1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретный полупроводник
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  5. Продукты

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Central Semiconductor
Comchip Technology
Diodes Incorporated
EPC
Exar Corporation
GeneSiC Semiconductor
Global Power Technologies Group, Inc.
Honeywell Aerospace
Infineon Technologies
Intersil (Renesas Electronics America)
IXYS Corporation
IXYS Integrated Circuits Division
IXYS RF/Littelfuse
Littelfuse
Micro Commercial Components (MCC)
Microchip Technology
Microsemi
Nexperia
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
Panasonic
Renesas Electronics America
ROHM Semiconductor
Sanken Electric Co., Ltd.
STMicroelectronics
Taiwan Semiconductor
Texas Instruments
Torex Semiconductor
Toshiba Semiconductor and Storage
Transphorm
TT Electronics/Optek Technology
Vicor
Vishay
Wolfspeed
номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип полевого транзистораТехнологииСлив к источнику напряжения (Vdss)Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° CDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Макс.) @ Id, VgsVgs (th) (Max) @ IdЗаряд затвора (Qg) (Макс.) @ VgsVgs (Макс.)Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ VdsФункция FETРассеиваемая мощность (макс.)Рабочая ТемператураТип монтажаПакет устройств поставщикаУпаковка / чехол
DMN2075U-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V4.2A (Ta)2.5V, 4.5V38 mOhm @ 3.6A, 4.5V1V @ 250µA7nC @ 4.5V±8V594.3pF @ 10V
-
800mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3403
 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V2.6A (Ta)2.5V, 10V115 mOhm @ 2.6A, 10V1.4V @ 250µA7.2nC @ 10V±12V315pF @ 15V
-
1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3LTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84W-7-F
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)50V130mA (Ta)5V10 Ohm @ 100mA, 5V2V @ 1mA
-
±20V45pF @ 25V
-
200mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-323SC-70, SOT-323
DMP21D0UFB4-7B
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V770mA (Ta)1.8V, 4.5V495 mOhm @ 400mA, 4.5V700mV @ 250µA1.54nC @ 8V±8V80pF @ 10V
-
430mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажX2-DFN1006-33-XFDFN
2N7000TA
 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V200mA (Tc)4.5V, 10V5 Ohm @ 500mA, 10V3V @ 1mA
-
±20V50pF @ 25V
-
400mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-92-3TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
NX2301P,215
 Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 20V 2A TO-236AB в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V2A (Ta)2.5V, 4.5V120 mOhm @ 1A, 4.5V1.1V @ 250µA6nC @ 4.5V±8V380pF @ 6V
-
400mW (Ta), 2.8W (Tc)150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236AB (SOT23)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2305U-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT-23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V4.2A (Ta)1.8V, 4.5V60 mOhm @ 4.2A, 4.5V900mV @ 250µA7.6nC @ 4.5V±8V727pF @ 20V
-
1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3J56MFV,L3F
 Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V800mA (Ta)1.2V, 4.5V390 mOhm @ 800mA, 4.5V
-
-
±8V100pF @ 10V
-
150mW (Ta)150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажVESMSOT-723
CSD17483F4
 Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V1.5A (Ta)1.8V, 4.5V240 mOhm @ 500mA, 8V1.1V @ 250µA1.3nC @ 4.5V12V190pF @ 15V
-
500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж3-PICOSTAR3-XFDFN
NTK3139PT1G
 ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 0.66A SOT-723 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V660mA (Ta)1.5V, 4.5V480 mOhm @ 780mA, 4.5V1.2V @ 250µA
-
±6V170pF @ 16V
-
310mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-723SOT-723
RZE002P02TL
 Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 20V 0.2A EMT3 устарелыйP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V200mA (Ta)1.2V, 4.5V1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V1V @ 100µA1.4nC @ 4.5V±10V115pF @ 10V
-
150mW (Ta)150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажEMT3SC-75, SOT-416
CSD23381F4
 Texas Instruments MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)12V2.3A (Ta)1.8V, 4.5V175 mOhm @ 500mA, 4.5V1.2V @ 250µA1.14nC @ 4.5V-8V236pF @ 6V
-
500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж3-PICOSTAR3-XFDFN
DMN2004K-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V630mA (Ta)1.8V, 4.5V550 mOhm @ 540mA, 4.5V1V @ 250µA
-
±8V150pF @ 16V
-
350mW (Ta)-65°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN5L06K-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)50V300mA (Ta)1.8V, 5V2 Ohm @ 50mA, 5V1V @ 250µA
-
±20V50pF @ 25V
-
350mW (Ta)-65°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3419
 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V3.5A (Ta)1.8V, 10V85 mOhm @ 3.5A, 10V1.4V @ 250µA4.4nC @ 4.5V±12V400pF @ 10V
-
1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3LTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI1062X-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V SC-89 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V
-
1.5V, 4.5V420 mOhm @ 500mA, 4.5V1V @ 250µA2.7nC @ 8V±8V43pF @ 10V
-
220mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-89-3SC-89, SOT-490
SSM3K339R,LF
 Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)40V2A (Ta)1.8V, 8V185 mOhm @ 1A, 8V1.2V @ 1mA1.1nC @ 4.2V±12V130pF @ 10V
-
1W (Ta)150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23FSOT-23-3 Flat Leads
DMN601K-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V300mA (Ta)5V, 10V2 Ohm @ 500mA, 10V2.5V @ 1mA
-
±20V50pF @ 25V
-
350mW (Ta)-65°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123W-7-F
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)100V170mA (Ta)4.5V, 10V6 Ohm @ 170mA, 10V2V @ 1mA
-
±20V60pF @ 25V
-
200mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-323SC-70, SOT-323
DMP2160U-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT-23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V3.2A (Ta)1.8V, 4.5V80 mOhm @ 1.5A, 4.5V900mV @ 250µA
-
±12V627pF @ 10V
-
1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3400A
 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V5.7A (Ta)2.5V, 10V26.5 mOhm @ 5.7A, 10V1.5V @ 250µA7nC @ 4.5V±12V630pF @ 15V
-
1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3LTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3401A
 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 30V 4A SOT23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V4A (Ta)2.5V, 10V44 mOhm @ 4.3A, 10V1.3V @ 250µA12.2nC @ 4.5V±12V1200pF @ 15V
-
1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3LTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3407A
 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V4.3A (Ta)4.5V, 10V48 mOhm @ 4.3A, 10V3V @ 250µA16nC @ 10V±20V830pF @ 15V
-
1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3LTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2041L-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V6.4A (Ta)2.5V, 4.5V28 mOhm @ 6A, 4.5V1.2V @ 250µA15.6nC @ 10V±12V550pF @ 10V
-
780mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3424
 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 2A SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V3.8A (Ta)2.5V, 10V80 mOhm @ 2A, 10V1.8V @ 250µA3.2nC @ 4.5V±12V270pF @ 15V
-
1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3LTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2307L-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V2.5A (Ta)4.5V, 10V90 mOhm @ 2.5A, 10V3V @ 250µA8.2nC @ 10V±20V371.3pF @ 15V
-
760mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTR5198NLT1G
 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V1.7A (Ta)4.5V, 10V155 mOhm @ 1A, 10V2.5V @ 250µA2.8nC @ 4.5V±20V182pF @ 25V
-
900mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3404A
 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V5.8A (Ta)4.5V, 10V28 mOhm @ 5.8A, 10V3V @ 250µA17nC @ 10V±20V820pF @ 15V
-
1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3LTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2365EDS-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V5.9A (Tc)1.8V, 4.5V32 mOhm @ 4A, 4.5V1V @ 250µA36nC @ 8V±8V
-
-
1W (Ta), 1.7W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3415
 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 20V 4A SOT23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V4A (Ta)1.5V, 4.5V43 mOhm @ 4A, 4.5V1V @ 250µA17.2nC @ 4.5V±8V1450pF @ 10V
-
1.5W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3LTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3415A
 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-3 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V5A (Ta)1.5V, 4.5V45 mOhm @ 4A, 4.5V850mV @ 250µA11nC @ 4.5V±8V940pF @ 10V
-
1.5W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3LTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3J356R,LF
 Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V2A (Ta)4V, 10V300 mOhm @ 1A, 10V2V @ 1mA8.3nC @ 10V+10V, -20V330pF @ 10V
-
1W (Ta)150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23FSOT-23-3 Flat Leads
DMN2990UFZ-7B
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V250mA (Ta)1.2V, 4.5V990 mOhm @ 100mA, 4.5V1V @ 250µA0.5nC @ 4.5V±8V55.2pF @ 16V
-
320mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажX2-DFN0606-33-XFDFN
BSS214NH6327XTSA1
 Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V1.5A (Ta)2.5V, 4.5V140 mOhm @ 1.5A, 4.5V1.2V @ 3.7µA0.8nC @ 5V±12V143pF @ 10V
-
500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG3402L-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V4A (Ta)2.5V, 10V52 mOhm @ 4A, 10V1.4V @ 250µA11.7nC @ 10V±12V464pF @ 15V
-
1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2065UW-7
 Diodes Incorporated MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V2.8A (Ta)1.5V, 4.5V56 mOhm @ 2A, 4.5V1V @ 250µA5.4nC @ 4.5V±12V400pF @ 10V
-
430mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-323SC-70, SOT-323
BSN20BKR
 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V265mA (Ta)10V2.8 Ohm @ 200mA, 10V1.4V @ 250µA0.49nC @ 4.5V±20V20.2pF @ 30V
-
310mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236AB (SOT23)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTK3134NT1G
 ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-723 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V750mA (Ta)1.5V, 4.5V350 mOhm @ 890mA, 4.5V1.2V @ 250µA
-
±6V120pF @ 16V
-
310mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-723SOT-723
NTA4153NT1G
 ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V915mA (Ta)1.5V, 4.5V230 mOhm @ 600mA, 4.5V1.1V @ 250µA1.82nC @ 4.5V±6V110pF @ 16V
-
300mW (Tj)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416SC-75, SOT-416
AO3416
 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V6.5A (Ta)1.8V, 4.5V22 mOhm @ 6.5A, 4.5V1V @ 250µA16nC @ 4.5V±8V1160pF @ 10V
-
1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3LTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2035U-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V3.6A (Ta)1.8V, 4.5V35 mOhm @ 4A, 4.5V1V @ 250µA15.4nC @ 4.5V±8V1610pF @ 10V
-
810mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K329R,LF
 Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V3.5A (Ta)1.8V, 4V126 mOhm @ 1A, 4V1V @ 1mA1.5nC @ 4V±12V123pF @ 15V
-
1W (Ta)150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23FSOT-23-3 Flat Leads
SI2301CDS-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V3.1A (Tc)2.5V, 4.5V112 mOhm @ 2.8A, 4.5V1V @ 250µA10nC @ 4.5V±8V405pF @ 10V
-
860mW (Ta), 1.6W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2301CDS-T1-E3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V3.1A (Tc)2.5V, 4.5V112 mOhm @ 2.8A, 4.5V1V @ 250µA10nC @ 4.5V±8V405pF @ 10V
-
860mW (Ta), 1.6W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS127S-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)600V50mA (Ta)5V, 10V160 Ohm @ 16mA, 10V4.5V @ 250µA1.08nC @ 10V±20V21.8pF @ 25V
-
610mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2371EDS-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V4.8A (Tc)2.5V, 10V45 mOhm @ 3.7A, 10V1.5V @ 250µA35nC @ 10V±12V
-
-
1W (Ta), 1.7W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2004WK-7
 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V540mA (Ta)1.8V, 4.5V550 mOhm @ 540mA, 4.5V1V @ 250µA
-
±8V150pF @ 16V
-
200mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-323SC-70, SOT-323
SI2347DS-T1-GE3
 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)30V5A (Tc)4.5V, 10V42 mOhm @ 3.8A, 10V2.5V @ 250µA22nC @ 10V±20V705pF @ 15V
-
1.2W (Ta), 1.7W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP4065S-7
 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23 в производствеP-ChannelMOSFET (Metal Oxide)40V2.4A (Ta)4.5V, 10V80 mOhm @ 4.2A, 10V3V @ 250µA12.2nC @ 10V±20V587pF @ 20V
-
720mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTR4501NT1G
 ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)20V3.2A (Ta)1.8V, 4.5V80 mOhm @ 3.6A, 4.5V1.2V @ 250µA6nC @ 4.5V±12V200pF @ 10V
-
1.25W (Tj)-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6
  7. 7
  8. 8
  9. 9
  10. 10
Email: sales@icchip.ru
Copyright © 2019 ICCHIP ® Все права защищены