Nexperia агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные - PMCM4402UPEZ PMV37EN2R - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Технологии	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (Макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Функция FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Пакет устройств поставщика	Упаковка / чехол
PMCM4402UPEZ	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CHANNEL 20V 4WLCSP	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	-	2.5V, 4.5V	-	-	6.2nC @ 4.5V	-	-	-	400mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	4-WLCSP (2x2)	4-XFBGA, WLCSP
PMV37EN2R	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	4.5A (Ta)	4.5V, 10V	36 mOhm @ 4.5A, 10V	2V @ 250µA	6.3nC @ 10V	±20V	209pF @ 15V	-	510mW (Ta), 5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMN30UNX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	4.5A (Ta)	1.5V, 4.5V	40 mOhm @ 4.5A, 4.5V	900mV @ 250µA	12nC @ 4.5V	±12V	635pF @ 15V	-	530mW (Ta), 4.46W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSOP	SC-74, SOT-457
PMV120ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V TO-236AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	2.1A (Ta)	4.5V, 10V	123 mOhm @ 2.1A, 10V	2.7V @ 250µA	7.4nC @ 10V	±20V	275pF @ 30V	-	513mW (Ta), 6.4W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMPB33XP,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 5.5A 6DFN	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	5.5A (Ta)	1.8V, 4.5V	37 mOhm @ 5.5A, 4.5V	900mV @ 250µA	23nC @ 4.5V	±12V	1575pF @ 10V	-	1.7W (Ta), 12.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN2020MD-6	6-UDFN Exposed Pad
PMV48XPAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	3.5A (Ta)	2.5V, 4.5V	55 mOhm @ 2.4A, 4.5V	1.25V @ 250µA	11nC @ 4.5V	±12V	1000pF @ 10V	-	510mW (Ta), 4.15W (Tc)	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMPB50ENEX	Nexperia USA Inc.	PMPB50ENE/SOT1220/SOT1220	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	SMD Поверхностный монтаж	DFN2020MD-6	6-UDFN Exposed Pad
PMT560ENEAX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CHANNEL 100V 1.1A SC73	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	1.1A (Ta)	4.5V, 10V	715 mOhm @ 1.1A, 10V	2.7V @ 250µA	4.4nC @ 10V	±20V	112pF @ 50V	-	750mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-73	TO-261-4, TO-261AA
PMPB23XNEZ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN2020MD	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	7A (Ta)	1.8V, 4.5V	22 mOhm @ 7A, 4.5V	900mV @ 250µA	17nC @ 10V	±12V	1136pF @ 10V	-	1.7W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-DFN2020MD (2x2)	6-UDFN Exposed Pad
PMPB29XPE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	5A (Ta)	1.8V, 4.5V	32.5 mOhm @ 5A, 4.5V	900mV @ 250µA	45nC @ 4.5V	±12V	2970pF @ 10V	-	1.7W (Ta), 12.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN2020MD-6	6-UDFN Exposed Pad
PMN16XNEX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 6.9A 6TSOP	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	6.9A (Ta)	1.5V, 4.5V	19 mOhm @ 6.9A, 4.5V	900mV @ 250µA	17nC @ 4.5V	±12V	1136pF @ 10V	-	550mW (Ta), 6.25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSOP	SC-74, SOT-457
PMPB25ENEX	Nexperia USA Inc.	PMPB25ENE/SOT1220/SOT1220	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	SMD Поверхностный монтаж	DFN2020MD-6	6-UDFN Exposed Pad
PMXB43UNEZ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 3.2A 3DFN	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	3.2A (Ta)	1.5V, 4.5V	54 mOhm @ 3.2A, 4.5V	900mV @ 250µA	10nC @ 4.5V	±8V	551pF @ 10V	-	400mW (Ta), 8.33W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN1010D-3	3-XDFN Exposed Pad
PMCM4401UPEZ	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CHANNEL 20V 4A 4WLCSP	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	4A (Ta)	1.8V, 4.5V	95 mOhm @ 3A, 4.5V	900mV @ 250µA	10nC @ 4.5V	±8V	420pF @ 10V	-	400mW (Ta), 12.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	4-WLCSP (0.78x0.78)	4-XFBGA, WLCSP
BUK9D23-40EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN2020MD	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	8A (Ta)	4.5V, 10V	23 mOhm @ 8A, 10V	2.1V @ 250µA	17nC @ 10V	±15V	637pF @ 20V	-	15W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN2020MD-6	6-UDFN Exposed Pad
BUK9M24-40EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	30A (Tc)	5V	20 mOhm @ 10A, 10V	2.1V @ 1mA	7.7nC @ 5V	±10V	798pF @ 25V	-	44W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK33	SOT-1210, 8-LFPAK33
PSMN9R0-25MLC,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 25V 55A LFPAK33	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	25V	55A (Tc)	4.5V, 10V	8.65 mOhm @ 15A, 10V	1.95V @ 1mA	11.7nC @ 10V	±20V	705pF @ 12.5V	-	45W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK33	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
BUK7Y153-100EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	9.4A (Tc)	10V	153 mOhm @ 2A, 10V	4V @ 1mA	9.4nC @ 10V	±20V	497pF @ 25V	-	37.3W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PMV33UPE,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 4.4A TO-236AB	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	4.4A (Ta)	1.8V, 4.5V	36 mOhm @ 3A, 4.5V	950mV @ 250µA	22.1nC @ 4.5V	±8V	1820pF @ 10V	-	490mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BUK9M42-60EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	22A (Tc)	5V	37 mOhm @ 5A, 10V	2.1V @ 1mA	8.3nC @ 5V	±10V	867pF @ 25V	-	44W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK33	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
PMPB85ENEAX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 3A SOT1220	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	3A (Ta)	4.5V, 10V	95 mOhm @ 3A, 10V	2.7V @ 250µA	9.2nC @ 10V	±20V	305pF @ 30V	-	1.6W (Ta), 15.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN2020MD-6	6-UDFN Exposed Pad
BUK6D43-60EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 5A 6DFN2020MD	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	5A (Ta)	4.5V, 10V	43 mOhm @ 5A, 10V	2.7V @ 250µA	18nC @ 10V	±20V	590pF @ 30V	-	15W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN2020MD-6	6-UDFN Exposed Pad
BSP122,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200V	550mA (Ta)	2.4V, 10V	2.5 Ohm @ 750mA, 10V	2V @ 1mA	-	±20V	100pF @ 25V	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
BUK7Y21-40EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	33A (Tc)	10V	21 mOhm @ 10A, 10V	4V @ 1mA	10nC @ 10V	±20V	617pF @ 25V	-	45W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN4R2-30MLDX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	70A (Tc)	4.5V, 10V	4.3 mOhm @ 25A, 10V	2.2V @ 1mA	29.3nC @ 10V	±20V	1795pF @ 15V	Schottky Diode (Body)	65W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK33	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
BUK72150-55A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 11A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	11A (Tc)	10V	150 mOhm @ 5A, 10V	4V @ 1mA	5.5nC @ 10V	±20V	322pF @ 25V	-	36W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PMPB215ENEAX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	1.9A (Ta)	4.5V, 10V	230 mOhm @ 1.9A, 10V	2.7V @ 250µA	7.2nC @ 10V	±20V	215pF @ 40V	-	1.6W (Ta), 15.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN2020MD-6	6-UDFN Exposed Pad
PMCM6501UNEZ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CHANNEL 20V 6WLCSP	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	-	2.5V, 4.5V	-	-	6.2nC @ 4.5V	-	-	-	400mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-WLCSP (1.48x.98)	6-XFBGA, WLCSP
PMCM6501UPEZ	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CHANNEL 20V 4WLCSP	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	-	2.5V, 4.5V	-	-	19.1nC @ 4.5V	-	-	-	556mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	4-WLCSP (2x2)	4-XFBGA, WLCSP
PSMN6R1-30YLDX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	66A (Tc)	4.5V, 10V	6 mOhm @ 15A, 10V	2.2V @ 1mA	13.6nC @ 10V	±20V	817pF @ 15V	-	47W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN6R5-25YLC,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 25V 64A LL LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	25V	64A (Tc)	4.5V, 10V	6.5 mOhm @ 20A, 10V	1.95V @ 1mA	17.5nC @ 10V	±20V	1093pF @ 12V	-	48W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN6R0-30YL,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	79A (Tc)	4.5V, 10V	6 mOhm @ 15A, 10V	2.15V @ 1mA	24nC @ 10V	±20V	1425pF @ 12V	-	55W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PMFPB8032XP,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	2.7A (Ta)	4.5V	102 mOhm @ 2.7A, 4.5V	1V @ 250µA	8.6nC @ 4.5V	±12V	550pF @ 10V	Schottky Diode (Isolated)	485mW (Ta), 6.25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN2020-6	6-UDFN Exposed Pad
PSMN5R4-25YLDX	Nexperia USA Inc.	PSMN5R4-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	25V	70A (Tc)	4.5V, 10V	5.69 mOhm @ 15A, 10V	2.2V @ 1mA	12.4nC @ 10V	±20V	858pF @ 12V	Schottky Diode (Body)	47W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK9M11-40EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 40V MLFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	53A (Tc)	5V, 10V	9 mOhm @ 15A, 10V	2.1V @ 1mA	13.4nC @ 5V	±10V	1721pF @ 25V	-	62W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK33	SOT-1210, 8-LFPAK33
BUK7M15-60EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V MLFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	42.9A (Tc)	10V	15 mOhm @ 10A, 10V	4V @ 1mA	19.4nC @ 10V	±20V	1262pF @ 25V	-	62W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK33	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
BUK7M19-60EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V MLFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	35.8A (Tc)	10V	19 mOhm @ 10A, 10V	4V @ 1mA	17.3nC @ 10V	±20V	1055pF @ 25V	-	55W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK33	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
BUK7237-55A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 32.3A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	32.3A (Tc)	10V	37 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	-	±20V	872pF @ 25V	-	77W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
BUK9M14-40EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 44A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	44A (Tc)	5V	11 mOhm @ 15A, 10V	2.1V @ 1mA	11.3nC @ 5V	±10V	1211pF @ 25V	-	55W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK33	SOT-1210, 8-LFPAK33
BUK7Y65-100EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 19A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	19A (Tc)	10V	65 mOhm @ 5A, 10V	4V @ 1mA	17.8nC @ 10V	±20V	1023pF @ 25V	-	64W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK7277-55A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 18A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	18A (Tc)	10V	77 mOhm @ 10A, 10V	4V @ 1mA	-	±20V	422pF @ 25V	-	51W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PSMN6R0-25YLB,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 25V LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	25V	73A (Tc)	4.5V, 10V	6.1 mOhm @ 20A, 10V	1.95V @ 1mA	19.3nC @ 10V	±20V	1099pF @ 12V	-	58W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN4R0-30YL,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	100A (Tc)	4.5V, 10V	4 mOhm @ 15A, 10V	2.15V @ 1mA	36.6nC @ 10V	±20V	2090pF @ 12V	-	69W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK9Y14-40B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	56A (Tc)	5V	11 mOhm @ 20A, 10V	2V @ 1mA	21nC @ 5V	±15V	1800pF @ 25V	-	85W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK7230-55A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 38A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	38A (Tc)	10V	30 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	-	±20V	1152pF @ 25V	-	88W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
BUK9M12-60EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	54A (Tc)	5V	11 mOhm @ 15A, 10V	2.1V @ 1mA	-	±10V	2769pF @ 25V	-	79W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK33	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
PSMN3R5-30YL,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	100A (Tc)	4.5V, 10V	3.5 mOhm @ 15A, 10V	2.15V @ 1mA	41nC @ 10V	±20V	2458pF @ 12V	-	74W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN2R6-30YLC,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	100A (Tc)	4.5V, 10V	2.8 mOhm @ 25A, 10V	1.95V @ 1mA	39nC @ 10V	±20V	2435pF @ 15V	-	106W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BSP225,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 250V 0.225A SOT223	устарелый	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	250V	225mA (Ta)	10V	15 Ohm @ 200mA, 10V	2.8V @ 1mA	-	±20V	90pF @ 25V	-	1.5W (Ta)	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
BUK7Y13-40B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 58A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	58A (Tc)	10V	13 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	19nC @ 10V	±20V	1311pF @ 25V	-	85W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные