Nexperia агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные - PSMN014-80YLX BUK9222-55A,118 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Технологии	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (Макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Функция FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Пакет устройств поставщика	Упаковка / чехол
PSMN014-80YLX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V LFPAK56	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	62A (Tc)	5V, 10V	14 mOhm @ 15A, 10V	2.1V @ 1mA	28.9nC @ 5V	±20V	4640pF @ 25V	-	147W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK9222-55A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 48A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	48A (Tc)	4.5V, 10V	20 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	-	±15V	2210pF @ 25V	-	103W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
BUK9Y11-30B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	59A (Tc)	4.5V, 10V	9 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	16.5nC @ 5V	±15V	1614pF @ 25V	-	75W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK7225-55A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 43A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	43A (Tc)	10V	25 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	-	±20V	1310pF @ 25V	-	94W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
BUK6226-75C,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 75V 33A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75V	33A (Tc)	10V	29 mOhm @ 12A, 10V	2.8V @ 1mA	34nC @ 10V	±16V	2000pF @ 25V	-	80W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PSMN011-60MSX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V LFPAK33	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	61A (Tc)	10V	11.3 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	23nC @ 10V	±20V	1368pF @ 30V	-	91W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK33	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
BUK9275-100A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 21.7A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	21.7A (Tc)	4.5V, 10V	72 mOhm @ 10A, 10V	2V @ 1mA	-	±10V	1690pF @ 25V	-	88W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PSMN2R9-25YLC,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	25V	100A (Tc)	4.5V, 10V	3.15 mOhm @ 25A, 10V	1.95V @ 1mA	33nC @ 10V	±20V	2083pF @ 12V	-	92W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN3R0-30MLC,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	70A (Tc)	4.5V, 10V	3.15 mOhm @ 25A, 10V	2.15V @ 1mA	34.8nC @ 10V	±20V	2330pF @ 15V	-	88W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK33	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
PHB20N06T,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	20.3A (Tc)	10V	75 mOhm @ 10A, 10V	4V @ 1mA	11nC @ 10V	±20V	483pF @ 25V	-	62W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN2R0-25YLDX	Nexperia USA Inc.	PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	25V	100A (Tc)	4.5V, 10V	2.09 mOhm @ 25A, 10V	2.2V @ 1mA	34.1nC @ 10V	±20V	2485pF @ 12V	Schottky Diode (Body)	115W(Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK7219-55A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 55A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	55A (Tc)	10V	19 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	-	±20V	2108pF @ 25V	-	114W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
BUK9215-55A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 55A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	55A (Tc)	4.5V, 10V	13.6 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	48nC @ 5V	±15V	2916pF @ 25V	-	115W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
BUK9214-30A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 63A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	63A (Tc)	4.5V, 10V	12 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	31nC @ 5V	±15V	2317pF @ 25V	-	107W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
BUK9Y4R4-40E,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	100A (Tc)	5V	3.7 mOhm @ 25A, 10V	2.1V @ 1mA	26.8nC @ 5V	±10V	4077pF @ 25V	-	147W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK9675-55A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	20A (Tc)	4.5V, 10V	68 mOhm @ 10A, 10V	2V @ 1mA	-	±10V	643pF @ 25V	-	62W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK9219-55A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 55A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	55A (Tc)	4.5V, 10V	17.6 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	-	±10V	2920pF @ 25V	-	114W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
BUK9Y07-30B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	75A (Tc)	5V, 10V	6 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	28.1nC @ 5V	±15V	2500pF @ 25V	-	105W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN1R7-25YLDX	Nexperia USA Inc.	PSMN1R7-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	25V	100A (Tc)	4.5V, 10V	1.7 mOhm @ 25A, 10V	2.2V @ 1mA	46.7nC @ 10V	±20V	3415pF @ 12V	Schottky Diode (Body)	135W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK768R1-40E,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	75A (Tc)	10V	7.2 mOhm @ 20A, 10V	4V @ 1mA	24nC @ 10V	±20V	1730pF @ 25V	-	96W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PHB66NQ03LT,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	25V	66A (Tc)	10V	10.5 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	12nC @ 5V	±20V	860pF @ 25V	-	93W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK9Y30-75B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 75V 34A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75V	34A (Tc)	5V	28 mOhm @ 15A, 10V	2V @ 1mA	19nC @ 5V	±15V	2070pF @ 25V	-	85W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK626R2-40C,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 90A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	90A (Tc)	10V	6.2 mOhm @ 15A, 10V	2.8V @ 1mA	67nC @ 10V	±16V	3720pF @ 25V	-	128W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
BUK7635-55A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	35A (Tc)	10V	35 mOhm @ 20A, 10V	4V @ 1mA	-	±20V	872pF @ 25V	-	85W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN017-30BL,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 32A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	32A (Tc)	4.5V, 10V	17 mOhm @ 10A, 10V	2.15V @ 1mA	10.7nC @ 10V	±20V	552pF @ 15V	-	47W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN050-80BS,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 22A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	22A (Tc)	10V	46 mOhm @ 10A, 10V	4V @ 1mA	11nC @ 10V	±20V	633pF @ 12V	-	56W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK7208-40B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 75A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	75A (Tc)	10V	8 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	35nC @ 10V	±20V	2493pF @ 25V	-	167W (Tc)	-55°C ~ 185°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
BUK7210-55B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	75A (Tc)	10V	10 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	35nC @ 10V	±20V	2453pF @ 25V	-	167W (Tc)	-55°C ~ 185°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
BUK7214-75B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 75V 70A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75V	70A (Tc)	10V	14 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	41nC @ 10V	±20V	2612pF @ 25V	-	158W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
BUK7212-55B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 75A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	75A (Tc)	10V	12 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	35nC @ 10V	±20V	2453pF @ 25V	-	167W (Tc)	-55°C ~ 185°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
BUK9240-100A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 33A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	33A (Tc)	4.5V, 10V	38.6 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	-	±10V	3072pF @ 25V	-	114W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
BUK7660-100A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	26A (Tc)	10V	60 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	-	±20V	1377pF @ 25V	-	106W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK9660-100A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	26A (Tc)	4.5V, 10V	58 mOhm @ 15A, 10V	2V @ 1mA	-	±10V	1924pF @ 25V	-	106W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN1R5-30YL,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	100A (Tc)	4.5V, 10V	1.5 mOhm @ 15A, 10V	2.15V @ 1mA	77.9nC @ 10V	±20V	5057pF @ 12V	-	109W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK96180-100A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 11A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	11A (Tc)	5V, 10V	173 mOhm @ 5A, 10V	2V @ 1mA	-	±15V	619pF @ 25V	-	54W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK9620-55A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 54A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	54A (Tc)	4.5V, 10V	18 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	-	±10V	2210pF @ 25V	-	118W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN1R2-25YLDX	Nexperia USA Inc.	PSMN1R2-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	25V	100A (Tc)	4.5V, 10V	1.2 mOhm @ 25A, 10V	2.2V @ 1mA	60.3nC @ 10V	±20V	4327pF @ 12V	Schottky Diode (Body)	172W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK7Y9R9-80EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	89A (Tc)	10V	98 mOhm @ 5A, 10V	4V @ 1mA	51.6nC @ 10V	±20V	498pF @ 25V	-	195W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN8R0-40BS,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	77A (Tc)	10V	7.6 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	21nC @ 10V	±20V	1262pF @ 12V	-	86W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN015-60BS,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	50A (Tc)	10V	14.8 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	20.9nC @ 10V	±20V	1220pF @ 30V	-	86W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN034-100BS,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	32A (Tc)	10V	34.5 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	23.8nC @ 10V	±20V	1201pF @ 50V	-	86W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK7640-100A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	37A (Tc)	10V	40 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	-	±20V	2293pF @ 25V	-	138W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK7626-100B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	49A (Tc)	10V	26 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	38nC @ 10V	±20V	2891pF @ 25V	-	157W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK765R3-40E,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	75A (Tc)	10V	4.9 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	35.5nC @ 10V	±20V	2772pF @ 25V	-	137W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK6607-55C,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	100A (Tc)	10V	6.5 mOhm @ 25A, 10V	2.8V @ 1mA	82nC @ 10V	±16V	5160pF @ 25V	-	158W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN017-80BS,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	50A (Tc)	10V	17 mOhm @ 10A, 10V	4V @ 1mA	26nC @ 10V	±20V	1573pF @ 40V	-	103W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN027-100BS,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	37A (Tc)	10V	26.8 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	30nC @ 10V	±20V	1624pF @ 50V	-	103W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PHB32N06LT,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	34A (Tc)	4.5V, 5V	37 mOhm @ 20A, 10V	2V @ 1mA	17nC @ 5V	±15V	1280pF @ 25V	-	97W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK9629-100B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 46A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	46A (Tc)	5V, 10V	27 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	33nC @ 5V	±15V	4360pF @ 25V	-	157W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK7608-40B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	75A (Tc)	10V	8 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	36nC @ 10V	±20V	2689pF @ 25V	-	157W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные