Nexperia агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные - BSP220,115 BUK9212-55B,118 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Технологии	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (Макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Функция FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Пакет устройств поставщика	Упаковка / чехол
BSP220,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	225mA (Ta)	10V	12 Ohm @ 200mA, 10V	2.8V @ 1mA	-	±20V	90pF @ 25V	-	1.5W (Ta)	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
BUK9212-55B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 75A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	75A (Tc)	5V, 10V	10 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	32nC @ 5V	±15V	3519pF @ 25V	-	167W (Tc)	-55°C ~ 185°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
BUK9675-100A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	23A (Tc)	5V, 10V	72 mOhm @ 10A, 10V	2V @ 1mA	-	±15V	1704pF @ 25V	-	99W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN2R0-30YLE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	100A (Tc)	4.5V, 10V	2 mOhm @ 25A, 10V	2.15V @ 1mA	87nC @ 10V	±20V	5217pF @ 15V	-	272W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK7Y7R8-80EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	100A (Tc)	10V	7.8 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	63.3nC @ 10V	±20V	5347pF @ 25V	-	238W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN1R0-30YLDX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	100A (Tc)	4.5V, 10V	1.02 mOhm @ 25A, 10V	2.2V @ 2mA	121.35nC @ 10V	±20V	8598pF @ 15V	-	238W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK6610-75C,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 75V 78A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75V	78A (Tc)	10V	10 mOhm @ 25A, 10V	2.8V @ 1mA	81nC @ 10V	±16V	5251pF @ 25V	-	158W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN4R0-60YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	74A (Tc)	10V	4 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	56nC @ 10V	±20V	3501pF @ 30V	-	130W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN7R6-60BS,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	92A (Tc)	10V	7.8 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	38.7nC @ 10V	±20V	2651pF @ 30V	-	149W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN012-80BS,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	74A (Tc)	10V	11 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	43nC @ 10V	±20V	2782pF @ 12V	-	148W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK9608-55B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	75A (Tc)	5V, 10V	7 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	45nC @ 5V	±15V	5280pF @ 25V	-	203W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PHB45NQ15T,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150V	45.1A (Tc)	10V	42 mOhm @ 20A, 10V	4V @ 1mA	32nC @ 10V	±20V	1770pF @ 25V	-	230W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN017-30PL,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 32A TO220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	32A (Tc)	4.5V, 10V	17 mOhm @ 10A, 10V	2.15V @ 1mA	10.7nC @ 10V	±20V	552pF @ 15V	-	45W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
PSMN057-200B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	39A (Tc)	10V	57 mOhm @ 17A, 10V	4V @ 1mA	96nC @ 10V	±20V	3750pF @ 25V	-	250W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN015-100B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	75A (Tc)	10V	15 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	90nC @ 10V	±20V	4900pF @ 25V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK7610-100B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	75A (Tc)	10V	10 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	80nC @ 10V	±20V	6773pF @ 25V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN027-100PS,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V TO220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	37A (Tc)	10V	26.8 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	30nC @ 10V	±20V	1624pF @ 50V	-	103W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
PHP79NQ08LT,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 75V 73A TO220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75V	73A (Tc)	10V	16 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	30nC @ 5V	±15V	3026pF @ 25V	-	157W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
BUK764R0-75C,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75V	100A (Tc)	10V	4 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	142nC @ 10V	±20V	11659pF @ 25V	-	333W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK962R5-60E,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	120A (Tc)	5V	2.5 mOhm @ 25A, 5V	2.1V @ 1mA	120nC @ 5V	±10V	17450pF @ 25V	-	357W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK965R8-100E,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	120A (Tc)	5V	5.8 mOhm @ 25A, 5V	2.1V @ 1mA	133nC @ 5V	±10V	17460pF @ 25V	-	357W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMNR90-30BL,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	120A (Tc)	4.5V, 10V	1 mOhm @ 25A, 10V	2.2V @ 1mA	243nC @ 10V	±20V	14850pF @ 15V	-	306W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN015-100P,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	75A (Tc)	10V	15 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	90nC @ 10V	±20V	4900pF @ 25V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
BUK7E1R9-40E,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	120A (Tc)	10V	1.9 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	118nC @ 10V	±20V	9700pF @ 25V	-	324W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	I2PAK	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
PSMN1R1-30PL,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	120A (Tc)	4.5V, 10V	1.3 mOhm @ 25A, 10V	2.2V @ 1mA	243nC @ 10V	±20V	14850pF @ 15V	-	338W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
PMZ1200UPEYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 30V SOT883	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	410mA (Ta)	1.5V, 4.5V	1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V	950mV @ 250µA	1.2nC @ 4.5V	±8V	43.2pF @ 15V	-	310mW (Ta), 1.67W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN1006-3	SC-101, SOT-883
PMZ550UNEYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V SOT883	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	590mA (Ta)	1.5V, 4.5V	670 mOhm @ 590mA, 4.5V	950mV @ 250µA	1.1nC @ 4.5V	±8V	30.3pF @ 15V	-	310mW (Ta), 1.67W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN1006-3	SC-101, SOT-883
PMZ290UNEYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 1A	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	1A (Ta)	1.8V, 4.5V	380 mOhm @ 500mA, 4.5V	950mV @ 250µA	0.68nC @ 4.5V	±8V	83pF @ 10V	-	350mW (Ta), 5.43W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN1006-3	SC-101, SOT-883
PMZ370UNEYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 0.9A	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	900mA (Ta)	1.8V, 4.5V	490 mOhm @ 500mA, 4.5V	1.05V @ 250µA	1.16nC @ 4.5V	±8V	78pF @ 25V	-	360mW (Ta), 2.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN1006-3	SC-101, SOT-883
PMZ130UNEYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V SOT883	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	1.8A (Ta)	1.5V, 4.5V	150 mOhm @ 1.8A, 4.5V	950mV @ 250µA	1.6nC @ 4.5V	±8V	93pF @ 10V	-	350mW (Ta), 6.25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN1006-3	SC-101, SOT-883
PMZB550UNEYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V SOT883	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	590mA (Ta)	1.5V, 4.5V	670 mOhm @ 590mA, 4.5V	950mV @ 250µA	1.1nC @ 4.5V	±8V	30.3pF @ 15V	-	310mW (Ta), 1.67W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN1006B-3	3-XFDFN
PMZ950UPEYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 0.5A	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	500mA (Ta)	1.2V, 4.5V	1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V	950mV @ 250µA	2.1nC @ 4.5V	±8V	43pF @ 10V	-	360mW (Ta), 2.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN1006-3	SC-101, SOT-883
PMZB150UNEYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V SOT883	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	1.5A (Ta)	1.5V, 4.5V	200 mOhm @ 1.5A, 4.5V	950mV @ 250µA	1.6nC @ 4.5V	±8V	93pF @ 10V	-	350mW (Ta), 6.25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN1006B-3	3-XFDFN
PMZB200UNEYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V SOT883	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	1.4A (Ta)	1.5V, 4.5V	250 mOhm @ 1.4A, 4.5V	950mV @ 250µA	2.7nC @ 4.5V	±8V	89pF @ 15V	-	350mW (Ta), 6.25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN1006B-3	3-XFDFN
PMZ600UNEYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 0.6A	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	600mA (Ta)	1.2V, 4.5V	620 mOhm @ 600mA, 4.5V	950mV @ 250µA	0.7nC @ 4.5V	±8V	21.3pF @ 10V	-	360mW (Ta), 2.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN1006-3	SC-101, SOT-883
NX7002BKSX	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 60V 6TSSOP	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	270mA (Ta)	5V, 10V	2.8 Ohm @ 200mA, 10V	2.1V @ 250µA	1nC @ 10V	±20V	23.6pF @ 10V	-	310mW (Ta), 1.67W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
2N7002BKMB,315	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 450MA 3DFN	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	450mA (Ta)	10V	1.6 Ohm @ 450mA, 10V	2.1V @ 250µA	0.6nC @ 4.5V	±20V	50pF @ 10V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	3-DFN1006B (0.6x1)	3-XFDFN
PMZB320UPEYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 30V SOT883	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	1A (Ta)	1.5V, 4.5V	510 mOhm @ 1A, 4.5V	950mV @ 250µA	1.4nC @ 4.5V	±8V	122pF @ 15V	-	350mW (Ta), 6.25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN1006B-3	3-XFDFN
PMZB290UN,315	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	1A (Ta)	1.8V, 4.5V	380 mOhm @ 500mA, 4.5V	950mV @ 250µA	0.68nC @ 4.5V	±8V	83pF @ 10V	-	360mW (Ta), 2.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	3-DFN1006B (0.6x1)	3-XFDFN
PMZB670UPE,315	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	680mA (Ta)	1.8V, 4.5V	850 mOhm @ 400mA, 4.5V	1.3V @ 250µA	1.14nC @ 4.5V	±8V	87pF @ 10V	-	360mW (Ta), 2.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	3-DFN1006B (0.6x1)	3-XFDFN
PMZB950UPEYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3QFN	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	500mA (Ta)	1.2V, 4.5V	1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V	950mV @ 250µA	2.1nC @ 4.5V	±8V	43pF @ 10V	-	360mW (Ta), 2.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN1006B-3	3-XFDFN
PMXB65UPEZ	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	3.2A (Ta)	1.2V, 4.5V	72 mOhm @ 3.2A, 4.5V	1V @ 250µA	12nC @ 4.5V	±8V	634pF @ 6V	-	317mW (Ta), 8.33W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN1010D-3	3-XDFN Exposed Pad
PMZB950UPELYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 500MA 3DFN1006B	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	500mA (Ta)	1.2V, 4.5V	1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V	950mV @ 250µA	2.1nC @ 4.5V	±8V	43pF @ 10V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	3-DFN1006B (0.6x1)	3-XFDFN
PMZ350UPEYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 1A	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	1A (Ta)	1.8V, 4.5V	450 mOhm @ 300mA, 4.5V	950mV @ 250µA	1.9nC @ 4.5V	±8V	127pF @ 10V	-	360mW (Ta), 3.125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN1006-3	SC-101, SOT-883
PMZB600UNEYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 3QFN	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	600mA (Ta)	1.2V, 4.5V	620 mOhm @ 600mA, 4.5V	950mV @ 250µA	0.7nC @ 4.5V	±8V	21.3pF @ 10V	-	360mW (Ta), 2.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN1006B-3	3-XFDFN
PMV75UP,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 2.5A	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	2.5A (Ta)	1.8V, 4.5V	102 mOhm @ 2.5A, 4.5V	900mV @ 250µA	7.5nC @ 4.5V	±12V	550pF @ 10V	-	490mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMZB350UPE,315	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	1A (Ta)	1.8V, 4.5V	450 mOhm @ 300mA, 4.5V	950mV @ 250µA	1.9nC @ 4.5V	±8V	127pF @ 10V	-	360mW (Ta), 3.125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	3-DFN1006B (0.6x1)	3-XFDFN
PMN52XPX	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	3.7A (Ta)	1.5V, 4.5V	62 mOhm @ 3.7A, 4.5V	900mV @ 250µA	12nC @ 4.5V	±12V	763pF @ 10V	-	530mW (Ta), 4.46W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSOP	SC-74, SOT-457
PMN120ENEX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 3.1A 6TSOP	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	3.1A (Ta)	4.5V, 10V	123 mOhm @ 2.4A, 10V	2.7V @ 250µA	7.4nC @ 10V	±20V	275pF @ 30V	-	1.4W (Ta), 6.25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSOP	SC-74, SOT-457
PMCM4401UNEZ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CHANNEL 20V 4WLCSP	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	-	2.5V, 4.5V	-	-	6.2nC @ 4.5V	-	-	-	400mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	4-WLCSP (2x2)	4-XFBGA, WLCSP

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные