Nexperia агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные - BUK9616-75B,118 BUK9640-100A,118 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Технологии	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (Макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Функция FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Пакет устройств поставщика	Упаковка / чехол
BUK9616-75B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 75V 67A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75V	67A (Tc)	5V, 10V	14 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	35nC @ 5V	±15V	4034pF @ 25V	-	157W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK9640-100A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	39A (Tc)	4.5V, 10V	39 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	48nC @ 5V	±15V	3072pF @ 25V	-	158W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN1R5-25YL,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	25V	100A (Tc)	4.5V, 10V	1.5 mOhm @ 15A, 10V	2.15V @ 1mA	76nC @ 10V	±20V	4830pF @ 12V	-	109W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK7611-55A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	75A (Tc)	10V	11 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	-	±20V	3093pF @ 25V	-	166W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN130-200D,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 200V 20A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	20A (Tc)	10V	130 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	65nC @ 10V	±20V	2470pF @ 25V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
BUK7635-100A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 41A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	41A (Tc)	10V	35 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	-	±20V	2535pF @ 25V	-	149W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK9606-40B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	75A (Tc)	5V, 10V	5 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	44nC @ 5V	±15V	4901pF @ 25V	-	203W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK768R3-60E,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	75A (Tc)	10V	8.3 mOhm @ 20A, 10V	4V @ 1mA	43.1nC @ 10V	±20V	2920pF @ 25V	-	137W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK965R4-40E,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	75A (Tc)	5V	4.4 mOhm @ 25A, 10V	2.1V @ 1mA	33.9nC @ 5V	±10V	4483pF @ 25V	-	137W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK6607-75C,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75V	100A (Tc)	10V	7 mOhm @ 25A, 10V	2.8V @ 1mA	123nC @ 10V	±16V	7600pF @ 25V	-	204W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN4R5-40BS,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	100A (Tc)	10V	4.5 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	42.3nC @ 10V	±20V	2683pF @ 20V	-	148W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PHB33NQ20T,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	32.7A (Tc)	10V	77 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	32.2nC @ 10V	±20V	1870pF @ 25V	-	230W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN016-100BS,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	57A (Tj)	10V	16 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	49nC @ 10V	±20V	2404pF @ 50V	-	148W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK765R2-40B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	75A (Tc)	10V	5.2 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	52nC @ 10V	±20V	3789pF @ 25V	-	203W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PHB27NQ10T,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	28A (Tc)	10V	50 mOhm @ 14A, 10V	4V @ 1mA	30nC @ 10V	±20V	1240pF @ 25V	-	107W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK664R4-55C,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	100A (Tc)	5V, 10V	4.9 mOhm @ 25A, 10V	2.8V @ 1mA	124nC @ 10V	±16V	7750pF @ 25V	-	204W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK663R2-40C,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	100A (Tc)	10V	3.2 mOhm @ 25A, 10V	2.8V @ 1mA	125nC @ 10V	±16V	8020pF @ 25V	-	204W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN3R4-30BLE,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	120A (Tc)	4.5V, 10V	3.4 mOhm @ 25A, 10V	2.15V @ 1mA	81nC @ 10V	±20V	4682pF @ 15V	-	178W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN013-100BS,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	68A (Tc)	10V	13.9 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	59nC @ 10V	±20V	3195pF @ 50V	-	170W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN8R7-80BS,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	90A (Tc)	10V	8.7 mOhm @ 10A, 10V	4V @ 1mA	52nC @ 10V	±20V	3346pF @ 40V	-	170W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK766R0-60E,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	75A (Tc)	10V	6 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	62nC @ 10V	±20V	4520pF @ 25V	-	182W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK964R1-40E,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	75A (Tc)	5V	3.5 mOhm @ 25A, 10V	2.1V @ 1mA	52.1nC @ 5V	±10V	6650pF @ 25V	-	182W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK762R9-40E,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	100A (Tc)	10V	2.9 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	79nC @ 10V	±20V	6200pF @ 25V	-	234W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK7613-100E,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	72A (Tc)	10V	13 mOhm @ 20A, 10V	4V @ 1mA	97.2nC @ 10V	±20V	4533pF @ 20V	-	182W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK9611-80E,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	75A (Tc)	5V	10 mOhm @ 20A, 10V	2.1V @ 1mA	48.8nC @ 5V	±10V	7149pF @ 25V	-	182W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK9608-55A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	75A (Tc)	4.5V, 10V	7.5 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	92nC @ 5V	±15V	6021pF @ 25V	-	253W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK9606-55B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	75A (Tc)	5V, 10V	5.4 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	60nC @ 5V	±15V	7565pF @ 25V	-	258W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK964R4-40B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	75A (Tc)	5V, 10V	4 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	64nC @ 5V	±15V	7124pF @ 25V	-	254W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN2R8-40BS,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	100A (Tc)	10V	2.9 mOhm @ 10A, 10V	4V @ 1mA	71nC @ 10V	±20V	4491pF @ 20V	-	211W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PHB47NQ10T,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	47A (Tc)	10V	28 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	66nC @ 10V	±20V	3100pF @ 25V	-	166W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN4R6-60BS,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	100A (Tc)	10V	4.4 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	70.8nC @ 10V	±20V	4426pF @ 30V	-	211W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN9R5-100BS,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	89A (Tc)	10V	9.6 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	82nC @ 10V	±20V	4454pF @ 50V	-	211W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK764R4-60E,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	100A (Tc)	10V	4.5 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	82nC @ 10V	±20V	6230pF @ 25V	-	234W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PHP23NQ11T,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 110V 23A TO220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	110V	23A (Tc)	10V	70 mOhm @ 13A, 10V	4V @ 1mA	22nC @ 10V	±20V	830pF @ 25V	-	100W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
BUK662R4-40C,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	120A (Tc)	10V	2.3 mOhm @ 25A, 10V	2.8V @ 1mA	199nC @ 10V	±16V	11334pF @ 25V	-	263W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK9606-55A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	75A (Tj)	4.5V, 10V	5.8 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	-	±15V	8600pF @ 25V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN017-30EL,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 32A I2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	32A (Tc)	4.5V, 10V	17 mOhm @ 10A, 10V	2.15V @ 1mA	10.7nC @ 10V	±20V	552pF @ 15V	-	47W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	I2PAK	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
PSMN016-100PS,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V TO220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	57A (Tj)	10V	16 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	49nC @ 10V	±20V	2404pF @ 50V	-	148W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
BUK9605-30A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	75A (Tc)	5V, 10V	4.6 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	-	±10V	8600pF @ 25V	-	230W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PHB45NQ10T,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	47A (Tc)	10V	25 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	61nC @ 10V	±20V	2600pF @ 25V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PHB191NQ06LT,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	75A (Tc)	10V	3.7 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	95.6nC @ 5V	±15V	7665pF @ 25V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK768R1-100E,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	100A (Tc)	10V	8.1 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	108nC @ 10V	±20V	7380pF @ 25V	-	263W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN015-60PS,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	50A (Tc)	10V	14.8 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	20.9nC @ 10V	±20V	1220pF @ 30V	-	86W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
PSMN1R6-30BL,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	100A (Tc)	4.5V, 10V	1.9 mOhm @ 25A, 10V	2.15V @ 1mA	212nC @ 10V	±20V	12493pF @ 15V	-	306W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN034-100PS,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V TO220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	32A (Tc)	10V	34.5 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	23.8nC @ 10V	±20V	1201pF @ 50V	-	86W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
BUK7609-75A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75V	75A (Tc)	10V	9 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	-	±20V	6760pF @ 25V	-	230W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK9606-75B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75V	75A (Tc)	5V, 10V	5.5 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	95nC @ 5V	±15V	11693pF @ 25V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK9610-100B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	75A (Tc)	5V, 10V	9.7 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	86nC @ 5V	±15V	11045pF @ 25V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK7606-75B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75V	75A (Tc)	10V	5.6 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	91nC @ 10V	±20V	7446pF @ 25V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN4R3-30PL,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	100A (Tc)	4.5V, 10V	4.3 mOhm @ 15A, 10V	2.15V @ 1mA	41.5nC @ 10V	±20V	2400pF @ 12V	-	103W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные