±20V	50pF @ 25V	-	150mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-523	SOT-523
SI2318CDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	5.6A (Tc)	4.5V, 10V	42 mOhm @ 4.3A, 10V	2.5V @ 250µA	9nC @ 10V	±20V	340pF @ 20V	-	1.25W (Ta), 2.1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2300U-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	1.24A (Ta)	1.8V, 4.5V	175 mOhm @ 300mA, 4.5V	950mV @ 250µA	1.6nC @ 4.5V	±8V	64.3pF @ 25V	-	430mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZXMN2B01FTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	2.1A (Ta)	1.8V, 4.5V	100 mOhm @ 2.4A, 4.5V	1V @ 250µA	4.8nC @ 4.5V	±8V	370pF @ 10V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTGS3443T1G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	2.2A (Ta)	2.5V, 4.5V	65 mOhm @ 4.4A, 4.5V	1.5V @ 250µA	15nC @ 4.5V	±12V	565pF @ 5V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSOP	SOT-23-6
MGSF1N02LT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	750mA (Ta)	4.5V, 10V	90 mOhm @ 1.2A, 10V	2.4V @ 250µA	-	±20V	125pF @ 5V	-	400mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZXMN2F34FHTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	3.4A (Ta)	2.5V, 4.5V	60 mOhm @ 2.5A, 4.5V	1.5V @ 250µA	2.8nC @ 4.5V	±12V	277pF @ 10V	-	950mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2303CDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	2.7A (Tc)	4.5V, 10V	190 mOhm @ 1.9A, 10V	3V @ 250µA	8nC @ 10V	±20V	155pF @ 15V	-	1W (Ta), 2.3W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMV65XP,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	2.8A (Ta)	1.8V, 4.5V	74 mOhm @ 2.8A, 4.5V	900mV @ 250µA	7.7nC @ 4.5V	±12V	744pF @ 20V	-	480mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MGSF1N03LT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	1.6A (Ta)	4.5V, 10V	100 mOhm @ 1.2A, 10V	2.4V @ 250µA	-	±20V	140pF @ 5V	-	420mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI1013R-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	350mA (Ta)	1.8V, 4.5V	1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V	450mV @ 250µA (Min)	1.5nC @ 4.5V	±6V	-	-	150mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-75A	SC-75A
SI1012X-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	500mA (Ta)	1.8V, 4.5V	700 mOhm @ 600mA, 4.5V	900mV @ 250µA	0.75nC @ 4.5V	±6V	-	-	250mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-89-3	SC-89, SOT-490
SI1012R-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	500mA (Ta)	1.8V, 4.5V	700 mOhm @ 600mA, 4.5V	900mV @ 250µA	0.75nC @ 4.5V	±6V	-	-	150mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-75A	SC-75A
SI1077X-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V SC89-6	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	-	1.5V, 4.5V	78 mOhm @ 1.8A, 4.5V	1V @ 250µA	31.1nC @ 8V	±8V	965pF @ 10V	-	330mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-89-6	SOT-563, SOT-666
NVR5198NLT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 2.2A SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	1.7A (Ta)	4.5V, 10V	155 mOhm @ 1A, 10V	2.5V @ 250µA	5.1nC @ 10V	±20V	182pF @ 25V	-	900mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
CSD13201W10	Texas Instruments	MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	1.6A (Ta)	1.8V, 4.5V	34 mOhm @ 1A, 4.5V	1.1V @ 250µA	2.9nC @ 4.5V	±8V	462pF @ 6V	-	1.2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	4-DSBGA (1x1)	4-UFBGA, DSBGA
SI2300DS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	3.6A (Tc)	2.5V, 4.5V	68 mOhm @ 2.9A, 4.5V	1.5V @ 250µA	10nC @ 10V	±12V	320pF @ 15V	-	1.1W (Ta), 1.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2050L-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	5.9A (Ta)	2V, 4.5V	29 mOhm @ 5A, 4.5V	1.4V @ 250µA	6.7nC @ 4.5V	±12V	532pF @ 10V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZXMN10A07FTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	700mA (Ta)	6V, 10V	700 mOhm @ 1.5A, 10V	4V @ 250µA	2.9nC @ 10V	±20V	138pF @ 50V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN32D2LFB4-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	300mA (Ta)	1.8V, 4V	1.2 Ohm @ 100mA, 4V	1.2V @ 250µA	-	±10V	39pF @ 3V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	X2-DFN1006-3	3-XFDFN
DMP3056LDM-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	4.3A (Ta)	4.5V, 10V	45 mOhm @ 5A, 10V	2.1V @ 250µA	21.1nC @ 10V	±20V	948pF @ 25V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-26	SOT-23-6
SI1401EDH-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 4A SC-70-6	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	4A (Tc)	1.5V, 4.5V	34 mOhm @ 5.5A, 4.5V	1V @ 250µA	36nC @ 8V	±10V	-	-	1.6W (Ta), 2.8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70-6 (SOT-363)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI2369DS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	7.6A (Tc)	4.5V, 10V	29 mOhm @ 5.4A, 10V	2.5V @ 250µA	36nC @ 10V	±20V	1295pF @ 15V	-	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN10H220L-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	1.4A (Ta)	4.5V, 10V	220 mOhm @ 1.6A, 10V	2.5V @ 250µA	8.3nC @ 10V	±16V	401pF @ 25V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMV30XPEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V TO-236AB	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	4.5A (Ta)	2.5V, 4.5V	34 mOhm @ 3A, 4.5V	1.25V @ 250µA	17nC @ 4.5V	±12V	1465pF @ 10V	-	490mW (Ta), 5.435W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NDS356AP	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	1.1A (Ta)	4.5V, 10V	200 mOhm @ 1.3A, 10V	2.5V @ 250µA	4.4nC @ 5V	±20V	280pF @ 10V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SuperSOT-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
CPH6354-TL-W	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 60V 4A CPH6	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	4A (Ta)	4V, 10V	100 mOhm @ 2A, 10V	2.6V @ 1mA	14nC @ 10V	±20V	600pF @ 20V	-	1.6W (Ta)	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-CPH	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SI2315BDS-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	3A (Ta)	1.8V, 4.5V	50 mOhm @ 3.85A, 4.5V	900mV @ 250µA	15nC @ 4.5V	±8V	715pF @ 6V	-	750mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS169H6327XTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	170mA (Ta)	0V, 10V	6 Ohm @ 170mA, 10V	1.8V @ 50µA	2.8nC @ 7V	±20V	68pF @ 25V	Depletion Mode	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RSR030N06TL	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3	устарелый	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	3A (Ta)	4V, 10V	85 mOhm @ 3A, 10V	2.5V @ 1mA	-	±20V	380pF @ 10V	-	540mW (Ta)	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TSMT3	SC-96
FDN306P	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	2.6A (Ta)	1.8V, 4.5V	40 mOhm @ 2.6A, 4.5V	1.5V @ 250µA	17nC @ 4.5V	±8V	1138pF @ 6V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SuperSOT-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML0060TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	2.7A (Ta)	4.5V, 10V	92 mOhm @ 2.7A, 10V	2.5V @ 25µA	2.5nC @ 4.5V	±16V	290pF @ 25V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDN304P	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	2.4A (Ta)	1.8V, 4.5V	52 mOhm @ 2.4A, 4.5V	1.5V @ 250µA	20nC @ 4.5V	±8V	1312pF @ 10V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SuperSOT-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2377EDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	4.4A (Tc)	1.5V, 4.5V	61 mOhm @ 3.2A, 4.5V	1V @ 250µA	21nC @ 8V	±8V	-	-	1.25W (Ta), 1.8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2312CDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	6A (Tc)	1.8V, 4.5V	31.8 mOhm @ 5A, 4.5V	1V @ 250µA	18nC @ 5V	±8V	865pF @ 10V	-	1.25W (Ta), 2.1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS139H6327XTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	250V	100mA (Ta)	0V, 10V	14 Ohm @ 100µA, 10V	1V @ 56µA	3.5nC @ 5V	±20V	76pF @ 25V	Depletion Mode	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDN5630	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	1.7A (Ta)	6V, 10V	100 mOhm @ 1.7A, 10V	3V @ 250µA	10nC @ 10V	±20V	400pF @ 15V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SuperSOT-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AON7522E	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	21A (Ta), 34A (Tc)	4.5V, 10V	4 mOhm @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	45nC @ 10V	±20V	1540pF @ 15V	-	3.1W (Ta), 31W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-DFN (3x3)	8-PowerSMD, Flat Leads
SI2312BDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	3.9A (Ta)	1.8V, 4.5V	31 mOhm @ 5A, 4.5V	850mV @ 250µA	12nC @ 4.5V	±8V	-	-	750mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2312BDS-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	3.9A (Ta)	1.8V, 4.5V	31 mOhm @ 5A, 4.5V	850mV @ 250µA	12nC @ 4.5V	±8V	-	-	750mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZXM61N02FTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	1.7A (Ta)	2.7V, 4.5V	180 mOhm @ 930mA, 4.5V	700mV @ 250µA	3.4nC @ 4.5V	±12V	160pF @ 15V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZXM61N03FTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	1.4A (Ta)	4.5V, 10V	220 mOhm @ 910mA, 10V	1V @ 250µA	4.1nC @ 10V	±20V	150pF @ 25V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZXMN3A01FTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	1.8A (Ta)	4.5V, 10V	120 mOhm @ 2.5A, 10V	1V @ 250µA	3.9nC @ 10V	±20V	190pF @ 25V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K2615R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 2A SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	2A (Ta)	3.3V, 10V	300 mOhm @ 1A, 10V	2V @ 1mA	-	±20V	150pF @ 10V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23F	SOT-23-3 Flat Leads
DMG3414U-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	4.2A (Ta)	1.8V, 4.5V	25 mOhm @ 8.2A, 4.5V	900mV @ 250µA	9.6nC @ 4.5V	±8V	829.9pF @ 10V	-	780mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM6J507NU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	10A (Ta)	4V, 10V	20 mOhm @ 4A, 10V	2.2V @ 250µA	20.4nC @ 4.5V	+20V, -25V	1150pF @ 15V	-	1.25W (Ta)	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-UDFNB (2x2)	6-WDFN Exposed Pad
SSM3J130TU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	4.4A (Ta)	1.5V, 4.5V	25.8 mOhm @ 4A, 4.5V	1V @ 1mA	24.8nC @ 4.5V	±8V	1800pF @ 10V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	UFM	3-SMD, Flat Leads
SI1021R-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	190mA (Ta)	4.5V, 10V	4 Ohm @ 500mA, 10V	3V @ 250µA	1.7nC @ 15V	±20V	23pF @ 25V	-	250mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-75A	SC-75A
DMP3017SFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	11.5A (Ta)	4.5V, 10V	10 mOhm @ 11.5A, 10V	3V @ 250µA	41nC @ 10V	±25V	2246pF @ 15V	-	940mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI3333-8	8-PowerWDFN
FDN302P	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	2.4A (Ta)	2.5V, 4.5V	55 mOhm @ 2.4A, 4.5V	1.5V @ 250µA	14nC @ 4.5V	±12V	882pF @ 10V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SuperSOT-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные