Nexperia агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные - NX7002BKMBYL NX7002BKMYL - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Технологии	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (Макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Функция FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Пакет устройств поставщика	Упаковка / чехол
NX7002BKMBYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V SGL 3-DFN1006B	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	350mA (Ta)	5V, 10V	2.8 Ohm @ 200mA, 10V	2.1V @ 250µA	1nC @ 10V	±20V	23.6pF @ 10V	-	350mW (Ta), 3.1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	3-DFN1006B (0.6x1)	3-XFDFN
NX7002BKMYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V SGL XQFN3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	350mA (Ta)	5V, 10V	2.8 Ohm @ 200mA, 10V	2.1V @ 250µA	1nC @ 10V	±20V	23.6pF @ 10V	-	350mW (Ta), 3.1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN1006-3	SC-101, SOT-883
BSH111BKR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V SOT-23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	210mA (Ta)	4.5V	4 Ohm @ 200mA, 4.5V	1.3V @ 250µA	0.5nC @ 4.5V	±10V	30pF @ 30V	-	302mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002BKM,315	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	450mA (Ta)	10V	1.6 Ohm @ 500mA, 10V	2.1V @ 250µA	0.6nC @ 4.5V	±20V	50pF @ 10V	-	360mW (Ta)	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN1006-3	SC-101, SOT-883
PMZ320UPEYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 30V SOT883	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	1A (Ta)	1.5V, 4.5V	510 mOhm @ 1A, 4.5V	950mV @ 250µA	1.4nC @ 4.5V	±8V	122pF @ 15V	-	350mW (Ta), 6.25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN1006-3	SC-101, SOT-883
BSS84AKMB,315	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 50V 230MA 3DFN	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	50V	230mA (Ta)	10V	7.5 Ohm @ 100mA, 10V	2.1V @ 250µA	0.35nC @ 5V	±20V	36pF @ 25V	-	360mW (Ta), 2.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	3-DFN1006B (0.6x1)	3-XFDFN
BSH205G2R	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 2A SOT23	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	2A (Ta)	4.5V	170 mOhm @ 2A, 4.5V	950mV @ 250µA	6.5nC @ 4.5V	±8V	418pF @ 10V	-	480mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMZ390UN,315	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT883	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	1.78A (Tc)	1.8V, 4.5V	460 mOhm @ 200mA, 4.5V	950mV @ 250µA	0.89nC @ 4.5V	±8V	43pF @ 25V	-	2.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN1006-3	SC-101, SOT-883
BSS84AKM,315	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 50V SOT883	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	50V	230mA (Ta)	10V	7.5 Ohm @ 100mA, 10V	2.1V @ 250µA	0.35nC @ 5V	±20V	36pF @ 25V	-	340mW (Ta), 2.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN1006-3	SC-101, SOT-883
BSH105,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	1.05A (Ta)	1.8V, 4.5V	200 mOhm @ 600mA, 4.5V	570mV @ 1mA	3.9nC @ 4.5V	±8V	152pF @ 16V	-	417mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMV130ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	2.1A (Ta)	4.5V, 10V	120 mOhm @ 1.5A, 10V	2.5V @ 250µA	3.6nC @ 10V	±20V	170pF @ 20V	-	460mW (Ta), 5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMXB360ENEAZ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	1.1A (Ta)	4.5V, 10V	450 mOhm @ 1.1A, 10V	2.7V @ 250µA	4.5nC @ 10V	±20V	130pF @ 40V	-	400mW (Ta), 6.25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN1010D-3	3-XDFN Exposed Pad
PMV48XP,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	3.5A (Ta)	2.5V, 4.5V	55 mOhm @ 2.4A, 4.5V	1.25V @ 250µA	11nC @ 4.5V	±12V	1000pF @ 10V	-	510mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMV250EPEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 40V SOT23	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	1.5A (Ta)	4.5V, 10V	240 mOhm @ 1.3A, 10V	2.5V @ 250µA	6nC @ 10V	±20V	450pF @ 20V	-	480mW (Ta), 6.25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMF370XN,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 0.87A SOT323	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	870mA (Tc)	4.5V	440 mOhm @ 200mA, 4.5V	1.5V @ 250µA	0.65nC @ 4.5V	±12V	37pF @ 25V	-	560mW (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-323-3	SC-70, SOT-323
PMV20XNER	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	5.7A (Ta)	1.8V, 4.5V	23 mOhm @ 5.7A, 4.5V	900mV @ 250µA	18.6nC @ 4.5V	±12V	1150pF @ 15V	-	510mW (Ta), 6.94W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMV65XPEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V SOT23	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	2.8A (Ta)	2.5V, 4.5V	78 mOhm @ 2.8A, 4.5V	1.25V @ 250µA	9nC @ 4.5V	±12V	618pF @ 10V	-	480mW (Ta), 6.25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMV20ENR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	6A (Ta)	4.5V, 10V	21 mOhm @ 6A, 10V	2V @ 250µA	10.8nC @ 10V	±20V	435pF @ 15V	-	510mW (Ta), 6.94W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMV50EPEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	4.2A (Ta)	4.5V, 10V	45 mOhm @ 4.2A, 10V	3V @ 250µA	19.2nC @ 10V	±20V	793pF @ 15V	-	310mW (Ta), 455mW (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMV50XPR	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V SOT23	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	3.6A (Ta)	1.5V, 4.5V	60 mOhm @ 3.6A, 4.5V	900mV @ 250µA	12nC @ 4.5V	±12V	744pF @ 20V	-	490mW (Ta), 4.63W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMV16XNR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	6.8A (Ta)	1.8V, 4.5V	20 mOhm @ 6.8A, 4.5V	900mV @ 250µA	20.2nC @ 4.5V	±12V	1240pF @ 10V	-	510mW (Ta), 6.94W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BUK78150-55A/CUX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	5.5A (Tc)	10V	150 mOhm @ 5A, 10V	4V @ 1mA	-	±20V	230pF @ 25V	-	8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
PMN30XPX	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	5.2A (Ta)	1.5V, 4.5V	34 mOhm @ 5.2A, 4.5V	900mV @ 250µA	23nC @ 4.5V	±12V	1575pF @ 10V	-	550mW (Ta), 6.25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSOP	SC-74, SOT-457
PMV50UPE,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	3.2A (Ta)	1.8V, 4.5V	66 mOhm @ 3.2A, 4.5V	900mV @ 250µA	15.7nC @ 4.5V	±8V	24pF @ 10V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PSMN020-30MLCX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	31.8A (Tc)	4.5V, 10V	18.1 mOhm @ 5A, 10V	1.95V @ 1mA	9.5nC @ 10V	±20V	430pF @ 15V	-	33W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK33	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
PSMN9R5-30YLC,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 44A LL LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	44A (Tc)	4.5V, 10V	9.8 mOhm @ 15A, 10V	1.95V @ 1mA	10.4nC @ 10V	±20V	681pF @ 15V	-	34W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN030-60YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	29A (Tc)	10V	24.7 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	13nC @ 10V	±20V	686pF @ 30V	-	56W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN7R5-30YLDX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	51A (Tj)	4.5V, 10V	7.5 mOhm @ 15A, 10V	2.2V @ 1mA	11.3nC @ 10V	±20V	655pF @ 15V	-	34W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PMV32UP,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	4A (Ta)	1.8V, 4.5V	36 mOhm @ 2.4A, 4.5V	950mV @ 250µA	15.5nC @ 4.5V	±8V	1890pF @ 10V	-	510mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BUK9Y153-100E,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	9.4A (Tc)	5V	146 mOhm @ 2A, 10V	2.1V @ 1mA	6.8nC @ 5V	±10V	716pF @ 25V	-	37W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK9Y40-55B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	26A (Tc)	5V	36 mOhm @ 15A, 10V	2V @ 1mA	11nC @ 5V	±15V	1020pF @ 25V	-	59W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK9Y104-100B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	14.8A (Tc)	5V, 10V	99 mOhm @ 5A, 10V	2.15V @ 1mA	11nC @ 5V	±15V	1139pF @ 25V	-	59W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK92150-55A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 11A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	11A (Tc)	4.5V, 10V	125 mOhm @ 5A, 10V	2V @ 1mA	6nC @ 5V	±15V	338pF @ 25V	-	36W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PSMN041-80YLX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	25A (Tc)	5V, 10V	41 mOhm @ 5A, 10V	2.1V @ 1mA	21.9nC @ 10V	±20V	1108pF @ 25V	-	64W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK9277-55A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 18A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	18A (Tc)	4.5V, 10V	69 mOhm @ 10A, 10V	2V @ 1mA	11nC @ 5V	±15V	643pF @ 25V	-	51W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PSMN025-80YLX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V LFPAK56	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	37A (Tc)	5V, 10V	25 mOhm @ 10A, 10V	2.1V @ 1mA	17.1nC @ 5V	±20V	2703pF @ 25V	-	95W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BSP89,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	240V	375mA (Ta)	4.5V, 10V	5 Ohm @ 340mA, 10V	2V @ 1mA	-	±20V	120pF @ 25V	-	1.5W (Ta)	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
PSMN7R0-30MLC,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK33	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	67A (Tc)	4.5V, 10V	7 mOhm @ 15A, 10V	2.15V @ 1mA	17.9nC @ 10V	±20V	1076pF @ 15V	-	57W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK33	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
BUK9Y53-100B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	23A (Tc)	4.5V, 10V	49 mOhm @ 10A, 10V	2V @ 1mA	18nC @ 5V	±15V	2130pF @ 25V	-	75W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK9M24-60EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	32A (Tc)	5V	21 mOhm @ 10A, 10V	2.1V @ 1mA	12.4nC @ 5V	±10V	1469pF @ 25V	-	55W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK33	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
PSMN069-100YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	17A (Tc)	10V	72.4 mOhm @ 5A, 10V	4V @ 1mA	14nC @ 10V	±20V	645pF @ 50V	-	56W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK9840-55/CUX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 5A SOT223	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	5A (Ta), 10.7A (Tc)	5V	40 mOhm @ 5A, 5V	2V @ 1mA	-	±10V	1400pF @ 25V	-	8.3W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
BSP126,135	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	250V	375mA (Ta)	10V	5 Ohm @ 300mA, 10V	2V @ 1mA	-	±20V	120pF @ 25V	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
BSP126,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	250V	375mA (Ta)	10V	5 Ohm @ 300mA, 10V	2V @ 1mA	-	±20V	120pF @ 25V	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
BUK7Y18-75B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 75V 49A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75V	49A (Tc)	10V	18 mOhm @ 20A, 10V	4V @ 1mA	35nC @ 10V	±20V	2173pF @ 25V	-	105W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN028-100YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 42A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	42A (Tc)	10V	27.5 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	33nC @ 10V	±20V	1634pF @ 50V	-	89W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN2R8-25MLC,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	25V	70A (Tc)	4.5V, 10V	2.8 mOhm @ 25A, 10V	2.15V @ 1mA	37.7nC @ 10V	±20V	2432pF @ 12.5V	-	88W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK33	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
BUK9226-75A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 75V 45A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75V	45A (Tc)	4.5V, 10V	24.6 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	-	±10V	3120pF @ 25V	-	114W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PMPB11EN,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	9A (Ta)	4.5V, 10V	14.5 mOhm @ 9A, 10V	2V @ 250µA	20.6nC @ 10V	±20V	840pF @ 10V	-	1.7W (Ta), 12.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN2020MD-6	6-UDFN Exposed Pad
PSMN2R0-30YL,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	100A (Tc)	4.5V, 10V	2 mOhm @ 15A, 10V	2.15V @ 1mA	64nC @ 10V	±20V	3980pF @ 12V	-	97W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные